• Title/Summary/Keyword: X선 타겟

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Design of X-ray Target for a CNT-based High-brightness Microfocus X-ray Tube (탄소나노튜브를 이용한 고휘도 마이크로빔 X-선원 발생부 설계)

  • Ihsan Aamir;Kim Seon Kyu;Heo Seong Hwan;Cho Sung Oh
    • Journal of the Korean Vacuum Society
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    • v.15 no.1
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    • pp.103-109
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    • 2006
  • A target for a high-brightness microfocus x-ray tube, which is based on carbon nanotubes (CNT) as electron source, is designed. The x-ray tube has the following specifications: brightness of $1\times10^{11}phs/s.mm^2. mrad^2$, spot size $\~5{\mu}m$, and average x-ray energy of $20\~40 keV$. In order to meet the specifications, the design parameters of the target, such as configuration, material, thickness of the target as well as the required beam current, were optimized using computer code MCNPX. The design parameters were determined from the calculation of both x-ray spectrum and intensity distribution for a transmission type configuration. For the thin transmission type target to withstand vacuum pressure and localized thermal loading, the structural stability and temperature distribution were also considered. The material of the target was selected as molybdenum(Mo) and the optimized thickness was $7.2{\mu}m$ to be backed by $150{\mu}m$ beryllium (Be). In addition, the calculations revealed that the maximum temperature of the transmission target can be maintained within the limits of stable operation.

Deposition of Polytetrafluoroethylene Thin Films by IR-pulsed Laser Ablation (Nd:YAG 레이저에 의한 폴리테트라플루오르에틸렌 박막 증착)

  • Park Hoon;Seo Yu-Suk;Hong Jin-Soo;Chae Hee-Baik
    • Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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    • v.6 no.1
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    • pp.58-63
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    • 2005
  • PTFE (polytetrafluoroethylene) thin films were prepared from the pellets of the graphite doped PTFE via pulsed laser ablation with 1064 nm Nd:YAG laser. The graphite powder converts the absorbed photon energy into thermal energy which is transmitted to nearby PTFE. The PTFE is decomposed by thermal process. The deposited films were transparent and crystalline. SEM (scanning electron microscopy) and AFM (atomic force microscopy) analyses indicated that the film surface morphology changed to fibrous structure with increasing thickness. The fluorine to carbon ratios of the film were 1.7 and molecular axis was parallel with (100) Si-wafer substrate. These results obtained by XPS (X-ray photoelectron spectroscopy), FTIR (fourier transform infrared spectroscopy) and XRD (X-ray diffraction).

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Image Based Quality Assurance of Range Compensator for Proton Beam Therapy (양성자치료용 보상체의 영상기반 정도 관리 기반 프로그램 개발)

  • Kim, Jin-Sung;Yoon, Myong-Geun;Kim, Dong-Wook;Lim, Young-Kyung;Kwak, Jung-Won;Park, So-Ah;Shin, Dong-Ho;Shin, Jung-Wook;Lee, Se-Byeong;Park, Sung-Yong;Cho, Kwan-Ho
    • Progress in Medical Physics
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    • v.19 no.1
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    • pp.35-41
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    • 2008
  • The main benefit of proton therapy over photon beam radiotherapy is the absence of exit dose, which offers the opportunity for highly conformal dose distributions to target volume while simultaneously irradiating less normal tissue. For proton beam therapy two patient specific beam modifying devices are used. The aperture is used to shape the transverse extension of the proton beam to the shape of the tumor target and a patient-specific compensator attached to the block aperture when required and used to modify the beam range as required by the treatment plan for the patient. A block of range shifting material, shaped on one face in such a way that the distal end of the proton field in the patient takes the shape of the distal end of the target volume. The mechanical quality assurance of range compensator is an essential procedure to confirm the 3 dimensional patient-specific dose distributions. We proposed a new quality assurance method for range compensator based on image processing using X-ray tube of proton therapy treatment room. The depth information, boundaries of each depth of plan compensatorfile and x-ray image of compensator were analyzed and presented over 80% matching results with proposed QA program.

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Selenization methods for CIGS solar cell prepared by Cu-In-Ga metal precursors (CIGS 태양전지 제조를 위한 Cu-In-Ga 금속 전구체의 셀렌화 방법 연구)

  • Byun, Tae-Joon;Park, Nae-Man;Chung, Yong-Duck;Cho, Dae-Hyung;Lee, Kyu-Seok;Kim, Jeha;Han, Jeon-Geon
    • 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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    • 2010.06a
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    • pp.101.1-101.1
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    • 2010
  • $Cu(InGa)Se_2$ (CIGS) 태양전지는 박막형 태양전지 중 가장 높은 에너지 변환 효율이 보고 되고 있다. CIGS 태양전지를 제조하는 방법은 3 단계 동시 증착법, 금속 전구체의 셀렌화 공정법, 전기 증착법 등이 있다. 이 중 금속 전구체의 셀렌화 공정법은 다른 제조 방법에 비해 대면적 생산에 유리하고, 비교적 공정 과정이 간단하다는 장점이 있다. 하지만 금속 전구체의 미세구조 및 제조 방법, 셀렌화 공정의 최적화에 대한 연구가 부족하다. 본 실험에서는 후면전극으로 사용되는 Mo 층이 증착된 소다회 유리(soda-lime glass)를 기판으로 사용하였다. Cu-In(4:6), Cu-Ga(6:4) 타겟을 DC 스퍼터링 시스템을 이용하여 금속 전구체를 증착하였다. 이 후 미국 Delawere 대학교의 IEC 연구소와 한국전자통신연구원 (ETRI)에서 금속 전구체의 셀렌화 공정을 진행하였다. 셀렌화 공정 전후의 금속 전구체의 결정 크기와 미세구조의 변화를 관찰하기 위하여 주사전자현미경 (SEM)과 X선 회절 분석기 (XRD)를 사용하였다. 센렌화 공정이 진행된 금속 전구체 위에 버퍼층으로 사용되는 CdS와 전면전극으로 사영되는 ZnO, ITO 층을 합성한 후 에너지 변환 효율을 측정하였다. 최고 효율은 9.7%로 관찰되었다.

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Effect of deposition pressure on the morphology of TiO2 nanoparticles deposited on Al2O3 powders by pulsed laser deposition (펄스레이저 증착법에 의한 Al2O3 입자 표면 위 TiO2 나노입자의 코팅)

  • Choi, Bong Geun;Kim, So Yeon;Park, Cheol Woo;Park, Jae Hwa;Hong, Yoon Pyo;Shim, Kwang Bo
    • Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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    • v.23 no.4
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    • pp.167-172
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    • 2013
  • Titanium dioxides nanoparticles coated aluminum oxide powders were fabricated by pulsed laser deposition (PLD) with Nd : YAG laser at 266 nm. The Pulse laser energy is 100 mJ/pulse. During the irradiation of the focused laser on the $TiO_2$ target, Ar gas is supplied into the chamber. The gas pressure is varied in a range of $1{\times}10^{-2}$ to 100 Pa. Titanium dioxides nanoparticles deposited aluminum oxide powders were characterized by using energy dispersive X-ray spectroscopy (EDX), high resolution transmission electron microscopy (HR-TEM), in order to understand the effect of Ar background gas on surface morphology and properties of the powders. The coated $TiO_2$ nanoparticles had nanosized spherical shape and the crystallite sizes of 10~30 nm. The morphology of coated $TiO_2$ nanoparticles is not affected by gas pressure. However, the particle size and crystallinity slightly increased with the increase of gas pressure. According to this technique, the size and crystallinity of nanoparticles can be easily controlled by controlling pressure during the laser irradiation.

The Study on the Crystalline Structure and Corrosion Property of the Zn-Mg Coatings as a function of Deposition Temperature (합성 온도에 따른 Zn-Mg 박막의 결정구조, 내식특성에 관한 연구)

  • Ra, Jeong-Hyeon;Bae, Gi-Tae;Lee, Sang-Yul
    • Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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    • 2016.11a
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    • pp.178-178
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    • 2016
  • 최근 Zn-Mg 합금 박막은 고내식성의 합금상 형성, 치밀한 부식생성물의 부식억제 등으로 인해 순수한 Zn 박막 및 기타 Zn 계 합금 박막 대비 우수한 내식성을 나타난다고 보고되고 있다. 그러나 여러 문헌에서 보고된 Zn-Mg 박막 각기 다른 결정구조, 미세조직을 나타내며, 이는 Zn-Mg 박막이 낮은 융점을 나타내기 때문에 박막 합성 공정 중에 발생하는 열량에 따라 Zn-Mg 박막의 결정구조, 미세조직 등이 변화한 것으로 판단된다. 본 연구에서는 Zn-Mg 박막의 결정구조에 따른 내식특성을 평가하기 위하여 비대칭 마그네트론 스퍼터링 공정 중 합성온도를 제어하며 Zn-Mg 박막을 합성하였으며 그에 따른 박막의 결정구조, 내식성에 관해 연구하였다. Zn-Mg 박막은 10wt.% Mg 합금 타겟을 사용하였으며, 합성 온도는 상온에서 최고 $150^{\circ}C$로 제어하였다. Zn-Mg 박막의 결정구조, 미세조직은 X선 회절 분석기 (XRD)와 전계방출형 주사전자현미경 (FE-SEM)을 사용하여 분석하였으며, 동전위 분극시험을 통해 결정구조에 따른 Zn-Mg 박막의 내식성을 분석하였다. 상온에서 합성한 Zn-Mg 박막은 비정질의 결정구조가 형성되었으며, 상온이상 $50^{\circ}C$이하에서는 결정질의 Zn 상과 비정질상이 공존하는 Zn-Mg 박막이 합성되었다. 또한 $100^{\circ}C$이상에서는 Zn, $Mg_2Zn_{11}$, $MgZn_2$ 상이 공존하는 결정질의 Zn-Mg 박막이 합성되었다. 상온에서 합성된 Zn-Mg 박막의 경우 급냉이 이루어지는 스퍼터링 공정의 특성상 비정질의 결정구조가 형성되었으나, Zn는 융점이 낮아 상온부근에서도 재결정이 이루어지기 때문에 $50^{\circ}C$ 이하의 낮은 온도에서 합성하여도 결정질의 Zn 상이 형성되었다. $Mg_2Zn_{11}$, $MgZn_2$ 과 같은 Zn와 Mg의 합금상의 경우 형성과정에서 일정 수준의 열이 요구되기 때문에 낮은 온도에서는 형성이 억제되고 일정 이상의 온도에서 형성되었다. FE-SEM 분석 결과를 통하여 $50^{\circ}C$ 이하의 낮은 온도에서 합성한 Zn-Mg 박막은 치밀한 미세구조를 나타내었으며, $100^{\circ}C$이상에서 합성한 Zn-Mg 박막의 미세구조는 밀도가 비교적 낮은 구조임을 확인하였다. 3.5% NaCl 수용액에서의 동전위 분극시험 결과 낮은 온도에서 합성한 Zn-Mg 박막이 고온에서 합성한 Zn-Mg 박막 대비 치밀한 구조가 형성되었기 때문에 우수한 내식성을 나타내었다.

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Preparation of Bismuth Telluride Thin Films using RF magnetron sputtering and Study on Their Thermoelectric Properties (RF 마그네트론 스퍼터링을 이용한 Bismuth Telluride 박막의 제조와 그 열전 특성 연구)

  • Kim, Dong-Ho;Lee, Gun-Hwan
    • Journal of the Korean Vacuum Society
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    • v.14 no.4
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    • pp.215-221
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    • 2005
  • Thermoelectric bismuth telluride thin films were prepared on $SiO_{2}$/Si substrate with co-sputtering of bismuth and tellurium targets. The effects of deposition temperature on surface morphology, crystallinity and electrical transport properties were investigated. Hexagonal crystallites were clearly visible at the surface of films deposited above $290 ^{\circ}C$. Change of dominant phase from rhombohedral $Bi_2Te_3$ to hexagonal BiTe was confirmed with X-ray diffraction analysis. The deviation from stoichiometric composition at high deposition temperature resulted in the change of structural and electrical characteristics. Seebeck coefficients of all samples have negative value, indicating the prepared $Bi_XTe_Y$ films are n-type thermoelectric. Optimum of Seebeck coefficient and power factor were obtained at the deposition temperature of $225 \^{circ}$C (about -55 $\mu$V/K and $3\times10^{-4}$ W/$k^{2}$m, respectively). Deterioration of thermoelectric properties at higher temperature.