• 자연과학논문집
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• 제8권2호
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• pp.111-118
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• 1996

$Na_2O$-CaO-$SiO_2$ 계 유리의 화학적 내구성을 향상시키면서 작업점도의 변화를 최소화 하기 위하여, 기본 조성 유리를 선정한 후, 이 조성에 $B_2O_3$, ZnO 성분의 첨가량을 변화시키고 $Na_2O$, $Al_2O_3$, $Li_2O$ 성분을 변화시켜가면서 각 성분이 물성에 미치는 영향을 조사하여 최적 조성비를 얻는 것을 목적으로 하였다. 본 실험결과 $Na_2O$-CaO-$SiO_2$계 유리에서 연화점 변화를 최소화하고 화학적내구성을 극대화 시키는 최적조성(wt%)은 다음과 같았다.$B_2O_3$:3.36%, ZnO:2.88%, $Na_2O$:9.93%, $Al_2O_3$, $Li_2O$:0.19%, $SiO_2$:70.56%, CaO:11.22%, $K_2O$:0.14%

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제45회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.231-231
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• 2013

ZnO은 hexagonal wurtzite 구조를 갖는 직접 천이형 화합물 반도체로서, 상온에서 3.37 eV 정도의 wide band gap energy를 가지고 있으며, 60 meV의 큰 엑시톤 결합 에너지(exciton binding energy)를 갖는다. 또한 동종 기판이 존재하고 열, 화학적으로 안정한 상태이며 습식 식각이 가능한 장점으로 인해 각광받고 있다. 또한, ZnO 박막은 우수한 전기 전도성을 나타내며 광학적 투명도가 우수하기 때문에 투명전극으로 많이 이용되어 왔고, 태양 전지(solar cell), 가스 센서, 압전소자 등 많은 분야에서 사용되고 있다. 이와 같은 ZnO박막을 안정적인 쇼트키 다이오드 특성을 얻기 위해서는 쇼트키 배리어 장벽의 형성이 필수적이다. Mg을 ZnO에 첨가하여 MgZnO 박막을 형성할 경우, 금속의 일함수와 MgZnO의 전자친화력 차이가 증가하여 더 큰 쇼트키 장벽 형성이 가능하며, 금속의 일함수가 큰 물질을 사용해야 한다. 또한, 박막의 결함이 적은 박막을 형성해야 하는 에피탁셜 박막이 필요하다. SiC는 높은 포화 전자 드리프트 속도(${\sim}2.7{\times}107$ cm/s), 높은 절연 파괴전압(~3 MV/cm)과 높은 열전도율(~5.0W/cm) 특징을 가지고 있으며, MgZnO/Al2O3의 격자 불일치는 ~19%인 반면에 MgZnO/SiC의 격자 불일치는 ~6%를 가진다. 금속의 일함수가 큰 Ag 금속은 열처리가 될 경우 AgOx가 될 경우 더욱 안정적인 쇼트키 장벽을 형성될 수 있을 것으로 판단된다. 본 연구에서는 쇼트키 접합을 형성하기 위해 금속의 일함수가 큰 Ag 금속을 사용하였으며, Al2O3 기판과 6H-SiC 기판위에 MgZnO(30 at.%) 박막을 증착하였다. 증착 후에 Ag를 증착 한 뒤 급속 열처리를 하였다. 열처리된 MgZnO의 경우 열처리 하지않은 소자보다 약 $10^5$ 이상의 우수한 on/off 특성을 보였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1997년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1361-1363
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• 1997

Zinc oxide-based MOV was fabricated with $SiO_2$ additive ranging from 0.5 to 4.0 mol%, and the microstructure and electrical characteristics were investigated. $Zn_2SiO_4$ phase formed by $SiO_2$ additive was distributed at ZnO grains, grain boundaries, and multiple grain junctions. As the content of $SiO_2$ additive increases, average grain size decreased from 40.6 to $26.9{\mu}m$ due to the Pinning effect by $Zn_2SiO_4$ at grain boundaries Breakdown voltage and nonlinear exponent increased, and leakage current decreased in the range of $11.2{\sim}6.14{\mu}A$ with an increasing $SiO_2$. Donor concentration and interface state density decreased, and barrier height increased in the range of $0.71{\sim}1.04eV$ with an increasing $SiO_2$. While, as the content of $SiO_2$ additive, apparent dielectric constant decreased, peak frequency of dissipation factor decreased in the range of $6.45{\times}10^5{\sim}3.00{\times}10^5Hz$, and dissipation peak was $0.31{\sim}0.22$ at Peak frequency.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1998년도 하계학술대회 논문집 D
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• pp.1522-1524
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• 1998

Experimental results on the effect of $SiO_2$ addition to Bi based ZnO varistor show that secondary phases in microstructure and nonlinear coefficient are increased, and that leakage current is decreased with $SiO_2$ additive content. The varistor with 0.1 mol%-$SiO_2$ additive exhibits lower resistive current than other specimen at ($E_{1mA}$ x 0.6) applied voltage and temperature of $115^{\circ}C$ for 350h.

• Journal of Welding and Joining
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• 제18권3호
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• pp.51-59
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• 2000

Sink roll has been used in molten 55%Al-Zn alloy bath of continuous galvanizing line for sinking and stabilizing working steel strip in molten metal bath. In the process, the sink roll body inevitably build up dross compounds and pitting on the sink roll surface during 55%Al-Zn alloy coated strip production, and the life time of the sink roll is shorten by build up dross compounds and pitting. The present study examined the application of thermally sprayed ceramic coatings method on sink roll body for improving erosion resistance at molten 55% Al-Zn pool. In this experiment, the stainless steels such as STS 316L and STS 430F were used as the substrate materials. The CoNiCr and WE-Co powder were selected as bond coating materials. Moreover $Al_2O_3-ZrO_2-SiO_2 and ZrO_2-SiO_2$ powders selected as the top coating materials. Appearances of the specimens before and after dipping to molten 55%Al-Zn pool were compared and analyzed. As a result of this study, STS430F of substrate, WC-Co of bond spray coatings, $ZrO_2-SiO_2$ power of top spray coatings is the best quality in erosion resistance test at molten 55%Al-Zn pool

• 한국분말야금학회:학술대회논문집
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• 한국분말야금학회 1994년도 춘계학술대회강연 및 발표대회 강연및 발표논문 초록집
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• pp.10-11
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• 1994

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제3권3호
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• pp.205-214
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• 1990

본 논문은 저손실 Mn-Zn-Fe 페라이트 제조에 관하여 연구한 것이다. Mn-Zn-Fe 페라이트는 16mol% Xno, 31mol% MnO 및 53mol% Fe$_{2}$O$_{3}$로 조성하였으며 0.1wt% $Na_{2}$SiO$_{3}$ 0.05wt% $Na_{2}$SiO$_{3}$ 0.1%wt% CaO 0.05% SiO$_{2}$ 및 0.05wt% SiO$_{2}$ 및 0.05wt% $Na_{2}$SiO$_{3}$ 0.1% CaO 0.05wt% $Al_{2}$O$_{3}$를 미량 첨가하였다. 그리고 하소와 분쇄과정을 거친 분말은 충진성을 높이기 위하여 과립화하였다. 소결 1250, 1300 및 1350.deg.C에서 이루어졌고, 평형 산소분압은 소오킹 시 PO$_{2}$는 6%부터 시작하여 점차 감소시켰으며 900.deg.C에서 순수한 질소 분위기로 냉각시켰다. 초투자율, 손실계수 및 고유저항 등의 자기적인 특성은 1300.deg.C에서 소결했을 경우의 것이 가장 우수하였다. 즉, 초투자율은 2*$10^{3}$~$10^{3}$의 높은 값을 얻을 수 있었으며 tan.delta./.mu.i값은 100KHz~ 400KHz의 고파수대에서 9*10$_{-6}$~21*10$_{-6}$이었으며 고유저항 값은 485~680 .OMEGA.-cm의 높은 값을 나타내어 중간주파수대의 자심재료에 적합한 페라이트임을 확인하였다.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제13권3호
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• pp.35-38
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• 2014

Flat panel displays fabricated on glass substrate use amorphous Si for data processing circuit. Recent progress in display technology requires a new material to replace the amorphous Si, and ZnO is a good candidate. ZnO is a wide bandgap (3.3 eV) semiconductor with high mobility and good optical transparency. ZnO is usually grown by sputtering using ZnO ceramic target. However, ceramic target is more expensive than metal target, and making large area target is very difficult. In this work we studied characteristics of ZnO thin-film transistor grown by rf sputtering using Zn metal target and $CO_2$. ZnO film was grown at $450^{\circ}C$ substrate temperature, with -70 V substrate bias voltage applied. By using these methods, our ZnO TFT showed $5.2cm^2/Vsec$ mobility, $3{\times}10^6$ on-off ratio, and -7 V threshold voltage.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제33권10호
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• pp.3213-3217
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• 2012

Reactive adsorption desulfurization (RADS) experiments were conducted over a series of commercial metal oxide supports ($Al_2O_{3-}$, $SiO_{2-}$, $TiO_{2-}$ and $ZrO_{2-}$) supported Ni/ZnO adsorbents. The adsorbents were characterized by X-ray diffraction (XRD), temperature programmed reduction (TPR), and Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR) in order to find out the influence of specific types of surface chemistry and structural characteristics on the sulfur adsorptive capacity. The desulfurization performance of all the studied adsorbents decreased in the following order: Ni/ZnO-$TiO_2$ > Ni/ZnO-$ZrO_2$ > Ni/ZnO-$SiO_2$ > Ni/ZnO-$Al_2O_3$. Ni/ZnO-$TiO_2$ shows the best performance and the three hour sulfur capacity can achieve 12.34 mg S/g adsorbent with a WHSV of $4h^{-1}$. Various characterization techniques suggest that weak interaction between active component and support component, high dispersion of NiO and ZnO, high reducibility and large total Lewis acidity of the adsorbents are important factors in achieving better RADS performance.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2000년도 제1회 학술대회 논문집
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• pp.181-182
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• 2000

The glass compositions of $PbO-SiO_2-B_2O_3$ system and $P_2O_5-PbO-ZnO$ system for the transparent dielectric materials for front panel and $P_2O_5-ZnO-BaO$ and $SiO_2-ZnO-B_2O_3$ for the reflective dielectric materials for back panel of PDP(Plasma Display Panel) were investigated. As a transparent dielectric materials for front panel, $PbO-SiO_2-B_2O_3$ glass showed good dielectric properties, high transparency and proper thermal expansion matching to soda-lime glass substrate. And the reflective dielectric materials for back panel were prepared from parent glass of $SiO_2-ZnO-B_2O_3$ system and oxide filler. It was found that these glass-ceramics are useful materials for reflective dielectric layers, as those have a similar thermal expansion to soda-lime glass plate, high reflectance, low sintering temperature.