• 한국식품과학회지
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• 제28권3호
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• pp.521-527
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• 1996

세 품종의 강낭콩 전분에 대하여 분자구조적 측면에서 그 특성을 조사하였다. 전분의 아밀로오스 함량과 ${\beta}$-아밀라아제 분해한도는 Pink종이 다른 종에 비하여 다소 높았다. 그리고 아밀로펙틴의 사슬분포는 ${\overline{DP}$60 이상의 초장사슬, ${\overline{DP}}45{\sim}60$인 B 사슬, 그리고 ${\overline{DP}}10{\sim}20$인 A 사슬로 분포하였으며, 그 분포도는 품종별로 차이를 보였는데, Pink종은 B사슬, Red종은 초장사슬, 그리고 White종은 A 사슬이 다른 종에 비하여 더 많이 분포하였다. 전분의 딴 가수분해(2.2N HCI는 3 단계로 일어났으며, 각 품종간에는 가수분해 속도와 요오드 반응에서 다소 차이를 보였다. 전분은 산처리에 따라 아밀로오스와 무정형인 아밀로펙틴의 ${\alpha}$-1.6 결합이 점차 분해되어, 결국은 결정성을 가진 ${\overline{DP}}$ 20 정도의 사슬로 남았다. 이러한 결과로부터 강낭콩은 품종에 따라 전분의 분자구조가 다름을 알 수 있었다.

• Journal of Oral Medicine and Pain
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• 제36권3호
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• pp.161-167
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• 2011

타석은 타액선에 발견되는 흔한 병리 상태 중 하나이다. 타석의 형성과 관련된 기전은 아직까지 명확하게 밝혀지지 않았다. 본 연구에서는 악하선의 만성타액선염을 앓고 있는 58세 여성 환자로부터 얻은 타석을 전자현미경 및 에너지분산 X선 분광법을 통해 화학적인 조성과 미세형상을 분석하였다. 전자현미경 평가에서 고도로 광화된 무정형 핵이 층판의 동심원상 구조로 둘러싸인 형태가 관찰되었으나, 이물질, 유기물질 또는 미생물의 소견은 확인되지 않았다. 에너지분산 X선 분광 분석에서 중심부 핵은 Ca, O 및 P로만 구성되어 있었고, C도 중심부 근처에서 높은 함량으로 검출되었다. 이러한 결과는 타석의 무기물 조성은 주로 수산화인회석 결정으로 되어 있고 중심핵 주변으로 무기-유기 구조가 형성되어 있어, 악하선관 내 타석의 핵이 무기결정핵의 성장을 촉진하는 타액선염에 의해 이차적으로 형성되었을 가능성을 제시한다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제43회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.251-252
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• 2012

Recently, the growing interest in organic microelectronic devices including OLEDs has led to an increasing amount of research into their many potential applications in the area of flexible electronic devices based on plastic substrates. However, these organic devices require a gas barrier coating to prevent the permeation of water and oxygen because organic materials are highly susceptible to water and oxygen. In particular, high efficiency OLEDs require an extremely low Water Vapor Transition Rate (WVTR) of $1{\times}10^{-6}g/m^2$/day. The Key factor in high quality inorganic gas barrier formation for achieving the very low WVTR required ($1{\times}10^{-6}g/m^2$/day) is the suppression of defect sites and gas diffusion pathways between grain boundaries. In this study, we developed an $Al_2O_3$ nano-crystal structure single gas barrier layer using a Neutral Beam Assisted Sputtering (NBAS) process. The NBAS system is based on the conventional RF magnetron sputtering and neutral beam source. The neutral beam source consists of an electron cyclotron Resonance (ECR) plasma source and metal reflector. The Ar+ ions in the ECR plasma are accelerated in the plasma sheath between the plasma and reflector, which are then neutralized by Auger neutralization. The neutral beam energies were possible to estimate indirectly through previous experiments and binary collision model. The accelerating potential is the sum of the plasma potential and reflector bias. In previous experiments, while adjusting the reflector bias, changes in the plasma density and the plasma potential were not observed. The neutral beam energy is controlled by the metal reflector bias. The NBAS process can continuously change crystalline structures from an amorphous phase to nano-crystal phase of various grain sizes within a single inorganic thin film. These NBAS process effects can lead to the formation of a nano-crystal structure barrier layer which effectively limits gas diffusion through the pathways between grain boundaries. Our results verify the nano-crystal structure of the NBAS processed $Al_2O_3$ single gas barrier layer through dielectric constant measurement, break down field measurement, and TEM analysis. Finally, the WVTR of $Al_2O_3$ nano-crystal structure single gas barrier layer was measured to be under $5{\times}10^{-6}g/m^2$/day therefore we can confirm that NBAS processed $Al_2O_3$ nano-crystal structure single gas barrier layer is suitable for OLED application.

• Composites Research
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• 제31권2호
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• pp.63-68
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• 2018

열가소성 복합재료는 다양한 장점에도 불구하고 기계적 특성이 낮아 고성능 항공산업 분야에서는 제한적으로 사용되어 왔으나 최근 열가소성 방향족 폴리머 복합재들이 많이 연구/활용되고 있다. 본 연구에서는 대표적인 열가소성 방향족 폴리머인 PEEK와 PPS Neat 수지 필름을 DSC 기기를 이용하여 가열, 냉각 및 재 가열 사이클을 연속적으로 수행하여 유리전이온도 및 용융온도 등의 특성변화를 확인하고 냉각속도에 따른 결정화도(Crystallinity)의 차이를 평가하였다. 1차 가열단계에서 각 폴리머의 용융온도보다 높은 온도에 5분간 유지시켜 이전 열이력을 제거하였고 2차 냉각단계에서 냉각속도를 분당 2, 5, 10, 20 및 $40^{\circ}C$로 조절/적용함으로서 결정화반응을 제어하였으며, 3차 가열단계에서 재가열하여 용융엔탈피를 측정함으로서 결정화도 차이를 확인하였다. 높은 비정질 영역을 가진 시편의 첫 번째 가열시 냉각결정화 현상이 일어나고 뚜렷한 유리상 전이구역을 확인할 수 있었던 반면에 결정질 영역이 증가된 재가열시에는 냉각결정화 현상이 일어나지 않고 상대적으로 유리상 전이구역이 약해지는 것을 확인하였다. 2차 냉각단계에서 냉각속도가 느려짐에 따라 결정화도가 높아졌는데 PEEK의 경우 냉각속도의 차이에 따라 21.9~39.3% 결정화도를 보였으며, PPS는 29.1~31.2% 결정화도 차이를 얻을 수 있었다.

• 자원리싸이클링
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• 제23권6호
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• pp.3-11
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• 2014

화력발전소 바닥재는 입자크기의 범위가 넓고 미연탄소 함량이 높아 지오폴리머의 원료로 잘 사용되지 않는다. 지오폴리머의 원료로서 바닥재가 대부분인 매립 석탄재를 대량 재활용하기 위한 가공공정을 평가하기 위하여 로드밀과 유성볼밀로 분쇄하여 지오폴리머의 강도에 미치는 영향을 알아보았다. 기계적 분쇄가 바닥재의 비정질 함량 변화에 미치는 영향은 거의 없었다. 이는 석탄재의 주요 결정질 상인 뮬라이트가 침상으로 존재하는데, 침상의 뮬라이트는 높은 강도와 인성을 갖기 때문에 비정질화되기 어렵기 때문으로 판단된다. 그러나 분쇄 효과는 입자크기를 감소시켰으며 매립 석탄재 입자의 크기 분포를 보다 균일하게 하여 알칼리와의 반응성을 증가시켰다. 로드밀은 상대적으로 입자크기의 범위를 좁게 만들었지만 입자크기 감소효과는 적었다. 그럼에도 불구하고 로드밀의 분쇄는 최대 약 37%의 압축강도를 증가시켰으며, 이는 유성볼밀의 효과와 동일하였다. 로드밀 분쇄는 매립 석탄재의 반응성을 증가시켜 지오폴리머의 원료로 대량 재활용하기에 적합한 공정이다.

• 한국자기학회지
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• 제1권1호
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• pp.12-16
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• 1991

F $e_{76-x}$ C $u_{1}$M $o_{x}$S $i_{14}$ $B_{9}$(x=2, 3)비정질합금의 열처리에 따른 자기적특성과 미세구조의 변화에 대해 조사하였다. 이들합금을 500 .deg. C에서 1시간 열처리한 경우, 결정화에 의해 약 20mm의 입경을 갖는 .alpha. -Fe의 초미세결정립 조직으로 변태하였으며, 이때 얻어진 합금의 실효투자율은 8~9*$10^{3}$, 보자력은 3~4A/m정도이었다. 초미세결정합금의 연자기특성을 크게 좌우하는 요소중의 하나가 입경의 크기이며, 우수 한 자성특성을 얻기위해서는 결정립의 미세화가 요구되는 것으로 알려져 있다. 이에 따라 Fe-Cu-Mo-Si-B계 합금의 경우보다 우수한 연자기특성을 얻기 위하여 2단 열처리를 행하였다. 즉, 400 .deg. C에서 1~3시간 저온 열처리 후 500 .deg. C에서 1시간 고온열처리를 하면 입경이 10nm이하로 감소하였으며, 이때 얻어진 합금의 실효투자율은 1.2~ 1.7*$10^{4}$이고 보자력은 ~2A/m이었다. 이와 같은 연자기특성의 향상은 .alpha. -Fe(Si)결정립의 미세화에 따른 평균결정자기이방성 의 감소에 기인하는 것으로 믿어진다.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제1권1호
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• pp.26-31
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• 2000

The ~1540 nm $^4$ $I_{13}$ 2/ longrightarro $w^4$ $I_{15}$ 2/ emissions of E $r^{3+}$ in Er-implanted GaN annealed at temperatures in the 400 to 100$0^{\circ}C$ range were investigated to gain a better understanding of the formation and dissociation processes of the various E $r^{3+}$ sites and the recovery of damage caused by the implantation with increasing annealing temperature ( $T_{A}$).The monotonic increase in the intensity of the broad defect photoluminescence(PL) bands with incresing $T_{A}$ proves that these are stable radiative recombination centers introduced by the implantation and annealing process. Theser centers cannot be attributed to implantation-induced damage that is removed by post-implantation annealing. Selective wavelength pumpling of PL spectra at 6K reveals the existence of at least nine different E $r^{3+}$ sites in this Er-implanted semiconductor. Most pf these E $r^{3+}$ PL centers are attributed to complexed of Er atoms with defects and impurities which are thermally activated at different $T_{A}$. Only one of the nine observed E $r^{3+}$ PL centers can be pumped by direct 4f absorption and this indicates that it is highest concentration E $r^{3+}$ center and it represents most of the optically active E $r^{3+}$ in the implanted sample. The fact that this E $r^{3+}$ center cannot be strongly pumped by above-gap light or broad band below-gap absorption indicates that it is an isolated center, i.e not complexed with defects or impurities, The 4f-pumped P: spectrum appears at annealing temperatures as low as 40$0^{\circ}C$, and although its intensity increase monotonically with increasing $T_{A}$ the wavelengths and linewidths of its characteristic peaks asre unaltered. The observation of this high quality E $r_{3+}$PL spectrum at low annealing temperatures illustrates that the crystalline structure of GaN is not rendered amorphous by the ion implantation. The increase of the PL intensities of the various E $R_{3+}$sites with increasing $T_{A}$is due to the removal of competing nonradiative channels with annealing. with annealing.annealing.

• 한국토양비료학회지
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• 제16권4호
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• pp.343-346
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• 1983

제철광재(製鐵鑛滓)로 부생(副生)되는 급랭광재(急冷鑛滓)를 규산질비료(珪酸質肥料) 자원(資源)으로의 활용성(活用性)을 검토(檢討)해 보고저 포철(浦鐵)(주(株))의 급랭광재(急冷鑛滓)를 공시(供試)하여 이화학적(理化學的), 광물학적(鑛物學的) 특성(特性)을 조사(調査)한 결과(結果)는 다음과 같다. 급랭광재(急冷鑛滓)의 입자(粒子)는 주(主)로 모래알 크기로(1~2mm) 부생(副生)되며 서랭광재(徐冷鑛滓)로 제조(製造)한 현(現) 시판(市販) 규산질비료(珪酸質肥料)에 비(比)하여 조립질(粗粒質)이었으며 급랭(急冷)하므로서 광물조성(鑛物組成)이 무정질(無晶質)로 서랭광재(徐冷鑛滓)의 결정광물(結晶鑛物)과 대조적(對照的)이었다. 가용성규산(可溶性珪酸) 함량(含量)은 급랭광재(急冷鑛滓)에서 높았으며 반대(反對)로 서랭광재(徐冷鑛滓)에서는 결정성광물(結晶性鑛物)인 Akermanite, Cehlenite, Wollastonite을 다량(多量) 함유(含有)하고 있어 가용규산(可溶珪酸) 함량(含量)이 낮았다. 급랭광재(急冷鑛滓)의 수경성(水硬性) 및 입자(粒子)의 모서리가 예리(銳利)하기 때문에 직접시용(直接施用)할 경우 주의(注意)를 필요(必要)로 하나 규산질비료(珪酸質肥料) 자원(資源)으로서의 활용(活用)은 가능(可能)할 것으로 사료(思料)된다.

• 폴리머
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• 제29권4호
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• pp.363-367
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• 2005

Iron(III)p-toluenesulfonate를 개시제로 한 3,4-ethylenedioxyaiophene(EDOT)의 중합과정시 여러 가지 유기용매를 첨가했을 때 poly(3,4-ethylenedioxythiophene)(PEDOT)의 전하이동특성이 어떻게 변하는지에 대해 연구하였다. 첨가한 유기용매의 종류는 MeOH, EtOH등의 알콜류와 Acetone, MEK등의 케톤류였으며, 직류 전기전도도 측정시 280 K에서 전도도는 MeOH를 첨가한 시료가 19.5 S/cm로 가장 높았으며, MEK를 첨가한 시료는 $2.2{\times}10^{-9}$S/cm로 각기 다른 전도도를 나타내었다. 유기용매 첨가에 따른 전기전도도의 변화를 설명하기 위해 X-ray diffraction(XRD)를 통한 PEDOT의 구조적 변화를 관찰하였으며, 알콜류를 첨가했을 경우 결정화도가 증가하는 반면, 케톤류의 유기용매를 첨가했을 경우에는 무정형 구조를 가지는 것을 관찰하였다. 또한 X-ray photoelectron spectoscopyocpy(XPS)를 이용하여 S(2p) 피크를 분석한 결과 케톤류를 첨가한 시료의 경우 다른 시료에 비해 도핑레벨이 매우 낮음을 관찰하였다. 이는 유기용매와 PEDOT의 상대이온인 p-toluenesulfonate와의 상호작용으로 인한 것으로 중합시 유기용매의 첨가에 따라 PEDOT의 도핑효율 및 구조가 변화하고 결과적으로 전기전도도가 변화하는 것을 확인하였다.

• 전기화학회지
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• 제12권2호
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• pp.189-195
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• 2009

고순도의 $\beta-Ga_{2}O_{3}$ 나노로드(nanorods)가 니켈산화물 나노입자를 촉매로 사용하고 갈륨금속분말을 원료물질로 이용하여 화학기상증착법으로 합성되었다. 전계방출형 주사전자현미경을 이용하여 $\beta-Ga_{2}O_{3}$ 나노로드를 관찰한 결과, 평균직경은 약 160 nm 그리고 평균길이는 $4{\mu}m$였으며 vaporsolid(VS) 성장기구를 통하여 성장되었음을 알 수 있었다. X-선 회절시험과 고분해능 투과전자 현미경을 이용한 결정구조 분석 결과, 합성된 나노로드의 내부는 단사정계 결정구조를 가지는 단결정의 $\beta-Ga_{2}O_{3}$로 이루어져 있고 외벽은 비정질 갈륨옥사이드로 이루어진 코어-셀 구조로 구성되어 있는 것을 확인하였다. 합성된 $\beta-Ga_{2}O_{3}$ 나노로드를 음극 활물질로 사용하여 전극을 제조하고 전기화학적 특성을 분석한 결과, 리튬/$\beta-Ga_{2}O_{3}$ 나노로드 전지는 첫 방전 시 867 mAh/g-$\beta-Ga_{2}O_{3}$의 높은 용량을 나타내었으나 초기 비가역 용량으로 인해 62%의 낮은 충 방전 효율을 나타내었다. 그러나 5 사이클 이후 높은 충 방전 효율을 보이며 30 사이클까지 안정된 사이클 특성을 나타내었다.