Zinc Oxide (ZnO) films have attracted considerable attention for transparent conducting films, because of their high conductivity, good optical transmittance from UV to near IR as well as a low-cost fabrication. To increase the conductivity of ZnO, doping of group III elements (Al, Ga, In and B) has been carried out. Transparent conducting films have been applied for optoelectric devices, the development of the transparent conducting thin films on flexible light-weight substrates are required. In this research, the transparent conducting ZnO thin films doped with Aluminum (Al) on polymer substrates were deposited by the RF magnetron suputtering method, and the structural, optical and electrical properties were investigated.
The rapid growth of zinc-oxide (ZnO) nanostructures (NSs) on woven carbon fiber (WCF) is reported in this study employing a microwave-aided chemical bath deposition process. The effects of different process parameters such as molar concentration, microwave duration and microwave power on morphologies and growth rate of the ZnO on WCF were studied. Furthermore, an attempt has been taken to study influence of different type of growth solutions on ZnO morphologies and growth rates. The surface functionalization of WCF fabrics is achieved by successful growth of crystalline ZnO on fiber surface in a very short duration through one-step microwave synthesis. The morphological, structural and compositional studies of ZnO-modified WCF are evaluated using field-emission scanning electron microscopy, X-ray diffraction and energy dispersive X-ray spectroscopy respectively. Good amount of zinc and oxygen has been seen in the surface of WCF. The presence of the wurtzite phase of ZnO having crystallite size 30-40 nm calculated using the Debye Scherrer method enhances the surface characteristics of WCF fabrics. The UV-VIS spectroscopy is used to investigate optical properties of ZnO-modified WCF samples by absorbance, transmittance and reflectance spectra. The variation of different parameters such as dielectric constants, optical conductivity, refractive index and extinction coefficient are examined that revealed the enhancement of optical characteristics of carbon fiber for wide applications in optoelectronic devices, carbon fiber composites and photonics.
금속 산화물 반도체는 독특한 전기 광학적 특성, 높은 표면적 등으로 인해 태양전지, 센서, 광소자 및 디스플레이 등 여러 분야에 걸쳐 응용되고 있다. 금속 산화물 가운데 우수한 물리 화학적 특성을 가지는 산화아연은 3.37 eV의 넓은 밴드갭 에너지와 60 meV의 큰 엑시톤 결합에너지를 갖는 n-형 반도체로서 산화아연에 양이온을 도핑하여 전기 광학적 특성을 보완하는 연구가 진행되고 있다. 본 연구는 알루미늄이 도핑 된 산화아연을 마이크로파 수열합성법으로 합성하였다. 전구체의 종류와 몰 비 등의 반응 변수를 조절하여 최적의 결정형상과 광학적 특성을 갖는 산화아연을 합성하였으며, 알루미늄을 도핑하여 광학적 특성 변화를 시도하였다. 합성된 입자는 SEM, XRD, PL, UV-Vis 분광기 및 EDS 등의 기기분석을 통해 광학적, 물리 화학적 특성을 확인하였다.
We present here an efficient and simple method for preparation of highly active heterogeneous ZnO photocatalyst (graphene oxide-zinc oxide: GO-ZnO), specifically by deposition of ZnO nanoparticles onto thiolated GOs. The resultant GO-ZnO sample was characterized by TEM, XRD, Auger, XPS, and Raman measurements, revealing that the size-similar and quasi-spherical ZnO nanoparticles were anchored to the thiolated GO surfaces. The average particle diameter was about 2.5 nm. In the photodegradation of methylene blue (MB) under ultraviolet (UV) light, GO-ZnO exhibited remarkably enhanced photocatalytic efficiency compared with thiolated GO and pure ZnO particles. This strong photocatalytic performance of GO-ZnO can be attributed to the suppression of electron recombination and the enhancement of mass transportation. The results showed that thiolated GO is the preferable supporting material.
Borate 완충용액에서 Zn의 부동화 피막이 생성되는 과정과 부동화 피막의 전기적 특성을 조사하였다. 이 때 생성되는 산화피막은 Mott-Schottky 식이 적용되는 n-형 반도체 성질을 보였으며, ZnO와 $Zn(OH)_2$로 구성되어 두 종류의 주개(깊은 주개와 얕은 주개)가 존재함을 알 수 있었다.
ZnO($Al_2O_3\;2%$ 2% doped) 산화물 타겟과 금속 Zn(Al 2% doped) 타겟을 사용하여 반응성 직류 마그네트론 스퍼터링법으로 산소 가스 및 인가 전력을 조절하면서 AZO(Aluminum doped Zine Oxide) 막을 증착하였다. 비저항과 평균 투과율을 고려할 때 최적의 투명전도성을 보이는 조건은 산화물 타겟의 경우 산소가스의 비가 $0.5{\times}10^{-2}~1.0{\times}10^{-2}$범위이며, 금속 타겟의 경우 인가전력 0.6kW에서는 0.215~0.227, 1.0kW에서는 0.305~0.315이었다. 각 최적조건에서 제막된 AZO 막의 비저항은 $1.2~1.4{\times}10^{-3} {\Omega}{\cdot}cm$cm으로 타겟에 의한 차이는 없었다.
Vertically aligned Zinc Oxide rod arrays were grown by the self-assembly hydrothermal process on the GaN epitaxial layer which has a same lattice structure with ZnO. Zinc nitrate and DETA solutions are used in the hydrothermal process. The $(HfO_2)$ thin film was deposited on GaN and the patterning was made by the photolithography technique. The selective growth of ZnO rod was achieved with the patterned GaN substrate. The fabricated ZnO rods are single crystal, and have grown along hexagonal c-axis direction of (002) which is the same growth orientation of GaN epitaxial layer. The density and the size of ZnO rod can be controlled by the pattern. The optical property of ordered array of vertical ZnO rods will be discussed in the present work.
Seo, Bo-Hyun;Lee, Sang-Hyuk;Jeon, Jea-Hong;Choe, Hee-Hwan;Lee, Kang-Woong;Lee, Yong-Uk;Seo, Jong-Hyun
한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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한국정보디스플레이학회 2007년도 7th International Meeting on Information Display 제7권1호
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pp.926-929
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2007
A significant progress has been made in the characterization of zinc oxide (ZnO) semiconductor as a new semiconductor layer instead of amorphous Si semiconductor used in thin film transistor due to its high electron mobility at low deposition temperature which is quite suitable for flexible display and OLED devices. The wet pattering of ZnO is another important issue with regard to mass production of ZnO thin film transistor device. However, the wet behavior of ZnO thin film in aqueous wet etching solutions conventionally used un TFT industry has not been reported yet, in this work, wet corrosion behavior of RF magnetron sputtered ZnO thin film in various wet solutions such as phosphoric and nitric acid solutions was studied using by electrochemical analysis. The effects of deposition parameters such as RF power and oxygen partial pressure on corrosion rate are also examined.
Jeon, Nu Ri;Song, Hoon Sub;Park, Moon Gyu;Kwon, Soon Jin;Ryu, Ho Jeong;Yi, Kwang Bok
청정기술
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제19권3호
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pp.300-305
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2013
ZnO(산화아연)와 rGO(환원 흑연산화물, reduced graphite oxide)로 구성된 복합체를 제조하여 중저온 영역($300-500^{\circ}C$)에서 $H_2S$(황화수소) 흡착실험을 수행하였다. rGO에 붙어있는 수산화기, 에폭시기, 그리고 카르복실기와 같은 산소를 포함하는 관능기들이 $H_2S$흡착에 미치는 영향을 조사하기 위해서 다양한 특성분석(TGA, XRD, FT-IR, SEM, 그리고 XPS)을 실시하였다. GO(흑연산화물, graphite oxide)를 rGO로 환원시키기 위해서 마이크로파 조사법을 사용하였다. 마이크로파 조사법에 의한 환원공정에서는 온화한 환원분위기를 조성하여 rGO 표면에 상당량의 산소 관능기들이 남아있는 것을 확인하였다. 이러한 관능기들은 나노 크기의 ZnO가 2D rGO 표면에 균일하게 부착되도록 유도하여 고온 영역에서도 ZnO의 응집 및 소결이 일어나는 것을 방지하는 효과가 있다. 이로 인해 ZnO/rGO 복합체는 순수한 ZnO와 비교하여 3.5배 정도의 흡착량을 보여주었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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