• Title/Summary/Keyword: ZnBO

Search Result 265, Processing Time 0.054 seconds

스퍼터링 방법으로 성장시킨 ZnO 박막의 결정질 향상을 위한 고온성장

  • Kim, Yeong-Lee;An, Cheol-Hyeon;Gang, Si-U;Kim, Dong-Chan;Gong, Bo-Hyeon;Han, Won-Seok;Jeon, Sang-Uk;Jo, Hyeong-Gyun
    • Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
    • /
    • 2007.04a
    • /
    • pp.163-164
    • /
    • 2007
  • ZnO 박막의 결정질을 향상시키기 위해 고온에서 RF 마그네트론 스퍼터링 방법으로 성장시켰다. 성장온도가 증가 할수록 박막의 결정질이 향상 되는 것을 TEM과 XRD 결과로 확인할 수 있었다. 또한 성장온도가 증가 할수록 박막의 표면 형상이 three-dimensional islands 구조를 가지며, grain size와 표면 거칠기가 증가 하는 것을 관찰 할 수 있었다. 위의 실험 결과로 우리는 RF 스퍼터링 방법으로 고온성장하여 ZnO 박막의 결정질을 향상시켰다.

  • PDF

Shape control of ZnO thin films and nanorods grown by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD 법으로 저온에서 성장한 ZnO 박막과 나노구조의 모양변화)

  • Kim, Dong-Chan;Kong, Bo-Hyun;Kim, Young-Yi;Jun, Sang-Ouk;An, Cheal-Hyoun;Cho, Hyung-Koun
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
    • /
    • 2006.11a
    • /
    • pp.21-21
    • /
    • 2006
  • 21세기 정보통신 및 관련 소재의 연구방향은 새로운 기능성 확보, 극한적 제어성, 복합 및 융합이라는 경향으로 발전해 가고 있다. 반도체 기술 분야에서 현재의 공정적 한계를 극복하고 새로운 기능성을 부여하기 위해 나노 합성과 배열을 기본으로 하여 bottom-up 방식의 나노소자 구현이 큰 주목을 받고 있다. 나노선의 경우 나노 스케일의 dimension, 양자 제한 효과, 우수한 결정성, self-assembly, internal stress 등 기존 벌크형 소재에서 발견할 수 없는 새로운 기능성이 나타나고 있어 바이오, 에너지, 구조, 전자, 센서 등의 분야에서의 활용이 가능하다. 현재 국내외적으로 반도체 나노선으로 널리 연구되고 있는 재료는 ZnO, $SnO_2$, SiC 등이 중심이 되고 있다. 이중 ZnO 나 노선의 합성을 위해서는 thermal CVD, MOCVD, PLD, wet-chemical 등 다양한 방법이 사용되고 있다. 특히 MOCVD 방법에 의해 수직 정렬된 ZnO 나노막대를 성장할 수 있다. 이러한 나노막대는 MO 원료 및 산소 공급량을 적절히 제어함으로서 수직 배향 및 나노선의 구경 제어가 가능하며, 나노 막대의 크기 제어와 관련해서는 반응 관내의 DEZn 와 $O_2$의 양을 변화시켜 구조체의 크기를 수 십 ~ 수 백 나노미터의 크기로 제어할 수 있다. 본 연구는 이러한 ZnO 나노선의 성장과정에서 $210^{\circ}C$ 이하의 저온에서 성장한 ZnO 버퍼층을 이용해 나노구조의 형상을 제어하고자 하였다. 특히 ZnO 저온 버퍼층의 두께에 따라 나노막대의 직경변화, 수직배향성, 형상변화의 제어가 가능하였다. 나노막대의 특성 평가는 TEM, SEM, PL, XRD 등을 이용하여 구조적, 결정학적, 광학적 특성을 분석하였다.

  • PDF

Single crystals growth and properties of $LiNbO_3$ doped with MgO or ZnO : (II) The electrical and optical properties (MgO 또는 ZnO를 첨가한 $LiNbO_3$단결정 성장 및 특성 : (II) 전기적 및 광학적 특성)

  • Cho, Hyun;Shim, Kwang-Bo;Auh, Keun-Ho
    • Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
    • /
    • v.6 no.4
    • /
    • pp.532-542
    • /
    • 1996
  • The electrical and optical properties of the annealed $LiNbO_{3}$ single crystal with congruently melting composition and MgO or ZnO doped $LiNbO_{3}$ single crystal grown by the FZ method. The electrical and optical properties such as electrical conductivity, dielectric constant (Curie temperature), electro-mechanical coupling factor, optical transmittance and refractive indices of the grown crystals were measured and the nonlinear refractive indices of the grown crystals were calculated theoretically. The doping effects of MgO and ZnO were investigated by comparing the electrical and optical properties of the undoped $LiNbO_{3}$ single crystal and those of the $LiNbO_{3}$ single crystals doped with MgO or ZnO.

  • PDF

CO Sensing Properties in Layer structure of SnO2-ZnO System prepared by Thick film Process (SnO2-ZnO계 후막센서 구조에 따른 CO 감지 특성)

  • Park, Bo-Seok;Hong, Kwang-Joon;Kim, Ho-Gi;Park, Jin-Seoung
    • Journal of Sensor Science and Technology
    • /
    • v.11 no.3
    • /
    • pp.155-162
    • /
    • 2002
  • The sensing properties of carbon monooxide were investigated as a function of mixing ratio and the lamination structure of 3mol% ZnO-doped $SnO_2$ and 3mol% $SnO_2$-doped ZnO. The lamination structures were fabricared monolayer, double layer, and hetero layer of $SnO_2$, Zno, and theirs mixture composition using thick film process. There was no second phase by the reaction of $SnO_2$ and ZnO. The conductance was decreased by the addition of ZnO in $SnO_2$, but it was increased with the addition of $SnO_2$ in ZnO. The conductance was increased with temperature and the inlet of CO. There was no improvement of sensitivity in the structure of mono- and double-layer. The hetero-layer structure, however, of $SnO_2$ 3ZnO-ZnO $3SnO_2$ showed the higher resistivity and the highest sensitivity. Ohmic characteristics was confirmed by the linear properties for I-V measurements.