Pulsed Laser Deposition of $CuIn_{1-x}M_xO_2$(M=Ca, Mg, or Ti) Thin Films for Transparent Conducting Oxide

  • 이종철 (경북대학교, 신소재공학부 전자재료전공) ;
  • 엄세영 (경북대학교, 신소재공학부 전자재료전공) ;
  • 허영우 (경북대학교, 신소재공학부 전자재료전공) ;
  • 이준형 (경북대학교, 신소재공학부 전자재료전공) ;
  • 김정주 (경북대학교, 신소재공학부 전자재료전공)
  • Published : 2007.11.12

Abstract

$CuInO_2$ 단일상은 합성조건이 매우 까다롭기 때문에 일반적인 고상법으로 얻기 힘든 것으로 알려저 있다. 투명전도성 $CuInO_2$ 박막을 증착하기 위하여 일반적인 고상법으로 Cu와 In의 비율이 1:1인 $Cu_2O-In_2O_3$ composite target 및 In 대신 Ca, Mg, Ti가 각각 1mol% 도핑된 target을 제작하였다. 제작된 각각의 composite target을 이용하여 pulsed laser deposition(PLD) 공정으로 투명전도성 $CuInO_2$ 박막을 증착하였다. Cu와 In이 1:1 인 $Cu_2O-In_2O_3$ composite target을 사용한 경우, 증착된 박막이 Cu와 In의 비율이 1:1인 c-axis 배향된 단일상의 $CuInO_2$ 박막임을 확인하였다.

Keywords