Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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v.6
no.6
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pp.457-460
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2005
Nano-sized titanium oxide and zirconium oxide powders were synthesized by hydrolysis of titanium isopropoxide $[Ti(OC_3H7)_4]$ and zirconium tetrachloride ($ZrC1_4$) via a sol-gel technique. Lead titanate powders were prepared by mixing $TiO_2$ precursors with PbO slurry made with dilute $NH_4OH$. Lead zirconate titanate powders were, then, synthesized by mixing $PbTiO_3$ with $ZrO_2$ powders. The goal of this research was to obtain the $PbZrTiO_3(PZT)$ powders and sintering these powders at low temperature. The $PbTiO_3$ and PZT powders after firing were analyzed by X-ray diffraction(XRD) and transmission electron microscopy(TEM) was utilized to observe the shape and size of the synthesized nano-particles. In the XRD pattern, the well-crystallized PZT phase could be obtained in consequence of firing at $900^{\circ}C$. SEM micrographs also showed that grains of PZT were relatively well grown with the size of the range of $2{\~}4{\mu}m$. The densified perovskite structure of $PbZrTiO_3$ could be obtained by sintering at temperature as low as $900^{\circ}C$. Characterization of the samples showed improved piezoelectric properties.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2005.07a
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pp.365-366
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2005
PZT films are the most intensively investigated because PZT has advantages such as low processing temperature and large remnant values. In this paper, the microstructure and electric properties of $Pb(Zr_x,Ti_{(1-x)})O_3/BaTiO_3$ heterolayered thick films with Zr mole ranging from 30 to 70 % screen printed onto a alumina substrate were studied. $Pb(Zr_x,Ti_{(1-x)})O_3$ and $BaTiO_3$ powders were prepared by the sol-gel method. The $BaTiO_3$ powders were calcined at $700^{\circ}C$ for 2 hours. Structural properties of $Pb(Zr_x,Ti_{(1-x)})O_3/BaTiO_3$ multilayered thick films were investigated. As a result of the X-ray diffraction (XRD) analysis, $Pb(Zr_x,Ti_{(1-x)})O_3/BaTiO_3$ exhibited a perovskite polycrystalline phase without pyrochlore phase or any preferred orientation.
Epitaxial (La, Sr)$CoO_3/Pb(Zr,\;Ti)O_3/(La,\;Sr)CoO_3$by pulsed laser deposition for ferroelectric field effect transistor. Epitaxial $LaCoO_3/Pb(Zr,\;Ti)O_3/(La,\;Sr)CoO_3$ heterostructures exhibited 70$\mu C/cm^2$ and 17 $\mu C/cm^2$at a positively and negatively poled states, respectively. On the other hand, epitaxial (La, Sr)$CoO_3/Pb(Zr,\;Ti)O_3/LaCoO_3$heterostructures show the remnant polarization states opposite to the $LaCoO_3/Pb(Zr,\;Ti)O_3/(La,\;Sr)CoO_3$ heterostructures. This indicates that the interface between (La, Sr)$CoO_3$ (LSCO) and $Pb(Zr, Ti)O_3(PZT)$ layers affects the asymmetric polarization remanence through electrochemical nature. The resistivity of $LaCoO_3$ (LCO) layer was found to be dependent on an ambient oxygen, primarily the ambient oxygen pressure during deposition. The resistivity of the LCO layer varied in the range of 0.1-100 $\Omega$cm. It is suggested that, with an appropriate resistivity of the LCO layer, the LCO/PZT/LSCO heterostructure can be used as the ferroelectric field effect transistor.
Effects of calcination process and ZrO2 addition on the electrical properties of [(Ba0.82Sr0.08Ca0.1)O]m(Ti1-$\chi$Zr$\chi$)O2 ceramics have been investigated. With the variation of A/B-site ratio m of the dielectric formulations, sintering behavior and the resistivity after sintering in a reducing atmosphere have been affected by the calcination process. When the dielectric formulations of m=1.01 were sintered in a reducing atmosphere, the room-temperature resitivity of 109 {{{{ OMEGA }}.cm was obtained for samples processed with two-step calcination, which was much lower than 1012 {{{{ OMEGA }}.cm of samples calcined once. It was confirmed that high resistivity of Ca-doped BaTiO3 ceramics, after sintering in a reducing atmosphere, is maintained by acceptor-like behavior of CaTi" which is formed by Ca substitution to Ti-site. It was also found out that the critical amount of B-site Ca substitution for reduction inhibition of BaTiO3 is around 0.005 mol. With the increasing amount of ZrO2 addition to dielectric formulations, Curie peak was depressed and Curie temperature was lowered due to the enhanced diffuse phase transition.tion.
Dielectric hysteresis characteristics of Pb(Zr0.52Ti0.48)O3 ceramics have been investigated as a function of the amount of MnO2 addition ranged from 0.0 wt% in Pb(Zr0.52Ti0.48)O3 ceramics enhanced the dielectric strength, aging effect and remanent polarization, while reduced the coercive field. These results could be explained by the effect of Mn-Vo association due to the substitution of Mn for the (Zr, Ti) site in PZT.
Cr2O3 doped Pb(Zr0.525 Ti0.475)O3 piezoelectric ceramics were prepared from reagent grade oxide mixture, PbO, ZrO2, TiO2 and Cr2O3. Piezoelectric and aging properties of specimens were measured for various additions of Cr2O3. Generally, it has been known that aging rate decreased with Cr2O3 addition by stabilizing the domain wall. But hysteresis loops showed that the domain destabilization was occurred at high electric field (larger than 10KV/cm). In smaller additions of Cr2O3 (0-0.2mol%), aging rate increased and microcracks were created with increasing poling filed due to increasing internal stress. In larger additions of Cr2O3(0.4∼0.6mol%), aging rate decreased with increasing poling field.
Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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2009.10a
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pp.173-173
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2009
무독성 원소를 포함하는 Ti-35Nb-x(3, 5, 7, 10, 15)Zr 합금을 제조하여 양극산화 방법을 통해 표면에 nanotube를 형성한 후 0.9% NaCl 용액에서 부식특성을 관찰하였다. 합금 표면에 형성된 안정된 nanotube 형태의 $TiO_2$, $Nb_2O_5$ 및 $ZrO_2$가 내식성 향상에 영향을 주었음을 알 수 있었다.
Kim, Tae-Ho;Gu, Jun-Mo;Min, Hyeong-Seop;Lee, In-Seop;Lee, In-Seop
Korean Journal of Materials Research
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v.10
no.10
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pp.684-690
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2000
In order to study effects of interfacial layers between $Pb(Zr,Til)Q_3(PZT)$ films and electrodes for Metal-Ferroelectric-MetaI(MFM) structure capacitors, we have fabricated the capacitors with the Pt/PZT/interfacial-layer/Pt/$TiO_2/SiO_2$/Si structure. $PbTiO_3(PT)$ interfacial layers were formed by sol-gel deposition and PbO, ZrO, and $TiO_2$ thin layers were deposited by reactive sputtering. $TiO_2$ interface layers result in the finest grains of PZT(crystalline Temp. $600^{\circ}C$) films compare to $PbO_2\;and\;ZrO_2$ layers. However, as the thickness of $TiO_2$ layer increases. PZT thin films become rough and electrical characteristics were deteriorated due to remained anatase phase. On the other hand. PT interface layers result in improved morphology of PZT films and do not significantly change ferroelectric properties. It is a also observed that seed layers at the middle and top of PZT films do not give significant effects on grain size but the PT seed layer at the interface between the bottom electrode and the PZT films results in the small grain size.
Burri, David Raju;Choi, Kwang-Min;Han, Sang-Cheol;Burri, Abhishek;Park, Sang-Eon
Bulletin of the Korean Chemical Society
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v.28
no.1
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pp.53-58
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2007
In the dehydrogenation of ethylbenzene to styrene, CO2 could play a role as an oxidant to increase conversion of ethylbenzene and stability as well over TiO2-ZrO2 mixed oxide catalysts. TiO2-ZrO2 catalysts were prepared by co-precipitation method and were characterized by BET surface area, bulk density, X-ray diffraction, temperature programmed desorption of NH3 and CO2. These catalysts were found to be X-ray amorphous with enhanced surface areas and acid-base properties both in number and strength when compared to the respective oxides (TiO2 and CO2). These catalysts were found to be highly active (> 50% conversion), selective (> 98%) and catalytically stable (10 h of time-on-stream) at 600 oC for the dehydrogenation of ethylbenzene to styrene. However, in the nitrogen stream, both activity and stability were rather lower than those in the stream with CO2. The TiO2-ZrO2 catalysts were catalytically superior to the simple oxide catalysts such as TiO2 and ZrO2. The synergistic effect of CO2 has clearly been observed in directing the product selectivity and prolonging catalytic activity.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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