• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2007년도 추계학술대회 논문집
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• pp.103-104
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• 2007

$CuInO_2$ 단일상은 합성조건이 매우 까다롭기 때문에 일반적인 고상법으로 얻기 힘든 것으로 알려저 있다. 투명전도성 $CuInO_2$ 박막을 증착하기 위하여 일반적인 고상법으로 Cu와 In의 비율이 1:1인 $Cu_2O-In_2O_3$ composite target 및 In 대신 Ca, Mg, Ti가 각각 1mol% 도핑된 target을 제작하였다. 제작된 각각의 composite target을 이용하여 pulsed laser deposition(PLD) 공정으로 투명전도성 $CuInO_2$ 박막을 증착하였다. Cu와 In이 1:1 인 $Cu_2O-In_2O_3$ composite target을 사용한 경우, 증착된 박막이 Cu와 In의 비율이 1:1인 c-axis 배향된 단일상의 $CuInO_2$ 박막임을 확인하였다.

• 한국디지털정책학회:학술대회논문집
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• 한국디지털정책학회 2006년도 추계학술대회
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• pp.409-418
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• 2006

The purpose of this paper is to present a low cost u-City portal development idea and to propose an exclusive system architecture using 3-D interface layers. 3-D interface layers consist of reused ideas of data from existed public data produced from GIS in order to reduce Produce Processes. 3-D interface layers implement a u-City portal systems that tags from physical spaces 1 ink to mobiles from ubiquitous networks between electronic spaces and physical spaces. Primary produce of this study exhibits an exclusive architecture of a u-City portal for speedy and low cost web 3-D interface layers and GIS data, and for implementation interface of 3-D types on USN of physical spaces. Secondary produce of this study represents that a 3-D u-City portal system has visualized speedy implementation characteristics for implementation of the application systems to execute an ubiquitous concept by returning electronic space to physical space, and to present the low cost 3-D u-City portal than an existed 3-D u-city development strategy. Therefore continuous expansion and study of the 3-D interface physical space under a 상황인지(Context Awareness)ubiquitous will appear the innovated u-City portal systems.

• 한국재료학회지
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• 제7권9호
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• pp.763-771
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• 1997

이규화몰리브덴 고온발열체의 제조공정을 개발하였다. 원료분말은 상용 MoSi$_{2}$분말이었으며 Bentonite, Si$_{3}$N$_{4}$, B, ThO$_{2}$를 각각 가소제와 첨가제로 사용하였다. 이들은 진공압출, 소결, 단자부 기계가공, U자형 성형, 용접 등의 과정을 거쳐 U자형 발열체로 제조되었다. 사용제품의 분석결과 최근 사용온도가 크게 증가된 것으로 알려진 190$0^{\circ}C$용 발열체는 다량(33wt%)의 W이 Mo을 치환하고 있는 것으로 나타났다. 발열체의 전기비저항은 겉보기 밀도가 증가함에 따라 급격하게 감소하는 경향을 보였으며 첨가물들의 영향은 미미하였다. 1400-1$600^{\circ}C$에서 용접한 경우 용접면에서의 전기비저항은 비용접부보다 낮았으며 용접온도가 증사함에 따라 감소하였다. 발열시험결과 제조된 발열체는 표면온도가 1$700^{\circ}C$이하에서는 문제가 없었으며 175$0^{\circ}C$ 이상의 온도에서는 원형의 융기가 표면에 발생하면서 급속하게 파괴되었다. 이 융기는 X-선 회절분석결과 SiO로 밝혀졌으며 따라서 발열체의 파괴는 MoSi$_{2}$/SiO$_{2}$계면에서의 Si(in MoSi$_{2}$) + SiO$_{2}$=2SiO(g)반응에 으해 일어나는 것으로 판단된다.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2014년도 추계학술대회 논문집
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• pp.106-106
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• 2014

Atomic layer deposition 방법으로 증착시킨 ZnO 박막은 다양한 종류의 태양전지에서 TCO, Buffer Layer 등 다양한 층에 활용될 수 있어 최근 많은 주목을 받고 있다. 각 적용분야에 필요한 요구조건에 따라 ZnO의 다양한 물리/화학적 특성은 이에 맞도록 조절될 필요가 있으며, 이는 ALD 공정을 통해 ZnO를 증착할 때도 마찬가지이다. 본 발표에서는 ALD를 이용한 ZnO 공정에서 이러한 물리/화학적 특성을 조절하기 위하여 시도되고 있는 precursor/reactant의 선정, 공정조건의 조절, 새로운 precursor의 적용 예를 들고, 특히 전기적 특성에 초점을 맞추어 이들이 증착된 ZnO 박막 특성에 미치는 영향을 조사하였다.

• 천문학회보
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• 제34권2호
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• pp.66.1-66.1
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• 2009

• 말소리와 음성과학
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• 제2권4호
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• pp.67-74
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• 2010

The purpose of this study was to explore the cross-linguistic difference in the spectral movement pattern of American English and Korean vowels. Eight American vowels /a/, /e/, /$\varepsilon$/, /i/, /I/, /o/, /u/, and /$\mho$/, and five Korean vowels, /a/, /e/, /i/, /o/ and /u/ in a fricative-vowel environment produced by adult speakers of each language were analyzed. The spectral movement patterns of the first two formant frequency values were measured and analyzed. The results showed that Korean vowels had minimal spectral movement, both in F1 and F2 values, as compared to American English vowels. Moreover, no consistent direction of movement was found in the three corner Korean vowels, while American English vowels showed consistent direction of movement for each vowel of the same phonemic category.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제45회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.189.1-189.1
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• 2013

Titanium dioxide (TiO2) is a wide bandgap semiconductor possessing photochemical stability and thus widely used for photocatalysis. However, enhancing photocatalytic efficiency is still a challenging issue. In general, the efficiency is affected by physio-chemical properties such as crystalline phase, crystallinity, exposed crystal facets, crystallite size, porosity, and surface/bulk defects. Here we propose an alternative approach to enhance the efficiency by studying interfaces between thin TiO2 layers to be stacked; that is, the interfacial phenomena influencing on the formation of porous structures, controlling crystallite sizes and crystallinity. To do so, multi-layered TiO2 thin films were fabricated by using a sol-gel method. Specifically, a single TiO2 thin layer with a thickness range of 20~40 nm was deposited on a silicon wafer and annealed at $600^{\circ}C$. The processing step was repeated up to 6 times. The resulting structures were characterized by conventional electron microscopes, and followed by carrying out photocatalytic performances. The multi-layered TiO2 thin films with enhancing photocatalytic efficiency can be readily applied for bio- and gas sensing devices.

• 대한화학회지
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• 제13권1호
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• pp.16-24
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• 1969

Ni, Co, Zn, Cd, Mn, Mg, Ca, Sr, Ba 등의2가 금속과 U(VI) 및 V(IV)의 이온이 만드는 $MCup_2$ 조성의 cupferrates 착화합물에 관하여, 그 용해도가 좋은 dioxane-$H_2O$, methanol-$H_2O$, ethanol-$H_2O$ 및 2-propanol-$H_2O$의 혼합용매를 사용하여, 그들의 몰분율을 변화시키면서 제 1, 제 2 및 전체의 열역학적인 안정도상수를 전위차적정법에 의하여 측정하고, 안정도 상수와 유기용매의 몰분율에 관한 실험식을 얻었다. 한편 분광광전법에 의하여 가능한 cupferrates의 전체 안정도 상수를 측적하여 이들과 비교하였다. 2가 금속 cupferrates의 안정도상수는 위에 적은 금속의 순서로 감소하고, 이들의 log $K_1$은 log $K_2$보다 크지만, U(VI)과 V(IV)의 cupferrates는 log $K_1$$K_2$여서 1:1과 1:2 착화합물 사이에 구조 변화가 있는듯하다. 몰분율이 영인 점에서의 안정도상수는 금속 cupferrates의 수용액에서의 용해반응의 평형상수에 해당하며, 금속의 착화합물의 안정도상수와 용해도와는 무관하고, K<$10^5$인 cupferrates에 관해서는 분광전법을 적용하기 어렵다.

• 대한예방의학회:학술대회논문집
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• 대한예방의학회 1998년도 제50차 추계 학술대회 연제집
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• pp.323-324
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• 1998

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2010년도 제39회 하계학술대회 초록집
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• pp.256-256
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• 2010

투명전극부터 디스플레이 산업에 이르기까지 광범위하게 응용되어지고 있고 개발되어지고 있는 투명전도산화물(TCO)은 ZnO, In2O3, SnO2 등을 기본으로 하는 n-type 재료가 대부분이다. 그러나 투명전도 산화물을 이용한 light emitting diode(LED), 투명한 태양전지, p-형 TFT와 같은 투명전자소자의 개발을 위해서는 p-type 소재가 필수적이다. p-type TCO 소재는 비교적 연구 개발 실적이 매우 부진한 실정이었다. 1997년 넓은 밴드갭을 가지는 ABO2(delafossite) 산화물이 p-type으로서 안정적이라는 것을 보고함에 따라 이에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 현재 ABO2 형태를 가진 Delafossite구조 산화물이 가장 유망한 p-type 투명전도체 소재로 거론되고 있다. Delafossite 구조가 p-type 투명전도체에 적합한 결정구조인 이유는 밴드갭이 넓고 공유결합에 유리하기 때문이다. Delafossite구조는 상온에서 2종류의 polytype(상온에서 Rhombohedaral구조와 hexagonal 구조)이 존재하며 이들은 각각 3R 및 2H의 결정 구조를 가지고 있다. ABO2의 delafossite구조에서 Cu+의 배열은 c-축을 따라 Cu-O-Cr-O-Cu의 연속적인 층 구조로서 2차원연결로 보여 진다. 보고된 Cu- base delafossite구조를 가지는 재료들은 CuAlO2, CuGaO2, CuInO2 등 여러가지가 있다. 본 연구에서는 PLD를 이용하여 c-plane 사파이어 기판위에 성장된 delafossite구조인 CuCrO2박막의 특성을 알아보았다. p-type 특성을 위하여 CuCrO2에 Zn를 첨가하였으며 그에 따른 구조적 전기적 특성을 조사하였다. 성장온도와 산소분압을 $500{\sim}700^{\circ}C$, 0~10mTorr로 변화시켜 특성을 연구하였다. 성장온도 $700^{\circ}C$, 산소분압 10mTorr에서 c-plane 사파이어 기판위에 c-축 배향의 에피성장된 CuCrO2:Zn 박막을 얻을 수 있었다. Mg를 도핑함에 따른 p-type 특성보다 현저히 떨어지는 것을 확인하였다. 또한 동일한 조건임에도 특정한 이차상의 존재를 통해 도핑된 Zn의 위치를 추측할 수 있었다. 온도와 분압에 따른 결정성과 표면상태를 SEM을 통해서 확인하였다.