• 제목/요약/키워드: ZnO/Si

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FED용 $ZnGa_2O_4$ 형광체 타겟과 박막의 제작 및 특성분석 (Fabrication and characterization of $ZnGa_2O_4$ phosphor target and thin film for FED)

  • 김용천;홍범주;김경환;박용서;최형욱
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2004년도 하계학술대회 논문집 Vol.5 No.2
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    • pp.1092-1095
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    • 2004

  • The $ZnGa_2O_4$ phosphor target is synthesized through solid-state reactions as calcine and sintering temperature in order to deposit $ZnGa_2O_4$ phosphor thin film by rf magnetron sputtering system. The $ZnGa_2O_4$ phosphor thin film is deposited on $Pt/Ti/SiO_2/Si$ substrate and prepared $ZnGa_2O_4$ Phosphor thin film is annealed by rapid thermal processor(RTP) at $750^{\circ}C$, 10 sec. The x-ray diffraction patterns of $ZnGa_2O_4$ phosphor target and thin film show the position of (311) main peak. The cathodolumincsccnce(CL) succtrums of $ZnGa_2O_4$ phosphor target show main peak of 360nm and broad bandwidth of about 180nm.

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N-doped ZnO 박막의 미세 구조 특성 (Nano-structural Characteristics of N-doped ZnO Thin Films)

  • 이은주;;박재돈;윤기완
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제13권11호
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    • pp.2385-2390
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    • 2009

  • 본 연구에서는 C-축 우선 배향 특성을 가지는 N-doped ZnO 박막을 증착하고 그 미세구조의 특성을 분석 비교하였다. ZnO박막은 $N_2O$ 가스 분위기에서 RF reactive magnetron sputtering 시스템을 사용하여 p-Si(100) 웨이퍼 위에 증착되었다. $N_2O$ 가스는 N doping source로 사용되었으며, 전체 가스 유량에 대한 $N_2O$ 가스의 비율 $N_2O/(N_2O+Ar)$과 증착 전력을 증착의 주요 공정 변수로 선택하여 다양한 가스 비율과 증착 전력에 대한 박막의 미세 구조 특성을 비교 분석하였다. 특히, Auger electron spectroscopy (AES)를 이용하여 ZnO 박막 내에 들어가 존재하는 불순물 N의 수직분포를 분석하였고, 여러 가지 증착 조건에서 제작된 ZnO 박막의 표면형상 및 미세구조 특성을 Scanning Electron Microscope (SEM)를 이용하여 분석하였다.

  • https://doi.org/10.6109/JKIICE.2009.13.11.2385 인용 PDF KSCI

Magnetron sputtering으로 증착한 ZnO 박막의 특성과 열처리에 따른 비저항과 미세구조 (A properties of ZnO thin film deposited by magnetron sputtering and its resistivity and microstructure due to annealing)

  • 이승환;성영권;김종관
    • E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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    • 제10권2호
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    • pp.126-133
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    • 1997

  • In order to apply for the gas sensing layer and the piezoelectric thin film devices, we studied the effects of magnetron sputtering conditions and annealing temperature on the electrical and structual characteristics of the ZnO thin film. The optimal deposition conditions, in order to obtain a c axis of the ZnO (002) phase thin film which is perpendicular to SiO$_{2}$/Si substrate, were like these ; substrate temperature 150.deg. C, chamber pressure 2 mtorr, R.F. power 300 watts, gas flow ratio 0.4[O$_{2}$(Ar + $O_{2}$)]. When the ZnO thin film was annealed in 600.deg. C, $O_{2}$ gas ambient for 1 hr, the resistivity was 2.6 x 10$^{2}$.ohm.cm and the grain size of ZnO thin film was less than 1 .mu.m. So the ZnO thin film acquired from above conditions can apply for the gas sensing layer which require a c axis perpendicular to the substrate surface.

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