• Title/Summary/Keyword: Yb-doped ITO

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High Temperature Durability Amorphous ITO:Yb Films Deposited by Magnetron Co-Sputtering

  • Jung, Tae Dong;Song, Pung Keun
    • Journal of Surface Science and Engineering
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    • v.45 no.6
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    • pp.242-247
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    • 2012
  • Yb-doped ITO (ITO:Yb) films were deposited on unheated non-alkali glass substrates by magnetron cosputtering using two cathodes (DC, RF) equipped with the ITO and $Yb_2O_3$ target, respectively. The composition of the ITO:Yb films was controlled by adjusting the RF powers from 0 W to 480 W in 120 W steps with the DC power fixed at 70 W. The ITO:Yb films had a higher crystallization temperature ($200^{\circ}C$) than that of the ITO films ($170^{\circ}C$), which was attributed to both larger ionic radius of $Yb^{3+}$ and higher bond enthalpy of $Yb_2O_3$, compared to ITO. This amorphous ITO:Yb film post-annealed at $170^{\circ}C$ showed a resistivity of $5.52{\times}10^{-4}{\Omega}cm$, indicating that a introduction of Yb increased resistivity of the ITO film. However, these amorphous ITO:Yb films showed a high etching rate, fine pattering property, and a very smooth surface morphology above the crystallization temperature of the amorphous ITO films (about $170^{\circ}C$). The transmittance of all films was >80% in the visible region.

Characteristics of High Temperature Durability Amorphous Yb-doped ITO Films Deposited on Polyimide Substrate (PI 기판위에 증착한 고온 내구성 비정질 Yb-doped ITO 박막의 특성)

  • Jeong, Tae-Dong;Kim, Se-Il;Song, Pung-Geun
    • Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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    • 2009.10a
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    • pp.174-174
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    • 2009
  • 다양한 ITO타겟(doped Yb: 0, 0.57, 3.2 and 7.75at%)을 사용하여, DC 마그네트론 스퍼터링에 의해 폴리이미드 기판위에 증착한 ITO:Yb박막의 구조적, 전기적, 기계적 특성을 연구하였다. 증착된 박막내의 Yb 함량이 증가됨에 따라, 박막의 결정성이 감소되고, 표면조도와 기계적 성질이 향상됨을 확인 할 수 있었다. 비정질구조를 가지는 박막 중, Yb-doped 3.2at% ITO타겟으로 증착하고, $170^{\circ}C$에서 어닐링처리 하였을 때, 가장 낮은 비저항 $4.672{\times}10^{-4}{\Omega}cm$을 나타내었다. ITO:Yb 박막의 전기적 특성은 Hall 효과 측정장비, 박막의 결정구조는 X-선 회절 (XRD), 표면조도는 AFM 장비를 사용하여 측정하였다.

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Characteristics of Amorphous ITO:Yb Films Deposited by Magnetron Co-Sputtering (마그네트론 2원 동시 방전법을 이용하여 증착한 비정질 Yb-doped ITO 박막의 특성)

  • Jeong, Tae-Dong;Kim, Se-Il;Song, Pung-Geun
    • Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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    • 2009.05a
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    • pp.189-189
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    • 2009
  • 다양한 증착 조건에서 마그네트론 2원 동시 방전법을 이용하여 유리기판위에 ITO (10wt% $SnO_2$ 타겟과 $Yb_{2}O_{3}$ 타겟을 사용하여 증착한 ITO:Yb 박막의 구조적, 전기적 특성을 연구하였다. 스퍼터 가스로서는 Ar 가스를 사용하였고, RF power가 0W이고 어닐링온도가 $200^{\circ}C$일 때, 가장 낮은 비저항 $2.442{\times}10^{-4}{\Omega}cm$을 나타내었다. ITO:Yb 박막의 전기적 특성은 Hall 효과 측정장비, 박막의 결정구조는 X-선 회절(XRD), 광학적 특성은 UV 측정장비를 사용하여 측정하였다.

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