• Title/Summary/Keyword: Y-TZO

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$TiO_2$가 도핑된 ZnO박막의 전기적 광학적 특성

  • Seo, Seong-Bo;Yun, Hyeong-O;Ji, Seung-Hun;Kim, Mi-Seon;Bae, Gang;Kim, Hwa-Min
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 2009.06a
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    • pp.42-43
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    • 2009
  • 본 연구에서는 고주파 마그네트론 스퍼터링방법을 사용하여 ITO박막을 대체할 수 있는 새로운 TCO박막으로서 $TiO_2$가 도핑된 ZnO(TZO) 박막을 성막하였다. 이때, $TiO_2$의 도핑량을 1wt.%에서 5wt.%까지 변화를 주었으며 제작된 TZO 박막에 대해서 전기적 특성과 광학적 특성들의 조성비와 박막두께의 할수로서 조사하였다. 그 결과, $TiO_2$가 2wt.% 도핑된 박막에서 가장 낮은 $1\times10^{-3}\Omega{\cdot}cm$의 비저항이 얻어졌으며, $TiO_2$의 도핑량이 증가함에 따라 비저항은 점점 증가하는 것으로 나타났다. 이와같은 비저항의 변화는 $TiO_2$도핑량이 다른 TZO박막의 홀이동도(Hall mobility)에 비례하며, 이동도는 결국 TZO박막을 형성하고 있는 결정립의 크기에 의존하는 것이 X선 회절 패턴으로부터 확인되었다. XRD 패턴에서 ZnO(002) 방향의 결정성이 가장 큰 것으로 나타났으며, 도핑량이 증가할수록(002)피크의 크기가 점점 감소하는 것을 볼 수 있다. 이는 결정성의 크기가 2wt.%일 때 가장 크며 도핑량이 증가할수록 결정성의 크기가 감소하는 것으로 나타났다. 결정립의 크기변화는 TZO박막의 전기적 이동도에 영향을 주는 것으로 나타난다. 즉, 2wt.%일 때 이동도가 가장 크며 도핑량이 증가할수록, 이동도가 감소하였으며 이결과는 TZO박막의 Hall effect 측정으로부터 확인된다. 따라서, $TiO_2$도핑량에 따른 TZO 박막의 비저항을 도핑량이 2wt.%일 때 가장 낮으며 이는 TZO 박막의 결정성이 가장 우수하였으며 그결과 이동도가 증가했기 때문인 것으로 확인되었다.

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Electrical and Optical properties of TiO2-doped ZnO Films prepared on PEN by RF-magnetron Sputtering Method (고주파 마그네트론 스퍼터링에 의해 성막된 TiO2가 도핑된 ZnO 박막의 전기적 및 광학적 특성)

  • Kim, Hwa-Min;Sohn, Sun-Young
    • Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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    • v.22 no.10
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    • pp.837-843
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    • 2009
  • $TiO_2$(2 wt.%)-doped ZnO(TZO) films with thickness from 100 nm to 500 nm were prepared on polyethylene naphthalate(PEN) substrate under various rf-power range from 40 W to 80 W. Their electrical and optical properties were investigated as a function of rf-power. We think that these properties were closely related with the crystallization and the film density of TZO films. It was also presumed that the vaporization of the water vapor and other adsorbed particles such as an organic solvents can affect the electrical properties of the conventional transparent conductive oxide(TCO) films. On the other hand, since the TZO film deposited on glass substrate at room temperature with rf-power of 80 W shows a very low resistivity of $7.5\times10^{-4}\;\Omega{\cdot}cm$ and a very excellent transmittance over an average 85% in the visible range, that is comparable to that of ITO films. Therefore, we expect that the TZO films can be used as transparent electrode for optoelectronic devices such as touch-panels, flat-panel displays, and thin-film solar cells.

Contact Damage and Strength Degradation of Yttria doped Tetragonal Zirconia Polycrystal (Y$_2$O$_3$ 를 첨가한 정방정 지르코니아에서의 접촉손상 및 강도저하)

  • 정연길;최성철
    • Journal of the Korean Ceramic Society
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    • v.35 no.5
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    • pp.429-436
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    • 1998
  • The mechanical properties and damage mode of {{{{ {Y}_{2 } {O}_{3} }}-doped tetragonal (Y-TZP) can-didated as biomaterials were performed under indentation stress-strain curve critical load for yield and cracking strength degradation and fatigue behavior with Hertzian indentation tests. This material shows the brittle behavior which is confirmed by indentation stress-strain response. The critical load for cracking(Pc) is much higher than that for yields (Py) indicating crack resistance Strength were strongly dependant on contact area and there were no degradation when the indenter size was ${\gamma}$=3.18 mm suggesting that Y-TZP should be highly damage tolerant to the blunt contacts. Multi-cycle contact were found to be innocuous up to {{{{ {10 }^{6 } }} cycles at 500N and {{{{ {10 }^{5 } }} cycles at 1000N in water. On the other hand contacts at {{{{ {10 }^{6 } }} cycles at 1000 N in water did show some signs of incipient degradation. By contrast contacts with Vickers indenter pro-duced substantial strength losses at much lower loads suggesting that the mechanical integrity of this ma-terial would be compromised by inadvertent sharp contacts.

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