• 제목/요약/키워드: XeCl excimer laser

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Laser Thermal Processing System for Creation of Low Temperature Polycrystalline Silicon using High Power DPSS Laser and Excimer Laser

  • Kim, Doh-Hoon;Kim, Dae-Jin
    • 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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    • 한국정보디스플레이학회 2006년도 6th International Meeting on Information Display
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    • pp.647-650
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    • 2006
  • Low temperature polycrystalline silicon (LTPS) technology using a high power laser have been widely applied to thin film transistors (TFTs) for liquid crystal, organic light emitting diode (OLED) display, driver circuit for system on glass (SOG) and static random access memory (SRAM). Recently, the semiconductor industry is continuing its quest to create even more powerful CPU and memory chips. This requires increasing of individual device speed through the continual reduction of the minimum size of device features and increasing of device density on the chip. Moreover, the flat panel display industry also need to be brighter, with richer more vivid color, wider viewing angle, have faster video capability and be more durable at lower cost. Kornic Systems Co., Ltd. developed the $KORONA^{TM}$ LTP/GLTP series - an innovative production tool for fabricating flat panel displays and semiconductor devices - to meet these growing market demands and advance the volume production capabilities of flat panel displays and semiconductor industry. The $KORONA^{TM}\;LTP/GLTP$ series using DPSS laser and XeCl excimer laser is designed for the new generation of the wafer & FPD glass annealing processing equipment combining advanced low temperature poly-silicon (LTPS) crystallization technology and object-oriented software architecture with a semistandard graphical user interface (GUI). These leading edge systems show the superior annealing ability to the conventional other method. The $KORONA^{TM}\;LTP/GLTP$ series provides technical and economical benefits of advanced annealing solution to semiconductor and FPD production performance with an exceptional level of productivity. High throughput, low cost of ownership and optimized system efficiency brings the highest yield and lowest cost per wafer/glass on the annealing market.

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레이저 이온화 이온트랩 질량분석법을 이용한 금속 및 세라믹 시료의 원소분석에 관한 연구 (Study on elemental analysis of metal and ceramic samples by using laser ablation ion trap mass spectrometry(LAITMS))

  • 송규석;박현국;차형기;이상천
    • 분석과학
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    • 제15권1호
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    • pp.7-14
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    • 2002
  • 본 연구에서는 레이저 애블레이션 이온 트랩 질량분석법을 이용하여 금속 및 세라믹 시료들에 대한 원소분석을 수행하였고, 이때 이온화 장치로는 XeCI 엑시머 레이저를 사용하였고 검출장치로서 이온트랩 질량 분석기를 사용하였다. 시료는 트랩의 바깥에 장착하여 시료의 교환이 매우 쉽도록 하였고 고체시료의 분석에 있어서 매우 효과적임을 밝혔다. 헬륨기체의 압력이나 이온저장시간, 초기질량제한 RF 전압 등에 대한 기초 실험을 통하여 실험의 최적 조건을 구하였고 (헬륨 기체압력 $1{\times}10^{-4}$ Torr 이온 저장시간 100 ms 초기 질량 제한전압 $1150V_{p-p}$), 이 결과를 토대로 금속시료(구리, 몰리브데늄)와 세라믹 시료(알루미나 세라믹, 지르코니아 세라믹) 들에 대한 원소분석을 수행하였다.

A new crystallization method using a patterned $CeO_2$ seed layer on the plastic substrate

  • Shim, Myung-Suk;Kim, Do-Young;Seo, Chang-Ki;Yi, Jun-Sin;Park, Young-Soo
    • 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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    • 한국정보디스플레이학회 2004년도 Asia Display / IMID 04
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    • pp.1007-1010
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    • 2004
  • We report crystallization of a-Si using XeCl excimer laser annealing [1] on the plastic substrate. We tried to obtain higher crystallinity as the effect of $CeO_2$ seed layer patterned. Also, we tried to control the direction of crystallization growth of silicon layer for lateral growth as the type of $CeO_2$ pattern. This crystallization method plays an important role in low temperature poly-Si (LTPS) [2] process and flexible display.

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비정질 실리콘 박막에서 엑시머 레이저에 의한 붕소이온의 수평확산 (Lateral Diffusion of Boron Ions Implanted in The Amorphous Si Film On Silicon Oxide Film During Excimer Laser Irradiation)

  • 박수정;이민철;강수혁;한민구
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2002년도 하계학술대회 논문집 C
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    • pp.1612-1614
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    • 2002
  • 본 논문에서는 엑시머 레이저 조사에 의한 이온 농도의 분포 변화를 알아보기 위해 붕소 이온이 선택적으로 주입된 비정질 실리콘 박막 위에 XeCl (${\lambda}$=308nm) 엑시머 레이저를 조사하여 붕소이온의 수평 확산 현상을 관찰하였다. 도핑 농도의 분포를 알아보기 위해 불산/질산 용액에 의한 고농도 도핑 영역의 습식 식각을 이용하여 약 $10^{18}/cm^3$ 이하의 붕소이온을 가지는 실리콘 박막의 형태를 전자주사 현미경을 이용해서 관찰하였다. 실험 결과, $200mJ/cm^2$의 레이저 에너지가 조사될 경우, 약 100nm의 수평 확산이 일어났음을 확인 할 수 있었다.

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Transient Absorption Spectra of Phenothiazine Derivative in the Vesicle System Containing Ru$^{2+}$ Complex as a Sensitizer

  • Park, Yong-Tae;Kim, Young-Doo;Burkhart, Richard D.;Caldwell, Norris J.
    • Bulletin of the Korean Chemical Society
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    • 제9권2호
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    • pp.84-87
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    • 1988
  • The Photophysical and photochemical properties of Ruthenium bipyridine with two long hydrocarbon chains, $[Ru(bipy)_2(dhbipy)]^{2+}$ and transient phenothiazine derivative cation radical $(PTD^+)$ in the cationic vesicle were studied. Transient absorption spectra of cation radical of phenothiazine derivative in the vesicle system containing the $Ru^{2+}$ complex, $[Ru(bipy)_2(dhbipy)]^{2+}$, (1) as sensitizer and phenothiazine derivative as electron donor was observed by XeCl excimer laser photolysis system. Thus the excited ruthenium complex would be quenched by phenothiazine derivative(PTD) reductively in the vesicle system. The quenching rate constant($K_Q$) of $Ru^{2+}$ with two long hydrocarbon chains in the vesicle by PTD was $9.6{\times}10^8M^{-1}S^{-1}$. The absorption decay kinetics showed that lifetime of phenothiazine derivative cation radical is a value in the 4-8m sec range.

펄스폭 연속가변 Quenched Dye Laser (Continuous pulse width variable quenched dye laser)

  • 황선우;이영주;김성훈;최종운
    • 한국광학회지
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    • 제10권2호
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    • pp.152-156
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    • 1999
  • 여기밀도 변화에 따른 펄스폭 연속 가변 Quenched Dye Laser(Q이)를 설계 제작하여 그 동작 특성을 분석하였다. 펌핑광원은 펄스폭 20 ns(FWHM), 에너지 150mJ의 XecCl 엑시머 레이저를 사용하였으며, 색소레이저의 활성매질은 Rhodamine 6G로서 에탄올(ethanol)용액에 2.5$\times$10-3[mol/l]의 농도로 용해되었다. 활성길이 5 nm인 색소셀에서 서로 평행한 양면을 공진기로 구성하여 색소레이저의 이완발진 출력특성을 얻었다. 이완발진의 펄스열에서 단일 펄스를 추출하기 위해 QDL를 구성하였다. QDL의 펄스폭을 가변하기 위해 초점거리 f=150 mm 접속렌즈를 이동시켜 색소셀에 조사되는 공간적 펌핑폭을 조절함으로써 여기밀도를 8.8$\times$1023[cm-3s-1]~2.8$\times$1023[cm-3s-1]까지 가변시켰다. 공간적 펌핑폭에 따른 펄스폭 가변 실험을 수행한 결과 QDL의 발진 펄스폭이 86 ps~201 ps 사이에서 연속적으로 가변됨을 알 수 있었다.

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레이저 유도 형광법(LIF)을 이용한 층류 비예혼합 수소/질소 화염에서의 NO 농도 측정에 관한 연구 (A Study on Mensurement of NO Concentrations in Laminar Non-premixed H2/N2 Flame Using LIF)

  • 진성호;김성욱;박경석;김경수
    • 한국수소및신에너지학회논문집
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    • 제13권4호
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    • pp.279-286
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    • 2002
  • In this study, quantitative nitric oxide concentration distributions are investigated in the laminar non-premixed $H_2/N_2$ flames by laser-induced fluorescence (LIF). The measurements are taken in flames for different $N_2$ dilution ratios varying from 20~80%, and fuel flow rate is fixed as Islpm. The NO A-X (0,0) vibrational band around 226 nm is excited using a XeCl excimer-pumped dye laser. We applied same excitation line used in $CH_4$, premixed flame. Overall, NO concentration was rapidly decreased with Na addition and we could not measure the concentration any longer for $N_2$ dilution above 80%.

ESR 및 TRESR 分光法에 의한 Phenanthrenequinone의 光環元反應(I). Radical의 超微細分離常數에 미치는 溶媒效果 (A Photoreduction of Phenanthrenequinone by ESR and TRESR Spectroscopy(I)-Solvent Effect on Hyperfine-Splitting Constant of Radicals)

  • 홍대일;김창진
    • 대한화학회지
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    • 제37권3호
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    • pp.271-278
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    • 1993
  • 유기용매인 2-propanol, 2-pentanol 또는 benzene에 triethylamine을 혼합시켜 phenanthrenequinone을 포화시킨 용액에 Excimer laser(XeCl)를 쪼인 광환원반응에서 생성된 음이온 라디칼의 초미세 분리상수 전자스핀 공명분광법과 시간분애 전자스핀 공명분광법을 이용하여 얻었다. 그 결과 초미세분리상수 A$_{H1}$과 A$_{H2}$는 2-propanol에서 1.662, 0.378, 2-pentanol에서 1.602, 0.361 G이었고, benzene에서는 A$_{H1}$은 1.518이었다. 이와같이 혼합용매의 극성이 감소함에 따라 초미세 분리상수는 감소하였고, 비극성인 벤젠 혼합용매하에서는 자기적 등가양성자에 의한 작은 초미세분리(A$_{H2}$)는 측정할 수 없었다. 특히 2-pentanol과 triethylamine과의 3:1 혼합용매하에서 trietylamine radical(TEA${\cdot}$)이 0.15~0.30${\mu}s$ 시간범위의 시간분해 전자스핀공명 스펙트럼에서 phenanthrenequinone 음이온 라디칼과 함께 측정되었다. 이와같은 용매효과의 시간분해 전자스핀공명 스펙트럼의 측정 결과로부터 불안정한 짧은 수명의 반응중간체인 스핀편극된 phenanthrenequinone 음이온 라디칼(*PQ${\cdot}^-$)의 존재를 알 수 있었고, 각 혼합용매에서 초미세분리상수를 얻었다

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