• 한국인터넷방송통신학회논문지
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• 제17권5호
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• pp.187-192
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• 2017

마이크로스트립 콤 어레이 안테나에 대한 CSRR-메타물질의 영향을 연구하였다. 마이크로스트립 콤 어레이 안테나는 12개의 방사체로 구성되었고 24GHz ISM 대역에서 16.09dBi의 이득과 0.24GHz 대역폭을 갖도록 설계하였다. 설계된 안테나는 안테나 면에 수직한 방사빔과 16.09dBi의 동일편파 이득, -10.86dBi의 교차편파 이득을 갖고 있었다. CSRR-메타물질은 0.24GHz이던 마이크로스트립 콤 어레이 안테나의 임피던스 대역폭을 3.6GHz로 대폭 증가시켰으나 동일편파 이득이 10.8dBi로 되고 교차편파 이득이 14.1dBi로 되어 동일편파와 교차편파가 혼재했으며 안테나 이득을 1.99dB 만큼 저하시켰다. 한편, CSRR 링의 스플릿 방향에 따른 연구에서 링의 스플릿 방향을 위로하거나 아래로 했을 때는 거의 같은 특성을 보였다. 그러나 링의 스플릿 방향을 위와 아래로 교번하여 배치하였을 때는 동일편파 이득이 -1.29dBi로 감소하고 교차편파 이득이 13.9dBi로 증가하여 교차편파가 주가 되는 파로 변환되었다.

• 한국컴퓨터정보학회논문지
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• 제27권3호
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• pp.71-77
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• 2022

본 논문에서는 mmWave 대역에서 이중 직선편파 특성을 갖는 1×2 배열안테나를 제안하였다. 제안된 안테나는 두 개의 마이크로스트립 선로 급전구조를 갖도록 하였으며 유전율은 4.3이고 두께가 0.4 mm인 RF-4 유전체 기판위에 설계되었다. 제안된 1×2 배열안테나의 패치안테나 크기는 각각 2.33 mm×2.33 mm이며 전체 기판의 크기는 13.0 mm×6.90 mm이다. 제작 및 측정결과, 급전 위치가 포트 1일 때 1.13 GHz (28.52~29.65 GHz) 그리고 급전위치가 포트 2일 때 1.08 GHz (28.45~29.53 GHz) 임피던스 대역폭을 얻었다. 급전위치가 포트가 1일 때 편파분리도는 수직편파의 경우, 7.68 dBi에서 16.90 dBi 범위의 수평편파의 경우, 7.46 dBi에서 15.97 dBi 범위의 측정값을 얻었다. 급전위치가 포트 2일 때 편파분리도는 수직편파의 경우, 8.59 dBi에서 13.72 dBi 범위의 수평편파의 경우, 03 dBi에서 14.0 dBi 범위의 측정값을 각각 얻었다.

• 한국컴퓨터정보학회논문지
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• 제15권7호
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• pp.67-74
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• 2010

본 논문은 UHF RFID 시스템을 위해 편파를 선택할 수 있는 리더 안테나를 설계 및 구현하였다. 제안된 리더 안테나는 두 개의 급전부를 가지는 마이크로 스트립 패치 안테나와 두 개의 SPDT 스위치와 하나의 SP4T 스위치와 3dB hybrid coupler로 구성되어 있다. 각각의 스위치 전압을 조절하여 수직 방향의 선형 편파와 수평 방향의 선형 편파, 좌수 원형 편파와 우수 원형 편파를 선택할 수 있다. 제안된 안테나는 902MHz~928MHz 대역에서 VSWR 2:1 기준으로 UHF RFID 주파수 대역인 902MHz~928MHz를 만족한다. 안테나의 최고이득은 X-Y Plane을 기준으로 선형 편파가 선택되어질 때 7.71dBi, 7.55dBi 로 측정되었고 원형 편파가 선택되어질 때 7.31dBic, 7.81dBic 로 측정되었다. 또한 원형 편파(LHCP, RHCP)가 선택 되어질 때 축비는 각각 2.01~2.83dB, 2.02~2.60dB로 측정되었고 이는 3dB 이하의 축비를 만족한다.

• 한국산림과학회지
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• 제106권4호
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• pp.497-508
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• 2017

이 연구는 임가의 소득불평등과 양극화의 추이를 살펴보기 위한 목적으로 수행되었다. 이를 위해 소득불평등도는 지니계수와 엣킨슨 지수를 활용하여 분석하였으며 양극화는 DER 지수를 이용하였다. 그리고 이들 지수들은 임가소득과 함께 이것을 구성하는 하부소득인 임업소득, 겸업소득 그리고 이전소득으로 세분화하여 살펴보았다. 분석결과, 임가의 소득불평등도는 우리나라 전체 가구의 소득불평등도보다 상대적으로 높은 수준으로 분석되었다. 그리고 이전소득을 제외한 임가소득, 임업소득, 겸업소득에 있어서 소득 불평등은 심화되는 것으로 나타났다. 이러한 추세는 양극화에서도 볼 수 있다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2002년도 하계학술대회 논문집
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• pp.371-374
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• 2002

Bismuth lanthanum titanate thin films with excess Bi contents were prepared onto Pt/Ti/$SiO_2$/Si substrate by metalorganic decomposition (MOD) technique. The structure and morphology of the films were analyzed using X-ray diffraction (XRD) and atomic force microscopy (AFM), respectively. From the XRD analysis, BLT thin films show polycrystalline structure and the layered-perovskite phase was obtained over 10% excess of Bi contents. As a result of ferroelectric characteristics related to the Bi content of the BLT thin film, the remanent polarization and dielectric constant decreased with increasing over Bi content of 10 % excess. The BLT film with Bi content of 10% excess was measured to have a dielectric constant of n9 and dielectric loss of 1.85[%]. The BLT thin films showed little polarization fatigue test up to 3.5 x $10^{9}$ bipolar switching cycling.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2003년도 춘계학술발표강연 및 논문개요집
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• pp.37-37
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• 2003

Ferroelectric random acess memories (FeRAMs) 재료로 주목받고 있는 강유전 물질은 이미 여러 해 전부터 많은 물질들에 대해 연구가 진행되어 왔다. 그 중 낮은 공정 온도를 가지며 큰 remanent polarization 값을 갖는 lead zirconium titanate (PZT) 박막에 대해 많은 연구가 진행되고 있다. 하지만 Pt 기판위에 증착된 PZT 박막은 높은 피로 현상을 보이는 문제가 있다. 최근 Pulsed laser deposition이나 metal-organic vapor phase epitaxy (MOVPE) 등의 방법에 의해 epitaxial substituted-$Bi_4Ti_3O_{12}$ (La, Nd) 박막에 대해 보고가 되고 있다. 본 연구에서는 높은 remanent polarization 값을 갖는 $(Bi,Ce)_4Ti_3O_{12}$ (BCT) 박막을 pulsed laser deposition 방법을 사용하여 증착하였다. 또한 Bismuth의 양을 변화시켜 Bismuth의 양에 따른 remanent polarization의 변화를 확인하여 보았다. 사용된 기판은 Pt/$TiO_2$/$SiO_2$/Si 기판을 사용하였다.

• Journal of Electrical Engineering and Technology
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• 제2권1호
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• pp.98-101
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• 2007

Yttrium(Y)-substituted bismuth titanate $(Bi_{4-x},Y_x)Ti_3O_{12}$ [x=0, 0.25, 0.5, 0.75, 1](BYT) thin films were deposited using an RF sputtering method on the $Pt/TiO_2/SiO_2/Si$ substrates. The structural properties and electrical properties of yttrium-substituted $(Bi_4-xYx)Ti_3O_{12}$ thin films were analyzed. The remanent polarization of $(Bi_4-xYx)Ti_3O_{12}$ films increased with increasing Y-content. The $(Bi_{3.25}Y_{0.75})Ti_3O_{12}$ films fabricated using a top Au electrode showed saturated polarization-electric field(P-E) switching curves with a remanent polarization(Pr) of $8{\mu}C/cm^2$ and coercive field (Ec) of 53 kV/cm at an applied voltage of 7 V. The $(Bi_{3.25}Y_{0.75})Ti_3O_{12}$ films exhibited fatigue-free behavior up to $4.5{\times}10^{11}$ read/write switching cycles at a frequency of 1MHz.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1999년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.113-117
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• 1999

SrBi$_2$Ta$_2$$O_{9}$ (SBT) thin films were fabricatcd with different Sr/Bi ratios by MOD. SBT thin films of thickness 2500$\AA$ deposited on Pt/Ti/SiO$_2$/Si were crystallized at $700^{\circ}C$ ~85$0^{\circ}C$ using RTA method. As the Sr/Bi ratio was decreased, dielectric constant and remanent polarization were increased. SrBi$_2$Ta$_2$$O_{9}$ showed a maximum dielectric constant value of $\varepsilon$$_{r}$= 268, and maximum remanent polarization (2Pr) of ~9.86 $\mu$C/$\textrm{cm}^2$ when annealed at 8$0^{\circ}C$ for 8 min.min.n.

• 한국광학회지
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• 제1권1호
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• pp.16-21
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• 1990

The accurate polarization state of the light inside BSO crystal was calculated with consideration of optical activity. By solving Maxwell's equations, the general form of the polarization matrix for any direction of the electric field was obtained. Examples of output polarization states in BSO crystals were also calculated, and their properties were discussed.

• KDI Journal of Economic Policy
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• 제29권3호
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• pp.1-28
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• 2007

본고의 분석 결과 지니계수와 양극화지수가 이론적으로는 상이하나, 실증적으로는, 상관관계를 통해서 볼 때, 다른 지수라 보기 어렵다는 점이 확인되었다. 또한 DER지수의 추정을 통해 한국소득분포의 극화를 추정한 결과도 외환위기 전후로 소득분포의 극화가 지니계수로 측정되는 소득불평등도보다 심화되었다고 여길 수 없음이 확인되었다.