• Title/Summary/Keyword: X-선 구조분석

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표면 분석기술의 반도체 응용 (II)-SEM 을 이용한 분석기술

  • Baek, Mun-Cheol
    • ETRI Journal
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    • v.10 no.1
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    • pp.53-63
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    • 1988
  • SEM은 전자현미경의 고배율 관찰 기능으로부터 여러가지 분석기능을 부착한 분석장비로서 그 영역을 확장하고 있다. 전자선과 시료의 반응으로부터 발생하는 각종 신호, 즉 X- 선이나 2차 전자 및 반사전자 등을 검출하여 확대상의 형성 이외에 성분분석을 행할 수 있다. 여기에서는 이러한 기능을 나타내기 위한 SEM의 구조와 기본 원리에 대해 조사하였고 검출된 신호를 처리하는 여러 기술을 언급하였다. 그리고 반도체 재료의 분석을 위하여 SEM 및 관련된 분석기술의 중요성과 방향 등을 언급하였다.

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Electrochemical Deposition of $CdSe_xTe_{1-x}$ Thin Films and Analysis of Their Crystal Structure (전착법에 의한 $CdSe_xTe_{1-x}$ 박막의 제작과 결정구조 분석)

  • Kim, Young-You;Lee, Ki-Seon
    • Solar Energy
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    • v.10 no.3
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    • pp.53-59
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    • 1990
  • [ $CdSe_xTe_{1-x}$ ] ($0{\le}x{\le}1$) thin films were deposited cathodically on Ti substrates in aqueous sulfric acid solution containing 1M $CdSO_4$ and 1mM$(TeO_2+SeO_2)$. The limiting current was observed in deposition potential ranging from -0.20 to -0.65 vs.Ag/AgCl ; although its value has changed a little depending on the mole ratio x, the limiting current was almost constant in deposition potential of -0.45V in spite of the change of mole ratio x. The crystal structure of the $CdSe_xTe_{1-x}$ thin films was cubic zinc-blonde in the range of mole ratio $x=0{\sim}0.8$, and hexagonal wurtzite in the mole ratio x=1 When the mole ratio changed from x=0 to x=0.8, diffraction peaks was shifted to the larger diffraction angle.

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다공성 ZnO 막의 황화과정을 통해 형성된 ZnS 막의 미세구조 연구

  • An, Heung-Bae;Lee, Jeong-Yong;Kim, Yeong-Heon
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2012.02a
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    • pp.326-326
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    • 2012
  • ZnS를 합성하는 방법 중 thioacetamide (TAA)를 녹인 물에 ZnO template를 넣어서 황화시키는 방법이 있다. 이 방법은 실험과정이 간편할 뿐만 아니라 그 반응양의 조절도 용이해 ZnS-ZnO core-shell 구조나 ZnS hollow 구조 등을 만드는데 널리 사용되고 있다. 그러나 다양한 형태의 ZnS 구조체 합성에 관한 연구는 활발한 반면, ZnS의 상형성 과정이나 구조 변화와 같은 ZnO의 황화 과정 기구에 관한 연구는 매우 미비한 실정이다. ZnS는 기본적으로 저온에서는 cubic sphalerite 구조를, 고온에서는 hexagonal wurtzite 구조를 안정상으로 가진다. 또한, 8H나 15R 등과 같은 다양한 polytype 구조도 존재한다. 그러나 다양한 구조에서 비슷한 면간거리가 존재하기 때문에 결정구조의 분석이 어려운 실정이다. 이러한 비슷한 면간거리를 가지는 ZnS 등의 결정구조 분석에 있어 원자배열을 직접적으로 관찰할 수 있는 투과전자현미경 (TEM, transmission electron microscopye)을 이용한 연구는 큰 강점을 가진다. 본 연구에서는 다공성 ZnO 막을 황화시켜 형성된 ZnS 막의 미세구조 특성을 분석하였다. 다공성 ZnO 막은 패턴된 Si (111) 기판 위에 스핀코팅법을 이용하여 4,000 rpm의 속도로 증착되었으며 ZnO 결정화를 위해 150 도와 500도에서 각각 drying과 후열처리를 수행하였다. 이렇게 만들어진 ZnO 막을 TAA를 녹인 물에 넣어 48 시간 동안 반응시켰고 최종적으로 ZnS 막을 생성하였다. 다공성 ZnS 막의 미세구조를 분석하기 위해 주사전자현미경 (SEM, scanning electron microscope), X-선 회절분석기 (XRD, x-ray diffractometer), 그리고 투과전자현미경을 이용하였으며, 정확한 결정구조 분석을 위하여 결정구조 시뮬레이션을 병행하였다.

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Design of Soft X-ray Tube and Simulation of Electron Beam by Using an Electromagnetic Finite Element Method for Elimination of Static Electric Field (전자기 유한요소법 전자빔 시뮬레이션을 이용한 정전기장 제거용 연한 X-선관 설계 특성 연구)

  • Park, Tae-Young;Lee, Sang-Suk;Park, Rae-Jun
    • Journal of the Korean Magnetics Society
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    • v.24 no.2
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    • pp.66-69
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    • 2014
  • The spreading tube of X-ray cathode tube displayed with an electromagnetic finite element method was designed. To analyze a feature design and the concrete coordinate performance of soft X-ray tube modeling, the orbit of electron beam was simulated by OPERA-3D SW program. The fixed conditions were the applied voltage, the temperature, the work function of thermal electron between cathode and anode of tungsten. Through the analysis of distribution of electron beam and the variation of dividing region, the design of soft X-ray spreading tube equipped with two cross filaments was optimized.

Effects of Annealing Heat Treatment Conditions on Phase Transformation of Nitinol Shape Memory Alloy (어닐링 열처리 조건에 따른 NITINOL형상기억합금의 상변환 특성 연구)

  • Yoon Sung Ho;Yeo Dong Jin
    • Composites Research
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    • v.18 no.2
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    • pp.38-45
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    • 2005
  • Phase transformation behaviors and crystal structures of Nitinol shape memory alloy $(54.5Ni-45.5Tiwt\%)$ are investigated by varying annealing heat treatment conditions through DSC (Differential Scanning Calorimetry) and XRD (X-Ray Diffraction). Annealing heat treatment conditions were considered as heat treated times of 5min, 15min. 30m1n, and 45min, as well as heat treated temperatures of $400^{\circ}C,\;500^{\circ}C,\;525^{\circ}C,\;550^{\circ}C,\;575^{\circ}C,\;600^{\circ}C,\;700^{\circ}C,\;800^{\circ}C,\;and\;900^{\circ}C$ According to the results, annealing heat treatment conditions such as heat treated times and heat treated temperatures were found to affect significantly on phase transformation behaviors and crystal structures of Nitinol shape memory alloy.

A stable solid state quantum dot sensitized solar cell with p-type CuSCN semiconductor and its dopping effect

  • Kim, Hui-Jin;Seol, Min-Su;Yong, Gi-Jung
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2011.02a
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    • pp.378-378
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    • 2011
  • 본 연구에서는 ZnO 나노선 기판을 제작하여 그 위에 밴드갭이 낮은 물질인 CdS, CdSe를 증착시킨 후 p-type 반도체 물질인 CuSCN을 증착시켜 안정성이 향상된 양자점 감응형 태양전지를 제작하였다. ZnO 나노선 기판은 투명한 FTO 기판 위에 ZnO를 진공증착시켜 seed layer를 제작하고 그 위에 $10{\mu}m$정도의 길이의 나노와이어를 성장시킨 후, 밴드갭이 낮은 CdS, CdSe 물질과의 다중접합을 이용하여 제작하고, 이러한 나노선 구조위에 chemical solution deposition을 이용하여 ${\beta}$-CuSCN을 형성시켰다. 양자점 감응형 태양전지는 ZnO 나노선을 photoanode로 이용하고 ZnO 나노선은 암모니아수와 아연염을 이용한, 비교적 저온의 수열합성법을 통해 합성하였고, sensitizer로 쓰인 CdS, CdSe 물질은 CBD방식을 통하여 합성된 나노선 위에 in-situ로 접합시켰다. 또한, 기존의 액체전해질을 이용한 양자점 감응형 태양전지의 안정성을 향상시키기 위해 p-type의 반도체 물질인 CuSCN물질을 propyl sulfide를 이용, ${\sim}80^{\circ}C$의 열을 가하여 in-situ 방식으로 다공성 구조에 효율적으로 접합이 가능하도록 deposition하였다. 일반적으로, CuSCN film은 홀 전도체로서의 장점을 지닌 반면, 전도성이 낮은 단점이 있기 때문에 이를 향상시키기 위해서 첨가제를 이용, 농도에 따라서 전도도가 향상되고 셀의 성능이 향상되는 것을 확인하였다. 이와 같이 합성된 구조는 주사전자현미경(SEM), X-선 회절(XRD), 솔라시뮬레이터 등의 분석장비를 이용하여 태양전지로서의 특성을 분석하였다. 또한 안정성 평가를 위하여 시간에 따른 셀의 특성변화도 비교하였다.

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