• 대한산업공학회지
• /
• 제28권2호
• /
• pp.178-186
• /
• 2002

The objective of this study is to evaluate impact of computer-based man-machine interfaces of Korea Next Generation Reactor (KNGR) on the operator mental workload. Empirical experiments were conducted to measure the operator mental workloads of KNGR and Yong-Gwang Unit 3 and 4, respectively. A comparison analysis based on a NASA TLX revealed that Yong-Gwang Unit 3 and 4 were superior to KNGR in terms of the mental workload. Post-hoc analyses showed that the mental workload of senior reactor operators was significantly higher than those of reactor and turbine operators, regardless of plant types. The implications of the findings were discussed in detail.

• 대한기계학회논문집B
• /
• 제29권3호
• /
• pp.409-416
• /
• 2005

We need to develop a on-line thermal performance analysis system for nuclear power plant to determine performance status and heat rate of turbine cycle. We have developed PERUPS(PERformance Upgrade System) to aid the effective performance analysis of turbine cycle. Procedures of performance calculation are improved using several adaptations from standard calculation algorithms based on PTC(Performance Test Code). Robustness in the on-line performance analysis is increased by verification & validation scheme for measured input data. The system also provides useful web interfaces for performance analysis such as graphic heat balance of turbine cycle and components, turbine expansion lines, automatic generation of analysis report. The system was successfully applied for YongGwang nuclear plant unit #3,4.

• 한국ITS학회 논문지
• /
• 제9권5호
• /
• pp.49-58
• /
• 2010

현재 국내에서 사용되는 교통신호제어기는 4구신호등(적색, 황색, 녹화살표, 녹색) 체계로 개발된 "경찰청 교통신호제어기 표준규격"을 따르고 있으나, 국가정책에 따라 3구신호등체계로 바뀌어 운영될 예정에 있다. 이에 따라 본 연구에서는 기존 4구신호등 체계로 개발된 표준규격 교통신호제어기를 3구신호등(적색, 황색, 녹색) 체계에 맞도록 신호등기부를 개선하는 방법으로 3구신호등용 교통신호제어기를 설계 개발하였다. 등기구동장치(LSU)는 2조의 3색 R-Y-G 출력스위치를 가져 총 6개의 출력용량을 갖도록 개선되었다. 이동류별 및 교통수단별(차량, 버스, 자전거, 보행) 3색 신호를 부여하기 위해 최대 16개까지 등기구동장치(LSU)를 수용하여 총 96개의 출력 용량을 갖도록 버스체계가 개선되었다. 최대 32개까지 늘어난 적색 등 점멸제어를 위해 점멸기(FLASHER) 장치를 개선하였다. 소프트웨어 부문에서는 지역제어기와 센터시스템 간 통신규약이 개선 되었으며, 3구신호등 체계의 LSU에 적합한 새로운 시그널맵 코드체계를 부여하였다. 개발된 3구신호등 제어용 교통신호기에 대해 프로토콜 운전, 원격제어기능, 제어모드별 운전기능을 각각 시험하였으며, 테스트 결과 모두 정상적으로 동작하였다.

• 한국건설관리학회논문집
• /
• 제6권1호
• /
• pp.186-194
• /
• 2005

본 연구는 건설공사 하도급계약의 당사자인 수급인과 하수급인간의 하도급계약금액 조정과 관련하여 발생하는 원인을 검토하고, 분쟁을 예방하기 위한 하도급대금조정 관련 법규의 개선방안을 제시하는 것을 목적으로 한다. 본 연구는 문헌연구, 하도급계약 법규에 관한 구조와 맥락의 분석 그리고 설문조사의 방법에 의하여 진행되었으며, 주요한 연구결과는 다음과 같다. (1) 발주자와 수급인의 계약금액 조정이 이루어지는 경우 그 내용을 하수급인에게 통지하도록 하는 절차에 관한 조항을 하도급법과 건설표준하도급계약조건에 규정하여야 한다. (2) 하수급인이 하도급계약 내용의 변경 및 그에 수반되는 하도급대금 조정을 청구할 수 있도록 하는 절차를 건설표준하도 급계약조건에 규정하여야 한다. (3) 하도급대금 조정에 관한 기준을 명확히 하기 위하여 건설표준하도급계약조건에서 사용되고 있는 불확정 개념인 단가, 낙찰률 등 용어의 정의를 명확히 하였다. (4) 수급인의 귀책으로 인해 발생하는 연장비용의 부담은 수급인이 부담하도록 하여 부담의 주체를 명확히 하고 연장비용의 산정기준으로 재정 경제부 제정 실비산정규정을 적용하여야 한다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 2012년도 제43회 하계 정기 학술대회 초록집
• /
• pp.308-309
• /
• 2012

One of the critical issues in the growth of multijunction solar cell is the formation of a highly doped Esaki interband tunnel diode which interconnects unit cells of different energy band gap. Small electrical and optical losses are the requirements of such tunnel diodes [1]. To satisfy these requirements, tens of nanometer thick gallium arsenide (GaAs) can be a proper candidate due to its high carrier concentration in low energy band gap. To obtain highly doped GaAs in molecular beam epitaxy, the temperatures of Si Knudsen cell (K-cell) for n-type GaAs and Be K-cell for p-type GaAs were controlled during GaAs epitaxial growth, and the growth rate is set to 1.75 A/s. As a result, the doping concentration of p-type and n-type GaAs increased up to $4.7{\times}10^{19}cm^{-3}$ and $6.2{\times}10^{18}cm^{-3}$, respectively. However, the obtained n-type doping concentration is not sufficient to form a properly operating tunnel diode which requires a doping concentration close to $1.0{\times}10^{19}cm^{-3}$ [2]. To enhance the n-type doping concentration, n-doped GaAs samples were grown with a lower growth rate ranging from 0.318 to 1.123 A/s at a Si K-cell temperature of $1,180^{\circ}C$. As shown in Fig. 1, the n-type doping concentration was increased to $7.7{\times}10^{18}cm^{-3}$ when the growth rate was decreased to 0.318 A/s. The p-type doping concentration also increased to $4.1{\times}10^{19}cm^{-3}$ with the decrease of growth rate to 0.318 A/s. Additionally, bulk resistance was also decreased in both the grown samples. However, a transmission line measurement performed on the n-type GaAs sample grown at the rate of 0.318 A/s showed an increased specific contact resistance of $6.62{\times}10^{-4}{\Omega}{\cdot}cm^{-2}$. This high value of contact resistance is not suitable for forming contacts and interfaces. The increased resistance is attributed to the excessively incorporated dopant during low growth rate. Further studies need to be carried out to evaluate the effect of excess dopants on the operation of tunnel diode.