Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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v.25
no.2
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pp.31-34
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2018
In this study, the feasibility of ZnO/Al/ZnO flexible transparent electrodes for future flexible optoelectronic devices was investigated. All depositions were performed on PET substrates. The thicknesses of the top and bottom ZnO layers were 5-70 nm and 2.5-20 nm, respectively. The highest visible light transmittance was recorded when the thicknesses of the top and bottom ZnO layers 30 nm and 2.5 nm, respectively. 62% optical transmittance (at the wavelength of 400 nm) and sheet resistance of $19{\Omega}/{\Box}$ were measured. After repetitive bending test at a curvature radius of 5 mm, the transmittance and sheet resistance did not change.
Il Ryoung Sohn;Tae Chul Kim;Sung Ju Kim;Myung Soo Kim;Jong Sang Kim;Woo Jin Lim;Seong Mo Bae;Su Hee Shin;Doo Jin Paik
Corrosion Science and Technology
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v.23
no.4
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pp.283-288
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2024
Hot-dip Zn-Mg-Al coatings have a complex microstructure consisting of Zn, Al, and MgZn2 phases. Its crystal structure depends on alloy content and cooling rates. Microstructure and corrosion resistance of these coatings might be affected by heat treatment. To investigate effect of heat treatment on microstructure and corrosion resistance of Zn-Mg-Al coatings, Zn-1.5%Mg-1.5%Al coated steel was heated up to 550 ℃ at a heating rate of 80 ℃/s and cooled down to room temperature. At above 500 ℃, the ternary phase of Zn-MgZn2-Al was melted down. Only Zn and MgZn2 phases remained in the coating. Heat- and non-heat-treated specimens showed similar corrosion resistance in Salt Spray Test (SST). When a Zn-3.0%Mg-2.5%Al coated steel was subjected to heat treatment at 100 ℃ or 300 ℃ for 200 h and compared with GA and GI coated steels, the microstructure of coatings was not significantly changed at 100 ℃. However, at 300 ℃, most Al in the coating reacted with Fe in the substrate, forming a Fe-Al compound layer in the lower part of the coating. MgZn2 was preferentially formed in the upper part of the coating. As a result of SST, Zn-Mg-Al coated steels showed excellent corrosion resistance, better than GA and GI.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2008.11a
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pp.235-236
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2008
Wet etched ZnO:Al films for thin film solar cells were prepared by Facing Target sputtering(FTS) method. Wet etching has been used to produce a rough TCO surface that enables light trapping in the absorber. The ZnO:Al films for thin film solar cells were etched by HCl 0.5%. The etching performance of ZnO:Al films can be tuned by changing etching time. The etched ZnO:Al films compared to a smooth ZnO:Al thin film structure. From the results, the lowest resistivity of deposited films was $5.67\times10^{-4}$ [$\Omega$-cm] and the transmittance of all ZnO:Al thin films were over 80% in visible range.
Damping capacities of Mg-2.5%Al and Mg-2.5%Zn (in atomic) solid solutions were comparatively investigated in order to clarify the influence of solutionized Al and Zn elements on the damping characteristics of Mg. In this study, solid solutions with similar grain size were obtained by solution treatment at 678 K for different times (24 h for Mg-2.5%Al and 36 h for Mg-2.5%Zn), followed by water quenching at RT. The Mg-2.5%Al and Mg-2.5%Zn solid solutions showed similar damping capacities in the strain-amplitude independent region of 1 × 10-6 ~ 1 × 10-5 and in the strain-amplitude dependent region below 6 × 10-4, over which the Mg-2.5%Zn solid solution possessed better damping capacity than the Mg-2.5%Al solid solution. The damping tendencies depending on strain-amplitude for the two solid solutions were analyzed and discussed in terms of similar length between weak pinning points (solutes) and different solute/dislocation interaction forces in Granato-Lücke model.
ZnO and Al-doped ZnO thin films were prepared by sol-gel dip-coating method and electrical and optical properties of films were investigated. Using the zinc acetate dihydrate and acetylaceton(AcAc) as a chelating agent stable ZnO sol was synthesized with HCl catalyst. Adding aluminium chloride to the ZnO sol Al-doped ZnO sol could be also synthesized. As Al contents increase the crystallinity of ZnO thin film was retarded by increased compressive stress in the film resulted from the difference of ionic radius between Zn2+ and Al3+ The thickness of ZnO and Al-doped ZnO thin film was in the range of 2100~2350$\AA$. The resistivity of ZnO thin films was measured by Van der Pauw method. ZnO and Al-doped ZnO thin films with annealing temperature and Al content had the resistivity of 0.78~1.65$\Omega$cm and ZnO and Al-doped ZnO thin film post-annealed at 40$0^{\circ}C$ in vacuum(5$\times$10-5 torr) showed the resistivity of 2.28$\times$10-2$\Omega$cm. And the trans-mittance of ZnO and Al-doped ZnO thin film is in the range of 91-97% in visible range.
The objective of this study was to evaluate corrosion resistance of Zn-Al-Mg alloy coated steel in residential water with trace quantities of Cl-. Comparative evaluations were performed using two commercial coated steel products, GI and Galvalume, as reference samples. Examination of corrosion morphology and measurement of weight loss revealed that the Zn-Al-Mg alloy coated steel exhibited higher corrosion resistance than reference samples. This finding suggests that the alloy coated steel possesses long-term corrosion resistance not only in highly Cl- concentrated environments such as seawater, but also in environments with extremely low levels of Cl- found in residential water. The primary factor contributing to the superior corrosion resistance of the Zn-Al-Mg alloy coated steel in residential water is the formation of an inhibiting corrosion product composed primarily of two phases: Zn5(OH)6(CO3)2 and Zn5(OH)8Cl2·H2O. The preferential dissolution of Mg from the corroded coating layer can increase alkalinity, which might enhance the thermodynamical stability of Zn5(OH)6(CO3)2.
Park Min-Woo;Park Kang-Il;Kim Byung-Sub;Lee Se-Jong;Kwak Dong-Joo
Korean Journal of Materials Research
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v.14
no.5
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pp.328-333
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2004
Transparent ZnO:Al conductor films for the optoelectronic devices were deposited by using the capacitively coupled DC magnetron sputtering method. The effect of Al doping concentration and discharge power on the electrical and optical properties of the films was studied. The film resistivity of $8.5${\times}$10^{-4}$$\Omega$-cm was obtained at the discharge power of 40 W with the ZnO target doped with 2 wt% $Al_2$$_O3$. The transmittance of the 840 nm thick film was 91.7% in the visible waves. Increasing doping concentration of 3 wt% $Al_2$$O_3$ in ZnO target results in significant decrease of film resistivity, which may be due to the formation of $Al_2$$O_3$ particles in the as-deposited ZnO:Al film and the reduced ZnO grain sizes. Increasing DC power from 40 to 60 W increases deposition rate by more than 50%, but can induce high defect density in the film, resulting in higher film resistivity.
The cold rolling workability and mechanical properties of two new alloys, designed and cast Al-5.5Mg-2.9Si and Al-7Mg-0.9Zn alloys, were investigated in detail. The two alloy sheets of 4 mm thickness, 30 mm width and 100 mm length were reduced to a thickness of 1 mm by multi-pass rolling at ambient temperature. The rolling workability was better for the Al-7Mg-0.9Zn alloy than for the Al-5.5Mg-2.9Si alloy; in case of the former alloy, edge cracks began to occur at 50% rolling reduction, and their number and length increased with rolling reduction; however, in the latter alloy, the sheets did not have any cracks even at higher rolling reduction. The mechanical properties of tensile strength and elongation were also better in the Al-7Mg-0.9Zn alloy than in Al-5.5Mg-2.9Si alloy. Work hardening ability after cold rolling was also higher in the Al-7Mg-0.9Zn alloy than in the Al-5.5Mg-2.9Si alloy. At the same time, the texture development was very similar for both alloys; typical rolling texture developed in both alloys. These differences in the two alloys can primarily be explained by the existence of precipitates of $Mg_2Si$. It is concluded that the Al-7Mg-0.9Zn alloy is better than the Al-5.5Mg-2.9Si alloy in terms of mechanical properties.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.21
no.6
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pp.575-579
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2008
Al-doped p-type ZnO films were fabricated on n-Si (100) and homo-buffer layers in pure oxygen at $450^{\circ}C$ of by RF magnetron sputtering. Target was ZnO ceramic mixed with 2 wt% $Al_2O_3$. XRD spectra show that the Al-doped ZnO thin films have ZnO crystal structure and homo-buffer layers are beneficial to Al-doped ZnO films to grow along c-axis. Hall Effect experiments with Van der Pauw configuration show that p-type carrier concentrations are ranged from $1.66{\times}10^{16}$ to $4.04{\times}10^{18}\;cm^{-3}$, mobilities from 0.194 to $2.3\;cm^2V^{-1}s^{-1}$ and resistivities from 7.97 to $18.4\;{\Omega}cm$. p-type sample has density of $5.40\;cm^{-3}$ which is smaller than theoretically calculated value of $5.67\;cm^{-3}$. XPS spectra show that Ols has O-O and Zn-O structures and Al2p has only Al-O structure. P-ZnO:Al/n-ZnO:Al junctions were fabricated by magnetron sputtering. V-I curves show that the p-n junctions have rectifying characteristics.
The age hardening behavior and mechanical properties of an extruded Al-Zn-Mg-(Cu)-0.1 wt.%Sc alloy were investigated with the Sc addition and ageing temperature. The results showed that the $Al_3Sc$ compounds were formed by Sc addition and distributed preferentially along the extrusion direction. The age hardening of Al-Zn-Mg-Cu-0.1 wt.%Sc alloy which was treated by T6 process was more significant than that of Al-Zn-Mg-0.1 wt.%Sc alloy. The tensile property of Al-Zn-Mg-Cu+0.1 wt.%Sc alloy was also higher than that of Al-Zn-Mg-0.1 wt.%Sc alloy, which is 691 MPa and 584 MPa in strength and 9% and 11% in elongation, respectively.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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