• 제목/요약/키워드: beam divergence

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Preparation of Nanocolumnar In2O3 Thin Films for Highly Sensitive Acetone Gas Sensor

  • Han, Soo Deok;Song, Young Geun;Shim, Young-Seok;Lee, Hae Ryong;Yoon, Seok-Jin;Kang, Chong-Yun
    • 센서학회지
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    • 제25권6호
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    • pp.383-387
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    • 2016
  • Well-ordered nanocolumnar indium oxide ($In_2O_3$) thin films have been successfully fabricated by glancing angle deposition (GAD) using an e-beam evaporator. Nanocolumnar structures have a porous and large surface area with a narrow neck between nanocolumns, which allows them to detect minute amounts of gases. The nanocolumnar $In_2O_3$ thin films were fabricated by the GAD process at five different positions, viz. top, bottom, center, left, and right in a four inch substrate holder. There was a divergence in the thickness and the base resistance of each sensor. However, all the sensors exhibited extremely high sensitivity that was greater than $10^3$ times the change in electrical resistance after being exposed to 50 ppm of acetone gas at $300^{\circ}C$. Furthermore, the nanocolumnar $In_2O_3$ sensors displayed an extremely low detection limit (1.2 ppb) in dry atmosphere as well as in high humidity (80%). We demonstrated that the GAD nanocolumnar $In_2O_3$ sensors have an enormous potential for many applications owing to their particularly simple and reliable fabrication process.

UVA LED를 이용한 근접 노광용 렌즈 설계 기술 연구 (A Study of Lens Design Technique for Proximity Exposure Using a UVA LED)

  • 이정수;조예지;이현화;공미선;강동화;정미숙
    • 한국광학회지
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    • 제30권4호
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    • pp.146-153
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    • 2019
  • 노광기는 회로 패턴을 원하는 위치에 전사시켜주는 장비로 패턴을 광학적 특성의 변형 없이 기재 상에 나타내기 위해서는 노광광학계의 특성이 매우 중요하다. 따라서 미세회로 패턴을 형성하기 위해서는 조사 면적에 작은 발산각으로 입사되어야 한다. 또한, 광원에서 나온 빛이 감광제와 균일하게 반응해야 하기 때문에 높은 광효율과 조도 균일도를 가져야 한다. 본 논문에서는 협각 구현의 문제점을 해결하기 위한 방법으로 반사형 타입인 파라볼라 반사경과 비구면 렌즈 설계를 진행하였고, 배열 후 시뮬레이션 분석 결과 광속 각도, 균일도, 최대조도가 목표 성능을 만족하는 것을 확인하였다.

RHEED 장치의 제작과 K, Cs/Si(111)계에 관한 연구 (Construction of RHEED Apparatus and Study on K, Cs/Si)(111) System)

  • 이경원;안기석;강건아;박종윤;이순보
    • 한국진공학회지
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    • 제1권1호
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    • pp.43-49
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    • 1992
  • 표면구조 분석장치의 하나인 RHEED(Reflection High Energy Electron Diffraction) 장치를 설계.제작하였다. 전자선의 에너지는 0에서 20keV까지 연속가변이 가능하도록 하였 으며 전자선의 접속은 자기렌즈를 이용하였다. 이 장치를 본 연구실에서 제작한 초고진공용 기에 장착하여 K, Cs/Si(111)계의 표면구조를 분석하였다. 깨끗한 Si(111)7 $\times$ 7 표면을 가 지는 기판의 온도를 상온 및 20$0^{\circ}C$ ~ $700^{\circ}C$에서 K와 Cs를 증착시켰을 때 변화하는 표면 구조를 RHEED로 관찰하였다. K의 경우, 상온에서 Si(111)7 $\times$ 7-K, $300^{\circ}C$~$550^{\circ}C$에서 3 $\times$ 1 및 $550^{\circ}C$ 이상에서 1 $\times$ 1 구조가 관측되었고, Cs의 경우는 상온에서 $250^{\circ}C$까지는 1 $\times$ 1, $300^{\circ}C$에서 $\sqrt{3}{\times}\sqrt{3}$, $350^{\circ}C{\sim}400^{\circ}C$에서 $\sqrt{3}{\times}\sqrt{3}+3{\times}1$ 구조가 관측되었다.

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