• 한국공작기계학회:학술대회논문집
• /
• 한국공작기계학회 2002년도 춘계학술대회 논문집
• /
• pp.43-47
• /
• 2002

In this study, through the experimental results of grinding ratio, grinding force and surface roughness with the obtained wear amount of diamond wheel and ceramic material during the grinding process, the following conclusions could be found. In the case of $Si_3N_4$, the wear of diamond wheel is large while the grinding force is stable and the range of change in surface roughness is small. for the case of $AL_2O_3$ and $ZrO_3$, while the wear of diamond wheel is getting smaller, the grinding force is increasing but the value of surface roughness is decreasing. For grinding with the vitrified bond wheel, it seems that the self-sharpening can be found for $Si_3N_4$ and the glazing effect of the cutting edge for $AL_2O_3$ and $ZrO_3$.

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
• /
• 한국정밀공학회 2002년도 춘계학술대회 논문집
• /
• pp.938-942
• /
• 2002

This paper has studied to obtain the grinding characteristics and optimal grinding renditions of ceramic materials in the grinding with diamond wheel by the experimental plan method. The load on wheel by varying the feed rate was related with the surface roughness due to the minute destruction phenomenon of grains for the Si$_3$${N^4} and Zr{O_2}$. The depth of cut is related with the surface roughness because the grinding is carried out by grain shedding process due to the brittle fracture phenomenon for the ${Al_2}{O_3}$. The major factors affecting the surface roughness and the optimum grinding conditions were obtained with minimum experiments using the experimental plan method.

• 한국공작기계학회논문집
• /
• 제13권1호
• /
• pp.16-21
• /
• 2004

In order to investigate the characteristics of diamond wheel grinding of ceramic materials, grinding resistance, surface roughness of ground surface and image of grinding wheel were acquired using experimental method. Through the experiments, this makes it possible to observe grinding wheel behavior by grinding resistance, surface roughness and cutting edge ratio. In case of $Al_2O_3$, cutting edge ratio is bigger than that of $ZrO_2$ and $Si_3N_4$. That's because $Al_2O_3$ has a characteristic of low fracture toughness and bending stress.

• 한국공작기계학회:학술대회논문집
• /
• 한국공작기계학회 2002년도 추계학술대회 논문집
• /
• pp.308-313
• /
• 2002

In order to investigate the characteristics of grinding and diamond wheel grinding ceramic materials, grinding resistance, surface roughness of worked surface and image of grinding wheel were acquired using experimental method. Through the experiments, this makes it possible to observe grinding wheel behavior by grinding resistance, surface roughness and cutting edge ratio. In case of A1$_2$O$_3$, cutting edge ratio is begger than that of ZrO$_2$and Si$_3$N$_4$. That's because A1$_2$O$_3$has a characteristics of low fracture toughness and bending stress.

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
• /
• 한국정밀공학회 2000년도 춘계학술대회 논문집
• /
• pp.870-873
• /
• 2000

This investigation reports the grinding characteristics of quartz. Grinding experiments were performed at various grinding conditions including wheel mesh, table speed and depth of cut. The grinding forces and specific grinding energies were measured to compare the grindability of quartz with those of structural ceramics such as A1$_2$O$_3$, SiC, Si$_3$N$_4$ and ZrO$_2$. Surface roughness was also measured with tracer and the ground surfaces were observed with SEM. The chip formation energy of quartz was about 6J/㎣, which is quite smaller than those of structural ceramics. Although plastic flows are occured in Si$_3$N$_4$ and ZrO$_2$, micro/macro cracks are occured in ground surface of quartz like in A1$_2$O$_3$ and SiC.

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 2011년도 제41회 하계 정기 학술대회 초록집
• /
• pp.288-288
• /
• 2011

최근 Charge Trap Flash (CTF) Non-Volatile Memory (NVM) 소자가 30 nm node 이하로 보고 되면서, 고집적화 플래시 메모리 소자로 각광 받고 있다. 기존의 CTF NVM 소자의 tunnel layer로 쓰이는 SiO2는 성장의 용이성과 Si 기판과의 계면특성, 낮은 누설전류와 같은 장점을 지니고 있다. 하지만 단일층의 SiO2를 tunnel layer로 사용하는 기존의 Non-Valatile Memory (NVM)는 두께가 5 nm 이하에서 direct tunneling과 Stress Induced Leakage Current (SILC) 등의 효과로 인해 게이트 누설 전류가 증가하여 메모리 보존특성의 감소와 같은 신뢰성 저하에 문제점을 지니고 있다. 이를 극복하기 위한 방안으로, 최근 CTF NVM 소자의 Tunnel Barrier Engineered (TBE) 기술이 많이 접목되고 있는 상황이다. TBE 기술은 SiO2 단일층 대신에 서로 다른 유전율을 가지는 절연막을 적층시킴으로서 전계에 대한 민감도를 높여 메모리 소자의 쓰기/지우기 동작 특성과 보존특성을 동시에 개선하는 방법이다. 또한 터널링 절연막으로 유전률이 큰 High-K 물질을 이용하면 물리적인 두께를 증가시킴으로서 누설 전류를 줄이고, 단위 면적당 gate capacitance값을 늘릴 수 있어 메모리 소자의 동작 특성을 개선할 수 있다. 본 연구에서는 CTF NVM 소자의 trap layer로 쓰이는 HfO2의 두께를 5 nm, blocking layer의 역할을 하는 Al2O3의 두께를 12 nm로 하고, tunnel layer로 Si3N4막 위에 유전율과 Energy BandGap이 유사한 HfAlO와 ZrO2를 적층하여 Program/Erase Speed, Retention, Endurance를 측정을 통해 메모리 소자로서의 특성을 비교 분석하였다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국재료학회 1998년도 IUMRS-ICEM ABSTRACT BOOK
• /
• pp.129.2-129
• /
• 1998

• Macromolecular Research
• /
• 제8권5호
• /
• pp.238-242
• /
• 2000

The new trisiloxane-bridged heterometallic dinuclear metallocenes, hexamethyltrisiloxanediyl(cyclopentadienyltitanium trichloride) (cyclopentadienylindenyl zirconium dichloride) , $C_3ITi-Cp(CH_3)_2Si-O-Si(CH_3)_2-O-Si(CH_3)_2-Cp-ZrIndCI_2$ (1) and hexamethyltrisiloxanediyl (cyclopentadienylindenylhafnium dichloride) (cyclopentadienylindenyl zirconium dichloride), $C_2IndHf-Cp(CH_3)_2Si-O-Si(CH_3)_2-Cp-ZrIndCl_2$ 2) connecting two dissimilar metallocenes were synthesized and used for ethylene polymerization in the presence of modified methylaluminoxane (MMAO) cocatalyst. The catalytic activity of heterometallic dinuclear metallocenes, 1 and 2 was lower than that of corresponding mononuclear metal-locene as well as two physically mixed catalysts, $CpTiCl_2/Cp_2ZrCl_2 and Cp_2HfCl_2/Cp_2ZrCl_2$. On the tither hand, MWD of PE obtained with 1 and 2 was remarkably broader ($M_w/M_n$) became up to 9.4) than those of PEs prepared with the corresponding mononuclear metallocenes and mixed catalysts. With analysis by GPC and CFC, it was found that PE produced by the heterometallic dinuclear metallocenes exhibited the definite bimodal GPC curves that should cause the broadening of MWD.

• 한국세라믹학회지
• /
• 제30권4호
• /
• pp.332-338
• /
• 1993

TiN/Ti is the best buffer layer between PZT thin film and si substrate among the Ti, TiN, ZrN, TiN/Ti, ZrN/Ti. The amorphous PZT films deposited on TiN/Ti buffer layer directly transform into perovskite phase when rapid thermal annealed for 30sec above 55$0^{\circ}C$. As Rapid Thermal Annealing(RTA) temperature increased, the remanent polarization(Pr) and dielectric constant($\varepsilon$r) increased and then showed Pr=21 $\varepsilon$r=593 when rapid thermal annealed 80$0^{\circ}C$ for 30sec. On the contrary the leakage current increased with increasing RTA temperature due to the formation of void made by Pb evaporationand grain cohesion.

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 2015년도 제49회 하계 정기학술대회 초록집
• /
• pp.176.2-176.2
• /
• 2015

기존의 트라이볼로지 분석 기법은 macro 영역에서 시료의 강도 및 탄성 등의 물성을 분석하는 정도였으나 Nano-Indenter 분석 기법은 macro 영역보다 더 미세한 nano 영역에서의 시료 물성 분석을 가능하게 해주었다. 따라서 본 연구에서는 시료들의 결정 배양 방향에 따른 Nano-Indenter 압입 각도 차이에 대한 nano 영역에서의 연구를 진행하였다. Si 기판 외에 본 연구에 사용 된 HfN 및 Zr 박막의 시료들은 rf magnetron sputter를 이용하여 약 100 nm 두께로 증착하였다. 각각 시료들에 대한 결정성 확인을 위해 XRD 분석을 실시하였다. 이후 Nano-Indenter를 이용하여 압입 인가력 대비 압입 깊이를 측정하였다. 이 과정에서 Nano-Indenter 압입 각도를 $0^{\circ}$와 $90^{\circ}$로 변화함에 따라 압입 인가력 - 압입 깊이 그래프의 차이를 확인하였고 이를 기준점으로 부터 $10{\mu}m$ 이격시켜 16회 반복 측정과 Weilbull distribution을 통해 신뢰도를 향상시켰다. 측정 결과 Zirconium(Zr) 박막의 경우 21.53 GPa과 22.18 GPa 측정되었으나 Si 기판은 17.46 GPa 16.33 GPa으로, 그리고 HfN 박막의 경우 25.18 GPa과 27.75 GPa으로 상대적으로 큰 차이를 확인하였다. Si 기판과 HfN의 측정결과 Weibull distribution는 75.02와 70.23인 반면 Zr 박막은 30.94로 상대적으로 불균일한 특성을 확인하였다. 이 결과들로부터 각각의 박막 결정 배양 방향에 따른 분석의 한가지 방법으로 Nano-Indenter 분석 기법을 사용할 수 있는 가능성을 확인하였다.