Temperature dependency of resistivity of the carbon black-polyethylene composites below and above percolation threshold is studied based on the electrical conduction mechanism. Temperature coefficient of resistance of the composites below percolation threshold changed from minus to plus, increasing volume fraction of carbon black; this trend decreased with increasing volume fraction of carbon black. The temperature dependence of resistivity of the composites below percolation threshold can be explained with a tunneling conduction model by incorporating the effect of thermal expansion of the composites into a tunneling gap. Temperature coefficient of resistance of the composites above percolation threshold was positive and its absolute value increased with increasing volume fraction of carbon black. By assuming that the electrical conduction through percolating paths is a thermally activated process and by incorporating the effect of thermal expansion into the volume fraction of carbon black, the temperature dependency of the resistivity above percolation threshold has been well explained without violating the universal law of conductivity. The apparent activation energy is estimated to be 0.14 eV.
To study the photon statistics, the total counts probability was measured for the two different optical source : below-threshold with Bose-Einstein distribution, and above-threshold laser with Poisson distribution.
문턱 전류에서 여러 가지 kL과 양 단면 반사율 조합에 대하여 IC DFB 레이저의 파워 추출 효율과 발진 파장 분포를 구하였고 문턱 전류 이상에서의 결과와 비교하였다 양 단면 반사율의 비대칭성이 커질수록 파워 추출 효율이 큼을 알 수 있었다. 문턱 전류 이상에서 파워 추출 효율은 문턱 전류에 비하여 약간 증가하였다. kL이 커질수록 중앙 부분의 광자 밀도가 상대적으로 증가되기 때문에 파워 추출 효율은 감소하였다. 양 단면 반사율 조합의 비대칭성이 증가할수록 모드 degeneracy가 완화되어 발진 파장의 분포는 금지 대역 내에 전체적으로 고르게 분포하였다. 양 단면 반사율 조합이 AR-HR인 경우 문턱 전류와 문턱 전류 이상에서 발진 파장의 분포는 비슷한 형태를 나타냈다. 반면에 양 단면 반사율 조합이 대칭인 AR-AR인 경우 문턱 전류에서의 발진 파장의 분포는 장파장 모드와 단파장 모드 근처에 존재하였으나 문턱 전류 이상에서는 SHB 현상으로 인하여 장파장 모드에 집중적으로 분포하였다. kL이 증가할수록 금지 대역의 폭이 넓어져 발진 파장의 분포도 넓은 영역에 분포함을 알 수 있었다. AR 단면의 반사율에 따른 파워 추출 효율의 변화와 발진 파장의 분포의 변화는 매우 작았다.
주입전류가 문턱전류 이상일 때 선폭증가계수, 구속계수, 내부손실과 레이저의 길이가 λ/4 위상천이 DFB레이저의 단일모드 이득차와 발진주파수의 변화에 미치는 영향에 대하여 체계적으로 연구하였다. 구속계수나 선폭증가계수와 구속계수의 곱으로 주어지는 변수보다 선폭증가계수가 단일모드 이득차 및 발진주파수에 미치는 영향이 크다. 내부손실이나 레이저 길이 각각의 값보다 내부손실과 레이저 길이의 곱으로 정의되는 정규화된 내부손실이 DFB 레이저의 단일모드 이득차 및 발진주파수의 변화에 미치는 영향이 크다. 정규화된 내부손실이 같은 경우에는 내부손실계수보다 레이저의 길이가 동작특성에 미치는 영향이 큼을 알 수 있었다. 또한 양자우물 레이저가 builk 레이저에 비하여 선폭증가계수가 작기 때문에 구속계수와 정규화된 내부손실 값의 변화에 따른 단일모드 이득차의 감소와 발진주파수의 변화가 작음을 보았다.
The electrical property of polymer matrix composites with added carbon powder is studied based on the temperature dependency of the conduction mechanism. The temperature coefficient of the resistance of the polymer matrix composites below the percolation threshold (x) changed from negative to positive at 0.20 < x < 0.21; this trend decreased with increasing of the percolation threshold. The temperature dependence of the electrical property(resistivity) of the polymer matrix composites below the percolation threshold can be explained by using a tunneling conduction model that incorporates the effect of the thermal expansion of the polymer matrix composites into the tunneling gap. The temperature coefficient of the resistance of the polymer matrix composites above the percolation threshold has a positive value; its absolute value increased with increasing volume fraction of carbon powder. By assuming that the electrical conduction through the percolating paths is a thermally activated process and by incorporating the effect of thermal expansion into the volume fraction of the carbon power, the temperature dependency of the resistivity above the percolation threshold can be well explained without violating the universal law of conductivity.
Purpose: The study aims to analyze effects of wage on FDI inflows based on the threshold of institutional quality in 14 developing economies of Southeast and South Asia over the period from 2000-2017. Research design, data, and methodology: The study applies a fixed effect panel threshold regression. As a proxy for the institutional quality, it uses the six components of Worldwide Governance Indicators or a compound index obtained by an average of the six components. The data were taken from World Bank, the Chinn & Ito Database, and UNCTAD. To the best of our knowledge, no researches so far have considered the threshold of institutional quality in estimating the effect of wage on FDI inflows. Results: The composite index and each component of the six indicators of institutional quality except for voice and accountability, and regulatory quality are found to have nonlinear effects on FDI inflows. When the institutional quality is below the threshold, wage affects FDI inflows negatively. When the institutional quality is above the threshold, however, wage does not significantly affect FDI inflows. Conclusions: The effect of wage on FDI inflows varies depending on whether the institutional quality of the target countries is above or below the threshold.
Purpose: This study extends previous empirical work on the threshold effects of institutions on the relationship between infrastructure and economic growth. It does so by using three sub-indices of institutions as the threshold variable in place of aggregate index. This is with a view to determining the roles of the sub-indices in the nexus between infrastructure and economic growth. Research design, data and methodology: The analysis is based on a dynamic panel threshold regression model using a panel data set comprising 41 countries in Sub-Saharan Africa over the sample period of 1996-2015. Data are obtained from Ogbaro (2019). Results: The study finds that infrastructure exerts significant positive effects on economic growth below and above the threshold values of the three sub-indices, with higher effects above the threshold values. Results also show that on average, the Sub-Saharan African countries are not able to satisfy any of the threshold conditions, which accounts for their poor growth experience. Conclusion: The study concludes that countries with weak institutions do not benefit maximally from infrastructure development policies. The paper, therefore, recommends that countries in Sub-Saharan Africa need to focus on improving their institutional patterns if they are to reap the optimum benefits from their infrastructure development efforts.
Purpose: This study estimates the threshold values of institutional quality through investigating the non-linear effect of six sub-indices of Worldwide Governance Indicators on FDI inflows in 34 developing countries in Asia and Eastern Europe over the period from 2000-2017. Research Design, data and methodology: GMM EGLS is employed which does not include the lagged value of the dependent variable as an independent variable. As a proxy for the institutional quality, either one of the six sub-indices of WGI from World Bank or the composite index obtained through a principal component analysis is used in a separate model. Results: An improvement in institutional quality, when the quality stays below a certain threshold level, does not increase FDI inflows, and only when the quality is above the threshold, it can positively influence FDI inflows. The threshold values of political stability and absence of violence, government effectiveness, and rule of law are relatively higher than those of the other dimensions of WGI. Conclusion: Institutional quality of the developing economies of Asia and Eastern Europe has a non-linear effect on FDI inflows. The target countries need to upgrade their institutional quality above the threshold in order to attract more FDIs.
Index-coupled(IC) DFB 레이저에서 여러 가지 kL과 양 단면 반사율 조합에 대하여 문턱 전류 이상에서 주입 전류에 따른 단일 모드 수율을 구하였고 그 결과를 문턱 전류에서 f number에 따른 단일 모드 수율과의 관련성에 대하여 검토하였다. 그결과 문턱 전류 이상에서 단일 모드 수율과 문턱 전류에서 f number에 따른 단일 모드 수율과의 관련성이 매우 적음을 알수 있었다. 문턱 전류 이상에서 kL이 0.8과 1.25인 경우가 kL이 2와 3인 경우에 비하여 SHB 현상이 작아 단일 모드 수율이 큼을 알 수 있었다 또한 양 단면 반사율 조합이 AR-HR과 AR-CL에 대하여 AR 단면의 반사율이 단일 모드 수율에 미치는 영향에 대하여 살펴보았다. 양 단면 반사율 조합이 AR-HR인 경우 AR단면의 반사율이 작을수록 단일 모드 수율은 크게 나타났다. 반면에 AR-CL의 경우 최대의 단일 모드 수율을 나타내는 최적의 AR단면의 반사율이 존재하였다. 본 논문에서 수행한 IC DFB 레이저의 단일 모드 수율 계산에서는 kL이 0.8이고 양 단면 반사율 조합이 AR(1%)-HR인 경우가 문턱전류 이상에서 단일 모드 수율이 가장 컸다.
Journal of information and communication convergence engineering
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제8권1호
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pp.107-111
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2010
This paper has presented the dependence of the threshold voltage on back gate bias and drain voltage for FinFET. The FinFET has three gates such as the front gate, side and back gate. Threshold voltage is defined as the front gate bias when drain current is 1 micro ampere as the onset of the turn-on condition. In this paper threshold voltage is investigated into the analytical potential model derived from three dimensional Poisson's equation with the variation of the back gate bias and drain voltage. The threshold voltage of a transistor is one of the key parameters in the design of CMOS circuits. The threshold voltage, which described the degree of short channel effects, has been extensively investigated. As known from the down scaling rules, the threshold voltage has been presented in the case that drain voltage is the 1.0V above, which is set as the maximum supply voltage, and the drain induced barrier lowing(DIBL), drain bias dependent threshold voltage, is obtained using this model.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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