• 제목/요약/키워드: Zr-Nb-O

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희석 파라미터법에 의한 주석슬랙중 Ta$_2O_5,\;Nb_2O_5,\;SnO_2$ 및 ZrO$_2$의 X-선형광분석에 관한 연구 (A Study on X-Ray Fluorescence Analysis of Ta$_2O_5,\;Nb_2O_5,\;SnO_2$ and ZrO$_2$ in Tin-slag Samples)

  • 김영상
    • 대한화학회지
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    • 제29권3호
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    • pp.265-270
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    • 1985

  • 희석 파라미터법을 이용한 X-선 형광분광법으로 주석슬랙중 Ta$_2$O$_5$, Nb$_2$O$_5$, SnO$_2$ 및 ZrO$_2$를 정량하였으며 그들의 분석결과를 표준검정곡선법으로 얻은 결과들과 비교하였다. 주석슬랙 시료와 주석슬랙과 비슷한 조성을 갖는 한개의 표준시료를 적당한 희석제(La$_2$O$_3$)로 1 : 1, 1 : 2, 1 : 3, 1 : 4로 각각 희석하였다. 원시료와 희석된 시료의 X-선 세기를 측정하여 희석 파라미터항이 포함된 계산식을 이용하여 함량을 계산하였다. 그 결과 분석값은 표준검정곡선법에 의한 기준값들과 잘 일치하고 있음을 확인하였다.

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Ti-29Nb-xZr합금의 양극산화처리에 의해 형성된 나노튜브표면의 부식특성 (Corrosion Characteristics of Nanotube Surface Formed on the Ti-29Nb-xZr Alloy by Anodization Treatment)

  • 정용훈;최한철;고영무
    • 한국표면공학회:학술대회논문집
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    • 한국표면공학회 2009년도 춘계학술대회 논문집
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    • pp.164-164
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    • 2009

  • 저탄성 계수를 갖는 Ti-29Nb-x(3, 5, 7, 10, 15)Zr 합금을 제조하여 양극산화 방법을 통해 표면에 nanotube를 형성한 후 0.9% NaCl 용액에서 부식특성을 관찰하였다. 합금 표면에 형성된 안정된 $TiO_2$ nanotube가 내식성 향상에 영향을 주었음을 알 수 있었다.

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주석 슬랙중 $Ta_2O_5,\;Nb_2O_5$ 및 ZrO_2$의 단일희석법을 이용한 X-선 형광분석 (X-Ray Fluorescence Analysis of $Ta_2O_5,\;Nb_2O_5$ and ZrO_2$ in Tin-Slag Samples using Simple Dilution Method)

  • 김영상;성학제
    • 대한화학회지
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    • 제28권5호
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    • pp.293-301
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    • 1984

  • 단일 희석법을 이용한 X-선형광분광법으로 주석, 슬랙중 $Ta_2O_5$와 $Nb_2O_5$, $ZrO_2$등을 정량분석하였다. 이 방법은 표준 검정 곡선을 직선으로 되게끔 수학적으로 보정하는 것이다. 시료의 조성과 비슷한 한개의 합성표준시료와 분석시료를 무수물의 $Li_2B_4O_7$으로 묽혀서 각각 시료가 1%, 2%, 3%되게 한다. 묽힌 시료들을 $1150^{\circ}C$에서 30분간 용융하여 유리화된 구슬을 만든 다음, 곱게 갈아서, 다시 유압기로 압축하여 분석시편을 만든다. 이 시편을 사용하여 X-선 세기를 측정하고, 원소의 특성 X-선 세기에 관한 J. Scherman의 식으로부터 유도한 식에 대입하여 분석 결과를 계산했다. 이들 분석결과들을 표준검정곡선법으로 얻은 기준값과 잘 일치하며, 결과에 대한 재현성도 좋음을 보여 주었다.

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주석-슬랙중 $Ta_2O_5,\;Nb_2O_5$ 및 $ZrO_2$의 이중희석법을 이용한 X-선 분광분석 (X-Ray Spectrometric Determination of $Ta_2O_5,\;Nb_2O_5$ and $ZrO_2$in Tin-Slag Samples by Double Dilution Technique)

  • 김영상;박기채
    • 대한화학회지
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    • 제28권5호
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    • pp.302-308
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    • 1984

  • 이중희석법을 이용한 X-선 분광법으로 주석-슬랙 중 $Ta_2O_54, $Nb_2O_5$ 및 $ZrO_2$등을 정량하였다. 주석시료와 이것과 조성이 비슷한 한개의 합성표준시료를 무수 $Li_2B_4O_7$으로 희석하여 희석된 시료중 이들의 함량이 1.00%, 2.00%, 3.00% 되게 잘 혼합하였다. 혼합시료를 $1,150^{\circ}C$에서 30분간 용융하여 유리상태로 만들었다. 다시 잘 분쇄하고, 유압기를 이용하여 Pellet로 만들어 분석 시편으로 사용했다. 형광 X-선 세기를 측정하여 희석식에 대입하여 각 시료에서 분석성분의 함량을 계산하였다. 이중희석법으로 얻은 분석결과들은 대표적인 분석법인 표준검정 곡선법에 의한 값들과 혀용오차범위내에서 잘 일치하고 있다. 아울러 단일희석법에 의한 결과와도 잘 일치하고 있으며 각 분석결과에 대한 재현성도 좋음을 보여 주었다.

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소결조재 변화에 따른 0.94$(K_{0.5}Na_{0.5})NbO_3$-0.06Ba$(Zr_{0.05}Ti_{0.95})O_3$ 세라믹스의 유전 및 압전특성 (Dielectric and Piezoelectric Characteristics of 0.94$(K_{0.5}Na_{0.5})NbO_3$-0.06Ba$(Zr_{0.05}Ti_{0.95})O_3$ Ceramics System According to the variations of sintering aids)

  • 서병호;김도형;이유형;류주현
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21
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    • pp.205-205
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    • 2008

  • PZT 세라믹은 우수한 유전 및 압전특성을 갖고 있어 변압기, 센서 및 엑츄에이터 등에 널리 응용되고 있다. 그러나, 우수한 특성에도 불구하고 PZT세라믹스의 소결시 PbO의 높은 유독성 및 휘발로 인하여 환경오염을 야기 시킨다. 그러므로 PbO로 구성된 세라믹을 대체하기 위한 우수한 압전특성을 가진 비납계 세라믹스 개발이 연구의 주류를 이루고 있다. 그 중 비납계 NKN와 BZT는 대체물질로 많이 관심을 받고 있다. 이는 일반적인 NKN조성은 우수한 압전성과 높은 큐리온도를 가지고 있을 뿐만 아니라, BZT조성의 Zr성분이 큐리온도를 낮추거나 유전특성을 졸게 하여 유전율 곡선을 완화하게 하는 특징이 있다. 하지만 NKN은 $1140^{\circ}C$이상의 소결온도에서 K의 휘발특성으로 인해 소성 후에도 주변의 수분을 흡수하는 조해성이 발생하는 문제가 발생한다. 그래서 본 연구에서는 낮은 온도에서 NKN계 세라믹스의 밀도를 증가시킬 뿐만 아니라, 우수한 유전 및 압전특성을 갖는 세라믹스를 제조하고자 비납계 $0.94(K_{0.5}Na_{0.5})NbO_3-0.06Ba(Zr_{0.05}Ti_{0.95})O_3$ (NKN-BZT)의 조성을 사용하였고 소결조제로는 $MnO_2$, NiO, $Bi_2O_3$, ZnO, $Li_2CO_3$, CuO등을 변화주어 유전 및 압전 특성을 알아보았다.

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Sol-gel법에 의한 $PbZrO_3-PbTiO_3-Pb(Ni_{1/3}Nb_{2/3})O_3$박막의 물리적 특성 (Physical properties of $PbZrO_3-PbTiO_3-Pb(Ni_{1/3}Nb_{2/3})O_3$ thin films by sol-gel method)

  • 임무열;구경완;김성일;유영각
    • E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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    • 제9권10호
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    • pp.991-1000
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    • 1996

  • PbTiO$_{3}$-PbZrO$_{3}$-Pb(Ni$_{1}$3/Nb$_{2}$3/O$_{3}$) (PZT-PNN) thin films were prepared from corresponding metal organics partially stabilized with diethanolamine by the sol-gel spin coating method. Each mol ratio of PT:PZ:PNN solutions were #1(50:40:10), #2(50:30:20), #3(45:35:20), #4(40:40:20), #5(40:50:10), #6(35:45:20) and #7(30:50:20) respectively. The spin-coated PZT-PNN films were heat-treated at 350.deg. C for decomposition of residual organics, and were sintered from 450.deg. C to 750.deg. C for crystallization. The substrates, such as Pt and Pt/TiN/Ti/TiN/Si were used for the spin coating of PZT PNN films. The perovskite phase was observed in the PZT-PNN films heat-treated at 500.deg. C. The crystalline of the PZT-PNN films was optimized at the sintering of 700.deg. C. By the result of AES analysis, It is confirmed that the films of TiN/Ti/TiN was a good diffusion barrier and that co-diffusion into the each films was not observed.

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