• 제목/요약/키워드: a-C:H:F

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COMMON FIXED POINT RESULTS VIA F-CONTRACTION ON C* -ALGEBRA VALUED METRIC SPACES

  • Shivani Kukreti;Gopi Prasad;Ramesh Chandra Dimri
    • Korean Journal of Mathematics
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    • 제31권4호
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    • pp.391-403
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    • 2023
  • In this work, we establish common fixed point results by utilizing a variant of F-contraction in the framework of C*-algebra valued metric spaces. We utilize E.A. and C.L.R. property possessed by the mappings to prove common fixed point results in the same metric settings. To validate the applicability of these common fixed point results, we provide illustrative examples too.

C_{28}H_{41}N_4O_4Br\;{\cdot}\;2H_2O$의 결정구조 ([ $C_{28}H_{41}N_4O_4Br\;{\cdot}\;2H_2O$ ])

  • 김문집;이정아;조경진;최기영
    • 한국결정학회지
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    • 제15권2호
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    • pp.93-98
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    • 2004
  • X-선 회절법을 이용하여 C_{28}H_{41}N_4O_4Br\;{\cdo}t\;2H_2O$의 분자 및 결정구조를 해석하였다. 이 결정의 결정계는 Triclinic이고 공간군은 Pl이며, 단위포 상수 a=9.000(1) $\AA$, b=9.312(3) $\AA$, c=9.344(2) $\AA$, $\alpha=89.37(20)^{\circ},\;\beta=68.81(3)^{\circ},\;\gamma=84.70(4)^{\circ},\;V=726.7(8){\AA},\;T=298K,\;Z=1,\;D_c=1.402Mgm^{-3}$이다. 회절반점들의 세기는 Enraf-Nonius CAD4 Diffractometer로 얻었으며 사용한 X-선은 graphite로 단색화한 $MoK{\alpha}$$(\lambda=0.71073\;{\AA}$을 사용하였다. 분자구조는 Direct method로 풀었으며, $F_o>4{\sigma}(F_0)$인 2521개의 독립 회절 데이터에 대하여 최소 자승법으로 370개의 변수를 정밀화하여 최종 신뢰도 값 $R=5.95\%$를 얻었다.

$C_{16}H_{19}O_2N_3CuCl_2\;{\cdot}\;H_2O$의 결정 구조 ([ $C_{16}H_{19}O_2N_3CuCl_2\;{\cdot}\;H_2O$ ])

  • 김문집;김영수;최기영
    • 한국결정학회지
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    • 제15권2호
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    • pp.99-103
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    • 2004
  • X-선 회절법을 이용하여 $C_{16}H_{19}O_2N_3CuCl_2\;{\cdot}\;H_2O$의 분자 및 결정구조를 해석하였다. 이 결정의 결정계는 Triclinic이고 공간군은 Pl이며, 단위포 상수는 $a=7.6202(9)\;{\AA},\;b=8.5943(7){\AA},\;c= 8.6272(6){\AA},\;\alpha=67.518(6)^{\circ},\; \beta= 68.043(8)^{\circ},\;\gamma=74.370(8)^{\circ},\;V=478.89(8)\;{\AA}^3,\;T=295K,\; Z=1,\;D_c=1.504Mgm^{-3}$이다. 회절반점들의 세기는 Enraf-Nonius CAD-4 Diffractometer로 얻었으며 graphite로. 단색화한 $MoK{\alpha}$,$(\alpha=0.7107\;\AA)$을 사용하였다. 분자구조는 Direct method로 풀었으며, $F_0>4\sigma(F_0)$인 1659개의 독립회절데이터에 대하여 최소 자승법으로 234개의 변수를 정밀화하여 최종 신뢰도 값 $R=2.47\%$를 얻었다.

자장강화된 유도결합형 플라즈마를 이용한 산화막 식각에 대한 연구 (A study on the oxide etching using multi-dipole type magnetically enhanced inductively coupled plasmas)

  • 안경준;김현수;우형철;유지범;염근영
    • 한국진공학회지
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    • 제7권4호
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    • pp.403-409
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    • 1998
  • 본 연구에서는 자장강화된 유도결합형 플라즈마를 사용하여 이 플라즈마의 특성을 조사하고 또한 산화막 식각에 미치는 영향에 대하여 조사하였다. 자장 강화를 위해 4쌍의 영구자석이 사용되었고, 산화막 식각을 위해 $C_2F_6, CHF_3, C_4F_8$ 가스 및 이들 혼합가스가 사 용되었으며 첨가가스로 $H_2$를 사용하였다. 자장강화된 유도결합형 플라즈마 특성 분석을 위 해 Langmuir probe와 optical emission spectrometer를 이용하여 산화막 식각 속도 및 photoresist에 대한 식각 선택비를 stylus profilometer를 이용하여 측정하였다. 이온 밀도에 있어서 자장 유무에 따른 큰 변화는 관찰되지 않았으나 이온전류밀도의 균일도는 자장을 가 한 경우 웨이퍼가 놓이는 기판 부분에서 상당히 증가된 것을 알 수 있었다. 또한 자장이 가 해진 경우, 자장을 가하지 않은 경우에 비해 플라즈마 전위가 감소된 반면 전자온도 및 라 디칼 밀도는 크게 증가되는 것을 알 수 있었으며 산화막 식각시에도 높은 식각 속도와 식각 균일도를 보였다. 산화막 식각을 위해 수소가스를 사용한 가스조합중에서 C4F8/H2가스조합 이 가장 우수한 식각 속도 및 photoresist에 대한 식각 선택비를 나타내었으며 공정변수를 최적화 함으로써 순수 C4F8에서 4이상의 선택비와 함께 8000$\AA$/min의 가장 높은 식각속도 를 얻을 수 있었으며, 50%C4F8/50%H2에서 4000$\AA$/min의 산화막 식각 속도와 함께 15이상 의 식각 선택비를 얻을 수 있었다.

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비자성 불순물을 갖는 $CuF_{2}.2H_{2}O$의 수소 핵자기완화 연구 ($^{1}H$ Nuclear Magnetic Relaxation in Impure $CuF_{2}.2H_{2}O$)

  • C. H. Lee;C. E. Lee;S. J. Noh
    • 한국자기학회지
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    • 제5권5호
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    • pp.854-857
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    • 1995
  • 비자성 분순물을 갖는 $CuF_{2}.2H_{2}O$의 수소 핵자기공명을 77-295 K의 온도범위에서 수행하였다. 그 결과 수소의 스핀-격자 완화율을 지배하는 메카니즘이 구리 전자 스핀의 재주넘기(filp)와 전자-포논 상호작용(Raman process)의 변조에 의한 것임을 알 수 있었다. 또한 전자 스핀 재주넘기에 대한 교환에너지 $1.8(\pm0.04)$ K를 구할 수 있었다.

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Bis(p-substituted phenyl) 2-decyloxyterephthalate의 액정 특성에 대한 치환기 효과 (The Effect of Substituents on LC Behavior of Bis(p-substituted phenyl) 2-Decyloxyterephthalate)

  • 박주훈;이종규;최옥병;소봉근;이수민;이준우;진정일
    • 대한화학회지
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    • 제44권2호
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    • pp.127-137
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    • 2000
  • 비스(파라-치환페닐)테레프탈산 에스테르의 중앙 테레프탈산 벤젠고리 측면에 데실옥시기가 결합하고 있는 열한개의 새로운 화합물을 합성하였고, 이들의 열적 및 액정 성질을 DSC와 가열판이 부착된 편광현미경을 사용하여 조사하였다. 메소겐의 말단 치환기 X= -H(II-H), -F(II-F), -Cl(Il-Cl), -Br(Il-Br), -I(II-I), -$NO_2(lI-NO_2$), $-CF_3(II-CF_3$), -$OC_2H_5(II-OC_2H_5$), -$OC_4H_9(II-OC_4H_9$), -CN(II-CN) 및 -$C_6H_5(Il-C_6H_5$)로 바꾸었다. $II-OC_2H_5,\;II-OC_4H_9$, 및 $II-C_6H_5$는 단방성 네마틱 액정이었으며, II-H, lI-F, II-Cl, Il-Br, II-I, $II-NO_2$, $II-CF_3$, 및 Il-CN은 액정이 아니었다.

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케이신의 유전적 변이체에 대한 최근 연구동향과 웹 사이트의 이용 (Current Research Trend of Genetic Variants of Bovine Casein and Application of The Web Site)

  • 전우민
    • Journal of Dairy Science and Biotechnology
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    • 제25권2호
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    • pp.11-16
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    • 2007
  • The nomenclature of genetic variants of casein which is major protein in milk have had a lot of confusion, but now have established. Genetic variants of ${\alpha}_{s1}-CN,\;{\alpha}_{s2}-CN,\;{\beta}-CN,\;{\kappa}-CN$ have reported 8 variants(A, B, C, D, E, F, G, H), 4 variants(A, B, C, D), 13 variants ($A_1,\;A_2,\;A_3,\;A_4$, B, C, D, E, F, G, $H_1,\;H_2$, I), 11 variants(A, B, C, E, $F_1,\;F_2,\;G_1,\;G_2$, H, I, J), respectively. Their data detailed have introduced in several web sites including www.uniprot.org. The studies on genetic variants of casein from Korean native cattle have been reported only ${\beta}-casein\;A_4$ but still not established the protein sequence. The classification and distinct nomenclature of genetic variants of bovine casein were required because the development of milk science and technology have been focused in the region that have to studied biochemically such as functional foods, EMC and GMO et al.

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B.B.D.를 이용한 콤필터 뱅크회로에 관한 연구 (A Study on a Comb Filter Bank Circuit using B.B.D.)

  • 이광형
    • 한국통신학회논문지
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    • 제7권4호
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    • pp.156-160
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    • 1982
  • A Comb Filter(C.F.) is constucted with a N-stages one-dimensional B.B.D.(Bucket-Brigade Device) delay line. One channel of the B.P.F. (Band Pass Filter) Bank is experimented, which includes a R.F.(Recursie Filter) using S/H circuits cascaded to the C.F. This algorithm of the C.F.B.(Comb Filter Bank) becomes the parallel spectrum analyzer circuit. The algorithm has less number of multiplication than that of FFT and improves the SNR.

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Core Loss Analysis of Non-oriented Electrical Steel Under Magnetic Induction Including Higher Harmonics

  • Cho, Chuhyun;Son, Derac;Cho, Youk
    • Journal of Magnetics
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    • 제6권2호
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    • pp.66-69
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    • 2001
  • The actual magnetic induction waveform of cores in electrical machines is not sinusoidal i.e. higher harmonics are always included. Thus the core loss in actual electrical machines is different from the core loss which is measured by the standard method, because the waveform of magnetic induction should be sinusoidal in the standard testing method. Core loss analysis under higher harmonic induction is always important in electric machine design. In this works we measured the core loss when a hysteresis loop has only one period of an ac minor loop of higher harmonic frequency, depending on the position of the ac minor loop of relative to the fundamental harmonic frequency. From this experiment, the core loss P(B/sub 0/f/sub 0/, B/sub h/, nf/sub 0/)) under a higher harmonic magnetic induction B/sub h/ could be expressed by the linear combination the core loss at fundamental harmonic frequency P/sub c/(B/sub 0/, f/sub 0/), the core loss of ac minor loop at zero induction region of the major hysteresis loop P/sub cL/ (B/sub h/, nf/sub 0/), and the core loss of an ac minor loop in the high induction region of the major hysteresis loop P/sub cH/ (B/sub h/, nf/sub 0/) i.e., P/sub c/, (B/sub 0/, f/sub 0/, B/sub h/, nf/sub 0/)=P/sub c/ (B/sub 0/, f/sub 0/,)+(n-1)[k₁(B/sub 0/) P/sub cL/ (B/sub h/, nf/sub 0/)+(1-k₁(B/sub 0/)) P/sub cH/ (B/sub h/, nf/sub 0/)]. This will be useful formula for electrical machine designers and one of effective methods to predict core loss including higher harmonic induction.

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Effects of $CH_{2}F_{2}$ and $H_2$ flow rates on process window for infinite etch selectivity of silicon nitride to PVD a-C in dual-frequency capacitively coupled plasmas

  • 김진성;권봉수;박영록;안정호;문학기;정창룡;허욱;박지수;이내응
    • 한국표면공학회:학술대회논문집
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    • 한국표면공학회 2009년도 춘계학술대회 논문집
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    • pp.250-251
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    • 2009
  • For the fabrication of a multilevel resist (MLR) based on a very thin amorphous carbon (a-C) layer an $Si_{3}N_{4}$ hard-mask layer, the selective etching of the $Si_{3}N_{4}$ layer using physical-vapor-deposited (PVD) a-C mask was investigated in a dual-frequency superimposed capacitively coupled plasma etcher by varying the following process parameters in $CH_{2}F_{2}/H_{2}/Ar$ plasmas : HF/LF powr ratio ($P_{HF}/P_{LF}$), and $CH_{2}F_{2}$ and $H_2$ flow rates. It was found that infinitely high etch selectivities of the $Si_{3}N_{4}$ layers to the PVD a-C on both the blanket and patterned wafers could be obtained for certain gas flow conditions. The $H_2$ and $CH_{2}F_{2}$ flow ratio was found to play a critical role in determining the process window for infinite $Si_{3}N_{4}$/PVDa-C etch selectivity, due to the change in the degree of polymerization. Etching of ArF PR/BARC/$SiO_x$/PVDa-C/$Si_{3}N_{4}$ MLR structure supported the possibility of using a very thin PVD a-C layer as an etch-mask layer for the $Si_{3}N_{4}$ layer.

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