• 대한화장품학회지
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• 제26권1호
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• pp.41-58
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• 2000

최근 환경오염으로 인한 지구오존층의 파괴로 자외선의 지표면의 도달 량이 증가하고 그로 인한 인간에 대한 피해가 증가하고 있다 . 과도한 자외선의 피부에 대한 직접적인 노출은 피부에 많은 문제점을 야기하므로 일차적으로 자외선차단제를 이용하여 인체에 대한 직접적인 피해를 최소화 해야한다 . 현재 자외선 차단제는 유기자외선흡수제와 무기자외선산란제가 많이 사용이 되는데 적은량으로도 효과가 높은 유기자외선차단제는 사용 시 주의를 요하므로 국가별로 사용량과 사용여부에 대하여 규제를 하고 있다. 본 연구에서는 플라보노이드류 ,알카로이드류 같은 자외선 흡수 성분을 함유한 식물중 UV/vis spectrophotometer 에서 자외선 흡수 peak을 나타내는 금은화 , 포공영, 녹차 , 황금추출물을 이용하여 화장품의 자외선 흡수제로서의 사용가능성여부를 조사하였다. 또한 식물추출물이 가진 자극성 성분과 오염성, 그들이 가진 유효성분들을 보호하고자 실리콘을 이용한 겔화를 시도하였다 . 자연친화적인 천연물로써 식물추출성분을 이용 유기자외선흡수제의 사용량을 줄이는 자외선홉수보조제로서 가능성을 보여주었다.

• Current Photovoltaic Research
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• 제11권3호
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• pp.67-74
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• 2023

The earth-abundant element-based Cu₂ZnSn(S,Se)₄ (CZTSSe) thin film solar cells (TFSCs) have attracted greater attention in the photovoltaic (PV) community due to their rapid development in device power conversion efficiency (PCE) >13%. In the present work, we demonstrated the fine-tuning of the bandgap in the CZTSSe TFSCs by altering the sulfur (S) to the selenium (Se) chalcogenide ratio. To achieve this, the CZTSSe absorber layers are fabricated with different S/(S+Se) ratios from 0.02 to 0.08 of their weight percentage. Further compositional, morphological, and optoelectronic properties are studied using various characterization techniques. It is observed that the change in the S/(S+Se) ratios has minimal impact on the overall Cu/(Zn+Sn) composition ratio. In contrast, the S and Se content within the CZTSSe absorber layer gets altered with a change in the S/(S+Se) ratio. It also influences the overall absorber quality and gets worse at higher S/(S+Se). Furthermore, the device performance evaluated for similar CZTSSe TFSCs showed a linear increase and decrease in the open circuit voltage (V_oc) and short circuit current density (J_sc) of the device with an increasing S/(S+Se) ratio. The external quantum efficiency (EQE) measured also exhibited a linear blue shift in absorption edge, increasing the bandgap from 1.056 eV to 1.228 eV, respectively.

• Composites Research
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• 제23권2호
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• pp.17-23
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• 2010

스텔스 기술은 적진에서 항공기나 함정의 생존 가능성을 향상시키고 임무 수행 능력을 향상 시킬 수 있다. 본 논문의 목적은 섬유강화 복합재료를 이용하여 하중지지가 가능한 곡면부 형상을 갖는 저피탐지 구조를 제안하고 군사적 활용을 위한 전방위 스텔스 플랫폼의 개발 가능성을 보여주는 것이다. 본 연구에서는 곡면을 갖는 물체의 레이더 반사면적을 줄이기 위해서 기존의 circuit analog 흡수체에 기반을 둔 전자파 흡수구조를 개발하였다. 먼저 상용 3차원 전자기장 해석 프로그램을 이용하여 사각 주기격자 패턴의 전도성 고분자 층을 갖는 전자파 흡수구조를 설계하고 성능을 해석하였다. 다음으로 섬유강화 복합재료와 전도성 고분자 재료를 이용하여 설계된 반원통형 전자파 흡수구조를 제작하였다. 저항성 시트로 작용하는 주기격자 패턴층을 제작하기 위해서 PEDOT를 기반으로 하여 폴리우레탄을 바인더로 갖는 전도성 고분자 페이스트를 사용하였다. 마지막으로 제작된 RAS의 전자파 흡수 성능을 평가하기 위해 POSTECH의 compact range 장비를 이용하여 레이더 반사면적을 측정하였다.

• Current Photovoltaic Research
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• 제2권3호
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• pp.88-94
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• 2014

The structural, optical and electrical properties of sputter-deposited CIGS films were directly influenced by the sputtering process parameters such as substrate temperature, working pressure, RF power and distance between target and substrate. CIGS thin films deposited by using a quaternary target revealed to be Se deficient due to Se low vapor pressure. This Se deficiency affected the overall stoichiometry of the films, causing the films to be Cu-rich. Current tends to pass through the Cu-Se channels which act as the shunting path increasing the film conductivity. The crystal structure of CIGS thin films depends on the substrate orientation due to the influence of surface morphology, grain size and stress of Mo substrate. The excess of Cu was removed from the CIGS films by KCN treatment, achieving a suitable Cu concentration (referred as Cu-poor) for the fabrication of solar cell. Due to high Cu concentrations on the CIGS film surface induced by Cu-Se phases after CIGS film deposition, KCN treatment proved to be necessary for the fabrication of high efficiency solar cells. Also during KCN treatment, dislocation density and lattice parameter decreased as excess Cu was removed, resulting in increase of bandgap and the decrease of conductivity of CIGS films. It was revealed that Cu-Se secondary phase could be removed by KCN wet etching of CIGS films, allowing the fabrication of high efficiency absorber layer.

• 한국광학회지
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• 제11권5호
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• pp.360-364
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• 2000

반도체 포화 흡수거울 (Semiconductor Saturable Absorber Mirror:SESAM)을 이용하여 Cr:LiSAF 레이저를 제작하고 이를 모드록킹 시켰다. 펌핑 레이저는 파장이 667 nm이고, 출력이 500mW인 두 대의 고출력 레이저(Coherent S-67-500C-100-H)가 사용되었으며, 레이저 결정은 Brewster-Brewster 모양인 $Cr^{+3}$의 농도가 1.5%이고 길이가 6mm인 것을 사용하였다. 공진기는 X-형 구조로, 곡률반경이 10cmdls 오목거울과, 군속도 보상을 위한 SF10 프리즘, 투과율이 1%의 출력거울을 사용하였다. 포화흡수체로 사용되는 SESAM의 구조는 맨위층에 10nm의 $AlAs/Al_{0.15}Ga_{0.85}As$ 양자우물과 30쌍의 $AlAs/Al_{0.15}Ga_{0.85}As/GaAs/Al_{0.15}Ga_{0.85}As$반사경으로 구성되어 있다. 펌핑 레이저의 출력이 800mWdlfEo 레이저 출력은 3mW였고, 중심파장은 833nm이었으며 스펙트럼 대역폭은 4nm, 레이저 펄스폭은 220fs 였다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제24권2호
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• pp.37-41
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• 2017

$Cu_2O$는 초저가 태양전지의 흡수층으로 적용될 수 있는 물질 중 하나로 direct band gap($E_g={\sim}2.1eV$)을 갖고 있으며 최대 650 nm 파장의 빛을 흡수 할 수 있는 높은 흡수율을 가지고 있다. 또한 무독성, 풍부한 매장량으로 낮은 비용 등의 여러 장점을 가지며 간단하고 저렴한 방법으로 대량으로 제작이 가능하다. 본 연구에서 Au가 증착된 $SiO_2/Si$ 기판 위에 전착법을 통해 $Cu_2O$ 박막을 제작하였다. 우리는 용액의 pH와 작업전극에 인가되는 전위, 용액의 온도와 같은 공정조건을 바꾸어주었고 최종적으로 XRD와 SEM 사진 분석을 통해 박막의 특성을 확인하였다.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 한국신재생에너지학회 2010년도 춘계학술대회 초록집
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• pp.85.2-85.2
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• 2010

$Cu_2ZnSnSe_4$ (CZTSe) is one of candidate to alternate $Cu(In,Ga)Se_2$ as solar absorber material for solar cell. The expensive elements of In and Ga are replaced by Zn and Sn, respectively to lower the material cost. In this study we fabricated CZTSe thin film by selenization of single precursor layer consisted metallic constituent. Precursor compositions ratio were selected to have Cu-poor and Zn-rich content and prepared by RF magnetron sputtering. Thermal processing was applied to introduce selenium into as-deposited films at temperatures ranging from 350 to 500 for time up to 120 minutes. Single precursor films showed amorphous structure and consist of individual elements of Cu, Zn, and Sn. It was confirmed by XRD analysis that synthesis of CZTSe compound is occurred from lower temperature process, although concurrently additional phases such as binary cooper selenides are also existed. The quality of CZTSe crystal was improved as temperature increased. We also investigated the optical and electrical properties of as-selenized CZTSe as well.

• Journal of the Korean Physical Society
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• 제73권11호
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• pp.1794-1798
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• 2018

We have grown famatinite $Cu_3SbS_4$ films by using sulfurization of Cu/Sb stack film. Sulfurization at $500^{\circ}C$ produced famatinite $Cu_3SbS_4$ phase, while $400^{\circ}C$ and $450^{\circ}C$ sulfurization exhibited unreacted and mixed phases. The fabricated $Cu_3SbS_4$ film showed S-deficiency, and secondary phase of $Cu_{12}Sb_4S_{13}$. The secondary phase was confirmed by X-ray diffraction, Raman spectroscopy, photoluminescence and external quantum efficiency measurements. We have also fabricated solar cell in substrate type structure, ITO/ZnO/(Zn,Sn)O/$Cu_3SbS_4$/Mo/glass, where $Cu_3SbS_4$ was used as a absorber layer and (Zn,Sn)O was employed as a Cd-free buffer. Our best cell showed power conversion efficiency of 0.198%. Characterization results of $Cu_3SbS_4$ absorber indicates deep defect (due to S-deficiency) and low shunt resistance (due to $Cu_{12}Sb_4S_{13}$ phase). Thus in order to improve the cell efficiency, it is required to grow high quality $Cu_3SbS_4$ film with no S-deficiency and no secondary phase.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제43회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.85-85
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• 2012

For effective light harvesting, a design weighting should be implemented in a front geometry, in which the incident light transmits from a surface into a light-active layer. We designed a three-dimensionally patterned transparent conductor layer for effective light management. A transparent conductive oxide (TCO) film was formed as three-dimensional structures. This efficiently drives the incident light at the front surface into a Si absorber to yield a reduction in reflection and an enhancement of current. This indicates that an optimum architecture for a front TCO surface will provide an effective way for light management in solar cells.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.305.2-305.2
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• 2016

Tin monosulfide (SnS) is one promising candidate absorber material which replace the current technology based on cadmium telluride (CdTe) and copper indium gallium sulfide selenide (CIGS) for its suitable optical band gap, high absorption coefficient, earth-abundant, non-toxic and cost-effective. During past years work, thin film solar cells based on SnS films had been improved to 4.36% certified efficiency. In this study, Tin monosul fide was obtained by atomic layer deposition (ALD) using the reaction of Tetrakis (dimethylamino) tin (TDMASn, [(CH3)2N]4Sn) and hydrogen sulfide (H2S) at low temperatures (100 to 200 oC). The direct optical band gap and strong optical absorption of SnS films were observed throughout the Ultraviolet visible spectroscopy (UV VIS), and the properties of SnS films were analyzed by sanning Electron Microscope (SEM) and X-Ray Diffraction (XRD).