Twenty-two water samples(fifteen groundwater and seven geothermal water samples) were collected to elucidate chemical characteristics of the ground and geothermal waters in the Haeundae hot spring area and its vicinity. Major and honor elements were analyzed for ground and geothermal water samples. The concentrations of $K^+$, Na+$, $Ca^{2+}$, $SO_4^{2-}$, $Cl^-$, ^F^-$ and $SiO_2$ were higher in the geothermal water samples than the groundwater samples except $HCO_3^- and Mg^{2+}$ ions. Based on the contents of Fe, Zn, Cu, Al, Mn and Pb, some of the ground and geothermal water samples are contaminated by anthropogenic sources. The ground waters shown on the Piper diagram belong to $Ca-HCO_3$ type, while the geothermal waters Na-Cl type. The graphs of $Cl^-$ versus $Na^+$, $Ca^{2+}, Mg^{2+}, K^+, SO_4^{2-} and HCO_3^-$ indicate that the groundwater is related partly with mineral-water reaction and partly with anthropogenic contamination, while the geothermal water is related with saline water. On the phase stability diagram, groundwater and thermal water mostly fall in the field of stability of kaolinite. This indicates that the ground and geothermal waters proceed with forming kaolinite. Factor and correlation analyses were carried out to simplify the physicochemical data into grouping some factors and to find interaction between them. Based on the Na-K, Na-K-Ca and Na-K-Ca-Mg geothermometers and silica geothermometers, the geothermal reservoir is estimated to have equilibrium temperature between 125${$\mid$circ}C$ and 160${$\mid$circ}C$.
AZO thin films are grown on a p-Si(111) substrate by RF magnetron sputtering. The characteristics of various thicknesses and heat treatment conditions are investigated by X-ray diffraction (XRD), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), Hall effect and room-temperature photoluminescence (PL) measurements. The substrate temperature and the RF power during growth are kept constant at 400 ℃ and 200 W, respectively. AZO films are grown with a preferred orientation along the c-axis. As the thickness and the heat treatment temperature increases, the length of the c-axis decreases as Al3+ ions of relatively small ion radius are substituted for Zn2+ ions. At room temperature, the PL spectrum is separated into an NBE emission peak around 3.2 eV and a violet regions peak around 2.95 eV with increasing thickness, and the PL emission peak of 300 nm is red-shifted with increasing annealing temperature. In the XPS measurement, the peak intensity of Al2p and Oll increases with increasing annealing temperature. The AZO thin film of 100 nm thickness shows values of 6.5 × 1019 cm-3 of carrier concentration, 8.4 cm-2/V·s of mobility and 1.2 × 10-2 Ω·cm electrical resistivity. As the thickness of the thin film increases, the carrier concentration and the mobility increase, resulting in the decrease of resistivity. With the carrier concentration, mobility decreases when the heat treatment temperature increases more than 500 ℃.
The pluton rocks in Kwangyang-Seungju area consist of two mica granite, hornblende diorite, Rimunri quartz diorite, grnodiorite porphyry and granophyre. The analysis of the geochronological data by the methods of K-Ar for the hornblende from Rimunri quartz diorite and hornblende diorite show that the ages are found to be $86{\pm}3.3$ Ma and $108{\pm}4$ Ma, respectively, and K-Ar age for chlorite from the altered two mica granite which intruded by the hornblende diorite of the Bonjeong mine shows $108{\pm}4$ Ma; K-Ar age for sericite from the greisenized hornblende diorite, which is closely associated with the Bonjeong ore deposits, is dated as $94.2{\pm}2.4$ Ma. They correspond to the igneous activity of the Bulgugsa Disturbance periods in the area. In chemical feature for oxides versus silica and AFM triagular diagrams of the pluton rocks in the study area, there is a suggestion of the possibility that these rock facies area a Calc-alkali series of differentiated products by low-pressure crystal fractionation processes in $SiO_2$-undersaturated suites. Compared with hornblende diorite, andesite and granodiorite porphyry, two mica granite, Rimunri quartz diorite and granophyre exhibit a wider range of normalized REE abundance and negative Eu anomalies. Such anomalies imply more extensive feldspar fractionation during crystallization. The Rimunri quartz diorite and hornblende diorite occurring in the margin of four mines(Bonjeong, Okdong, Soungchei and Saungyeul) of this area have high contents of As, Sb, Cu and Zn which have been shown as the best indicators in hypogene gold deposits and low contents of Ba, Cr served as more sensitive indicators. And the granitoids are regarded as the rocks associated with gold and sulfide mineralization of the area.
Lee, Chung-Mo;Hamm, Se-Yeong;Lee, Cholwoo;Choi, Sung-Ja;Chung, Sang Yong
한국지하수토양환경학회지:지하수토양환경
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제19권2호
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pp.25-37
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2014
The volcanic type of geothermal water is linked intimately to active or potentially active volcanoes and takes place near the plate boundaries. In contrast to the volcanic type, the geothermal water in Korea has a non-volcanic origin. Korea's geothermal water is classified into the residual magma (RM) type and deep groundwater (DG) type according to the criterion of $35^{\circ}C$. This study reviewed the relationship between the physical and chemical features of the 281 geothermal water sources in South Korea in terms of the specific capacity, water temperature, and chemical compositions of two different basements (igneous rock and metamorphic rock) as well as the geological structures. According to the spatial relationship between the geothermal holes and geological faults, the length of the major fault is considered a key parameter determining the movement to a deeper place and the temperature of geothermal water. A negligible relationship between the specific capacity (Q/s) and temperature was found for both the RM type and DG type with the greater specific capacities of the RM- and DG-igneous types than the RM- and DG-metamorphic types. No relationship was observed between Q/s and the chemical constituents ($K^+$, $Na^+$, $Ca^{2+}$, $Mg^{2+}$, $Zn^{2+}$, $Cl^-$, $SO_4{^{2-}}$, $HCO_3{^-}$, and $SiO_2$) in the DG-igneous and DG-metamorphic types. Furthermore, weak relationship between temperature and chemical constituents was found for both the RM type and DG type.
Buyanbileg Sodnom-Ish;Mi Young Eo;Kezia Rachellea Mustakim;Yun Ju Cho;Soung Min Kim
Journal of the Korean Association of Oral and Maxillofacial Surgeons
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제50권2호
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pp.94-102
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2024
The exact mechanism of sialolith formation has yet to be determined. Recurrence of sialolithiasis is rare, affecting only 1%-10% of patients. The current study presents a case of recurrent stones that occurred twice on the right submandibular gland 6 months postoperative and 7 months after reoperation in a 48-year-old female patient. The stones were analyzed using histology, scanning electron microscopy, energy dispersive spectroscopy, and transmission electron microscopy (TEM). The first stone showed a three-layered structure with a poorly mineralized peripheral multilayered zone, highly mineralized middle layer, and the central nidus. The stones were composed of Ca, C, O, Cu, F, N, P, Si, Zn, and Zr. In TEM, compact bi-layered bacterial cell membrane was found on the peripheral layer and the central nidus of the stone as well as exosomes in the central nidus. The results demonstrated the essential components of sialolith formation, including bacteria, inflammatory exosomes, and exfoliated salivary epithelial cells that cooperatively underwent the pathogenetic progresses of central nidus formation, induction of compact zone calcification of the middle layer, and repeated subsequent deposition in the peripheral multilayer zone. The rapid recurrence could have resulted from residual pieces of a sialolith acting as the nidus of bacterial infection.
Thin-film transistors (TFTs) that can be prepared at low temperatures have attracted much attention due to the great potential for flexible electronics. One of the mainstreams in this field is the use of organic semiconductors such as pentacene. But device performance of the organic TFTs is still limited by low field effect mobility or rapidly degraded after exposing to air in many cases. Another approach is amorphous oxide semiconductors. Amorphous oxide semiconductors (AOSs) have exactly attracted considerable attention because AOSs were fabricated at room temperature and used lots of application such as flexible display, electronic paper, large solar cells. Among the various AOSs, a-IGZO was considerable material because it has high mobility and uniform surface and good transparent. The high mobility is attributed to the result of the overlap of spherical s-orbital of the heavy pest-transition metal cations. This study is demonstrated the effect of thickness channel layer from 30nm to 200nm. when the thickness was increased, turn on voltage and subthreshold swing were decreased. a-IGZO TFTs have used a shadow mask to deposit channel and source/drain(S/D). a-IGZO were deposited on SiO2 wafer by rf magnetron sputtering. using power is 150W, working pressure is 3m Torr, and an O2/Ar(2/28 SCCM) atmosphere at room temperature. The electrodes were formed with Electron-beam evaporated Ti(30nm) and Au(70nm) structure. Finally, Al(150nm) as a gate metal was evaporated. TFT devices were heat treated in a furnace at $250^{\circ}C$ in nitrogen atmosphere for an hour. The electrical properties of the TFTs were measured using a probe-station to measure I-V characteristic. TFT whose thickness was 150nm exhibits a good subthreshold swing(S) of 0.72 V/decade and high on-off ratio of 1E+08. Field effect mobility, saturation effect mobility, and threshold voltage were evaluated 7.2, 5.8, 8V respectively.
우리나라의 주요 조미채소인 고추, 마늘 및 양파 주산지 토양의 물리화학적 특성 및 화학성분함량을 조사하여 토양관리 및 시비 기준설정의 기초자료로 활용하기 위하여 고추(132개지점), 마늘(59개지점) 및 양파(24개지점) 주산지 총 215개 지점의 근권토양을 채취하여 분석하였다. 우리나라 고추, 마늘 및 양파 주산지 토양은 사양토(SL)와 양토(L)가 전체의 68% 이상을 차지하였으며, 토성별 빈도분포는 양토(L. 35.4%) > 사양토(SL,31.6%) > 미사질양토(SiL, 14.9%) > 식양토(CL.7.0%)의 순이었다. 토양 pH는 마늘 및 양파재배지 토양은 평균 6.0 이상이었으나 고추재배지 토양은 5.5로서 낮았으며, 전체조사지역의 58.7%인 126개 지점이 6.0 이하였으며, pH 5.0 이하인 지점도 전체의 21.4%인 46개 지점이었으며, 7.1 이상인 지역은 약 10.3%인 22개 지점이었다. 토양유기물 함량은 전반적으로 $20{\sim}30g\;kg^{-1}$ 수준이H으며 양파재배지 토양에서 다소 높게 나타났다. 유효 $P_2O_5$는 $719{\sim}746mg\;kg^{-1}$ 범위로서 작물간에 큰 차이는 없었으며, 빈도분포는 전체 조사지역중 62.8%가 유효 $P_2O_5$$600mg\;kg^{-1}$ 이상으로서 기준치를 초과하였으며 $1,000mg\;kg^{-1}$ 이상도 전체의 22.3%를 차지하였다. 치환성 양이온인 K 및 Ca 함량은 마늘(1.27 및 $9.11cmol\;kg^{-1}$) 및 양파(1.20 및 $8.39cmol\;kg^{-1}$)재배지토양이 고추재배지 토양(0.96 및 $5.87cmol\;kg^{-1}$)에 비하여 높았으며, Mg 함량은 마늘재배지 토양이 $2.17cmol\;kg^{-1}$으로서 가장 높았으며, 고추 및 양파재배지토양은 각각 약 1.51 및 $1.80cmol\;kg^{-1}$으로 마늘재배지 토양에 비하여 낮게 나타났으나 치환성 양이온인K, Mg 및 Ca모두 경작지 토양의 적정수준 이상으로 함유되어 있었다. 그리고 미량원소는 Fe는 $54.3{\sim}60.1mg\;kg^{-1}$ 범위, Mn은 $31.3{\sim}42.3mg\;kg^{-1}$ 범위 Cu및 Zn은 각각 1.7~2.3 및 $4.8{\sim}5.5mg\;kg^{-1}$ 범위였다.
고기능성 채소 생산을 위해 항산화효과가 뛰어난 셀레니움을 식물체내로 주입시 배양액내에서 발생할 수 있는 황산이온과의 상호작용은 식물체의 생장은 물론 식물에 의한 적정 수준의 셀레니움의 흡수에 영향을 미칠 수 있다. 따라서 본 실험은 양액내의 셀레니움과 황산이온이 Afemisia속 식물에 미치는 영향을 알아보고자 수행되었다. 벨기에의 채소연구소에서 개발한 허브 양액을 이용하여 황산이온 농도를 0. 0.5, 1, 2, 3mM 로 변형시킨 후 각각에 $Na_2$SeO$_4$2mg/$\ell$를 첨가하였다. 생육초기에는 $Na_2$SeO2mg/$\ell$$_4$ 처리시 3mM 황산이온 농도에서 가장 좋은 생육을 보여주었다. 그러나 생육 후기로 갈수록 셀레니움과 황산이온과의 길항작용의 효과는 점차 감소하여 생육에 있어서 유의적인 차이를 보이지 않았다. $Na_2$SeO$_4$2mg/$\ell$처리시 SO$_4$$^{2-}$ 처리에 따른 셀레니움 흡수에 있어 배양액내의 SO$_4$$^{2-}$ 의 농도가 높아질수록 두 이온간의 길항작용으로 인하여 셀레니움의 흡수는 감소하였으며 생육단계에 의한 반응은 생육초기에는 셀레니움 흡수감소의 폭이 적었으나 생육후기로 갈수록 흡수감소의 폭은 현저하였다. $Na_2$SeO$_4$2mg/$\ell$처리시 SO$_4$$^{2-}$ 처리에 따른 황산이온의 흡수는 배양액 내의 황산이온 농도의 증가에 따라 흡수도 증가하였다. 또한 생육후기로 갈수록 그 증가의 폭은 더 컸으나 3mM의 높은 농도에서는 황산이온의 흡수가 급격히 감소하였다.었다.간영향을 어떻게 분리해 낼 것인지에 대한 문제점이 남는다. 예를 들어 화분분석의 경우 1차적인 환경변화에 따른 식생조성변화를 반영한다. 인간이 활발한 농경활동을 하게 되면서 주변식생을 제거하게 되고, 제거된 나대지에는 재배작물과 잡초들이 자라게 된다. 그리고 이들 화분은 주변 소택지에 퇴적물과 함께 퇴적되어 화분분석 결과 벼과(科)(Gramineae)와 문화지표수종이라 부르는 여뀌속(屬)(Persicaria), 국화과(科)(Composite), 쑥속(屬)(Artemisia), 쐐기풀속(屬)(Urtica) 등의 화분에 있어 확연한 조성변화를 보여준다. 그러나 화분을 이용한 분석은 토탄층이나 유기질 퇴적물이라는 한정된 토양에서만 분석이 가능하며, 조성변화에 있어서 역시 기후와 인간활동의 영향 모두를 반영하기 때문에 이를 구분해 주는 명확한 기준이 필요하다. 따라서 본 연구에서는 이러한 다양한 대리자료 중 고고학 유적지에 적용 가능한 동식물 화석 및 미화석, 지리, 지질학적 자료에 어떠한 것들을 적용할 수 있는지를 살피고, 몇 가지 대리자료를 중심으로 선사인의 농경활동에 대해 살펴보고자 한다.avascular injection of the iodinated contrast materials.석 시기중 성공적인 착상성공율은 56%(71/126)였다..8H2O를 사용함으로써 host-guest적인 반응을 유도시키는데 있어 물의 가장 실용적이고 효과적인 수열용매임도 알았다. ZnSiO4:Mn, CaWO4, MgWO4와 같은 형광체 분말은 공업적으로 고상반응 또는 습식법에 의해 얻어지고 있으나 이들 방법에 있어서는 분쇄공정으로 인한 형광특성의 저하와 같은 문제점이 있다. 따라서 본 연구에서는 수열법을 이용하여 이들 화합물의 합성을 시도하였으며 그 결과 합성온도 30$0^{\circ}C$ 부근의 알칼리성 용액중에서 수열적으로 얻어짐을 알았다. 여기서의 합성분말을 이용하여 실제 조명램프로 제조한
전국적으로 산재해있는 2,000여 광산지역의 경우 중금속 오염의 정도와 범위를 고려할 때, 기존의 물리 화학적 복원기술의 적용만으로는 경제성과 실효성의 조화가 어렵다. 이에 기존의 토양 복원기술과 더불어 생물학적 복원기술로써 phytoremediation 기술의 개발이 요구된다. 본 연구는 경기도 광명시에 위치한 폐아연광산 인근 토양 및 식물체내의 중금속 함량과 토양내 Cd의 존재형태별 분포를 파악하여 인근 농경지로의 잠재적 오염원이 되는 부지를 선정하고, 오염 토양에 대한 phytoremediation 적용을 위한 기초 조사를 수행하였다. 17지점에서 채취한 논 밭 및 비경작지 토양의 0.1 N-HCl 추출 Cd 함량은 $0.2-42mg\;kg^{-1}$의 분포를 보였고, Cd 함량이 상대적으로 높은 비경작지 토양의 중금속 함량은 Zn $533-2320mg\;kg^{-1}$, Pb $560-3584mg\;kg^{-1}$, Cu $104-1277mg\;kg^{-1}$, Cd $11-42mg\;kg^{-1}$의 범위로 나타났다. pH를 1에서 3까지 조절하며 수행한 중금속 용출시험 결과 pH 변화에 따른 중금속 용출의 정도는 매우 컸다. 대부분의 토양은 유기물 및 질소함량이 극히 낮고, 평균 토성은 사양토로 전국적으로 분포하는 광산토양의 평균 이화학성 범위 내에 있어 Cd, Zn 및 Pb의 생물학적 복원부지로서의 적합성을 보였다. 본 연구에서 정화식물종으로 선별한 식물은 아연광산에 서식하는 대표적 초본류인 쑥이며, 체내 중금속 함량은 지상부 $43mg\;kg^{-1}$, 지하부 $52mg\;kg^{-1}$의 Cd 함량을 보였다. 채취한 식물체 주변 근권 토양 (rhizosphere soil)과 경계면 토양 (soil-root interface soil)은 각각 15.68, $14.09mg\;kg^{-1}$의 Cd 함량을 나타내었다. 토양에 대한 연쇄추출 결과 $H_2O$(water soluble), NaOH (organically bound), $KNO_3$ (exchangeable), EDTA (oxide/carbonate), $HNO_3$ (sulfide/residual)의 순으로 Cd 추출효율이 증가하였으며, 토양내 치환태 Cd는 평균 $2.4mg\;kg^{-1}$으로 나타났다. 중금속 오염부지에 대한 식물 식재시 퇴비의 투여량은 지하부 표면적 및 뿌리부피와 밀접한 상관관계를 나타내어 오염 토양내 식피조성시 식물체의 활착율을 증대 시킬 수 있을 것으로 사료된다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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