• 제목/요약/키워드: Wire screen

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실리콘 이종접합 태양전지의 버스바 전극 두께와 접합강도의 상관관계 (A Study on Correlation between Busbar Electrodes of Heterojunction Technology Solar Cells and the Peel Strength)

  • 전다영;문지연;박고등;오트곤게렐 줄만다크;남혜령;권오련;임현수;김성현
    • Current Photovoltaic Research
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    • 제11권2호
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    • pp.44-48
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    • 2023
  • In heterojunction technology (HJT) solar cells, low-temperature curing paste is used because the passivation layer deteriorates at high temperatures of 200℃ or higher. However, manufacturing HJT photovoltaic (PV) modules is challenging due to the weak peel strength between busbar electrodes and cells after soldering process. For this issue, the electrode thicknesses of the busbars of the HJT solar cell were analyzed, and the peel strengths between electrodes and wires were measured after soldering using an infrared (IR) lamp. As a result, the electrodes printed by the screen printing method had a difference in thickness due to screen mask. Also, as the thickness of the electrode increased, the peel strength of the wire increased.

다공성 물질을 이용한 공기용 태양열 집열기의 설계를 위한 이론적 연구 (A Theoretical Study for the Design of Solar Air Heaters Using Porous Material)

  • 황용하;박승호;김종억
    • 태양에너지
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    • 제13권2_3호
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    • pp.79-90
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    • 1993
  • 본 연구에서는 다공성 물질을 이용한 공기용 태양열 집열기(Solar Air Heater)의 설계를 위한 이론적 해석을 하였다. 해석시 필요한 유리 덮개 및 다공성 매질의 파장에 따른 복사특성을 Visible Spectrometer 및 FT-IR로 측정하였다. 다공성 매질로 15 메쉬의 Stainless Steel Wire Screen을 대상으로 하였다. 열전달 현상은 1차원으로 가정하고, 열복사는 Two-Flux Model을 사용하여, 여러 경우의 유량 및 복사 물성치에 대한 집열기 내부에서의 공기온도 및 다공성 매질의 온도를 계산하여 이에 따른 집열기의 효율 등을 계산하였다. 결과로는 무광택 페인트 코팅이 된 경우가 좋은 복사특성을 보였고, 공기유량이 증가할수록, 알베도(Albedo)는 가시광선 영역에서는 작을수록, 적외선 영역에서는 클수록 집열기의 효율은 증가하였다. 다공성 매질의 두께는 0.001m가 적합함을 보였다. 본 연구에서 이는 광학적 두께(Optical Thickness)가 약 1 정도를 의미한다.

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유무선 인터넷전화 단말에 대한 해킹 공격 연구 (A Study on Hacking Attack of Wire and Wireless Voice over Internet Protocol Terminals)

  • 권세환;박대우
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
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    • 한국해양정보통신학회 2011년도 추계학술대회
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    • pp.299-302
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    • 2011
  • 최근 인터넷전화는 IP기반에서 유선과 무선을 이용하여 음성뿐만 아니라 멀티미디어 정보전송을 제공한다. 유무선 인터넷전화는 네트워크상에서 인터넷전화 호 제어 신호 및 통화 내용의 불법 도청이 용이하며, 서비스 오용 공격, 서비스 거부 공격의 대상이 될 수 있는 등 기존 유선전화에 비해 여러가지 보안취약점이 존재한다. 본 논문에서는 인터넷전화 단말에서 IP Phone 정보를 획득하기 위한 스캐닝을 통해 IP Phone의 패스워드를 확인하고, 관리자 페이지를 통해 로그인을 성공한다. 그 후 IP Phone 관리자 페이지를 접속한 후 VoIP 설정 화면으로 전화번호, 포트번호, 인증번호 등을 수정한다. 또한 관리자 페이지에서 등록되어 있는 IP Phone들의 통화기록을 확인하여 개인정보 해킹을 연구한다.

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SMS 서비스를 활용한 학습시스템의 구현 (Embodiment of studying system decline SMS service)

  • 나종원;양정태
    • 한국항행학회논문지
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    • 제12권4호
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    • pp.317-323
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    • 2008
  • 인터넷과 무선통신의 기술은 무선인터넷 서비스로 발전하고 있다. 휴대폰은 저용량의 메모리, 작은 스크린과 성능 등 여러 제한점이 있지만, 이동성과 시공간을 추월한 정보접근의 유리한 점을 가지고 있다. 본 논문에서는 기존의 유선인터넷에서만 이루어지던 온라인 학습을 휴대폰에서 가능하도록 학습시스템을 설계하고 구현한다. 대행업체를 통한 SMS 전송방식은 SMS 대행업체와 네트워크로 구성이 되어야 하나, SMS 전용모뎀 전송방식은 일반 PC와의 연결만으로 시스템 구축이 가능하다. 본 논문은 SMS 전용모뎀을 통하여 SMS Service가 가능하도록 시스템을 구성하고, DB를 제공하여 사용자의 다양한 요구를 반영할 수 있도록 구성하였다.

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Critical Cleaning Requirements for Back End Wafer Bumping Processes

  • Bixenman, Mike
    • 한국마이크로전자및패키징학회:학술대회논문집
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    • 한국마이크로전자및패키징학회 2000년도 Proceedings of 5th International Joint Symposium on Microeletronics and Packaging
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    • pp.57-64
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    • 2000
  • As integrated circuits become more complex, the number of I/O connections per chip grow. Conventional wire-bonding, lead-frame mounting techniques are unable to keep up. The space saved by shrinking die size is lost when the die is packaged in a huge device with hundreds of leads. The solution is bumps; gold, conductive adhesive, but most importantly solder bumps. Virtually every semiconductor manufacturer in the world is using or planning to use bump technology fur their larger and more complex devices. Several wafer-bumping processes used in the manufacture of bumped wafer. Some of the more popular techniques are evaporative, stencil or screen printing, electroplating, electrodes nickel, solder jetting, stud bumping, decal transfer, punch and die, solder injection or extrusion, tacky dot process and ball placement. This paper will discuss the process steps for bumping wafers using these techniques. Critical cleaning is a requirement for each of these processes. Key contaminants that require removal are photoresist and flux residue. Removal of these contaminants requires wet processes, which will not attack, wafer metallization or passivation. research has focused on enhanced cleaning solutions that meet this critical cleaning requirement. Process parameters defining time, temperature, solvency and impingement energy required to solvate and remove residues from bumped wafers will be presented herein.

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Critical Cleaning Requirements for Back End Wafer Bumping Processes

  • Bixenman, Mike
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제7권1호
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    • pp.51-59
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    • 2000
  • As integrated circuits become more complex, the number of I/O connections per chip grow. Conventional wire-bonding, lead-frame mounting techniques are unable to keep up. The space saved by shrinking die size is lost when the die is packaged in a huge device with hundreds of leads. The solution is bumps; gold, conductive adhesive, but most importantly solder bumps. Virtually every semiconductor manufacturer in the world is using or planning to use bump technology for their larger and more complex devices. Several wafer-bumping processes used in the manufacture of bumped wafer. Some of the more popular techniques are evaporative, stencil or screen printing, electroplating, electroless nickel, solder jetting, stud humping, decal transfer, punch and die, solder injection or extrusion, tacky dot process and ball placement. This paper will discuss the process steps for bumping wafers using these techniques. Critical cleaning is a requirement for each of these processes. Key contaminants that require removal are photoresist and flux residue. Removal of these contaminants requires wet processes, which will not attack, wafer metallization or passivation. Research has focused on enhanced cleaning solutions that meet this critical cleaning requirement. Process parameters defining time, temperature, solvency and impingement energy required to solvate and remove residues from bumped wafers will be presented herein.

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PMSM 전동기 모터의 복합 열전달 해석을 위한 CFD 프로그램 개발 (DEVELOPMENT OF CFD PROGRAM FOR THE CONJUGATE HEAT TRANSFER ANALYSIS OF PMSM ELECTRIC MOTOR)

  • 이정희;;허남건;김주한;김영균
    • 한국전산유체공학회:학술대회논문집
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    • 한국전산유체공학회 2011년 춘계학술대회논문집
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    • pp.488-493
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    • 2011
  • The object of this study is to develope the program for analyzing the fluid flow and heat transfer of PMSM electric motor. The program will be mainly used for inexperienced users of CFD analysis. So it has to be performed using the geometry data and the heat source of each part only. Interface program for converting the given data to the instruction of pre-processor is developed. The conjugate heat transfer between a flow passage of the motor and inner parts consisting of rotor and stator is regarded. In order to reduce the computational time and memory storage, cyclic boundary condition is applied. For the numerical simulation, MRF(Multi-Reference Frame) method is used to consider rotating operation of the rotor and heat source is applied to the copper, wire, and magnetic parts in the motor. On the screen of computer, the users can show the velocity distributions and the contours such as pressure, turbulent kinetic energy, turbulent dissipation rate and temperature.

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RADIAL UNIFORMITY OF NEUTRON IRRADIATION IN SILICON INGOTS FOR NEUTRON TRANSMUTATION DOPING AT HANARO

  • KIM MYONG-SEOP;LEE CHOONG-SUNG;OH SOO-YOUL;HWANG SUNG-YUL;JUN BYUNG-JIN
    • Nuclear Engineering and Technology
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    • 제38권1호
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    • pp.93-98
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    • 2006
  • The radial uniformity of neutron irradiation in silicon ingots for neutron transmutation doping (NTD) at HANARO is examined by both calculations and measurements. HANARO has two NTD holes named NTD1 and NTD2. We have been using the NTD2 hole for 5 in. NTD commercial service, and we intend to use two holes for 6 in. NTD. The objective of this study is to predict the radial uniformity of 6 in. NTD at the two holes. The radial neutron flux distributions inside single crystal and noncrystal silicon loaded at the NTD2 hole are calculated by the VENTURE code. For NTD1, the radial distributions of the reaction rate for a 6 in. NTD with a neutron screen are calculated by MCNP, and measured by gold wire activation. The results of the measurements are compared with those of the calculations. From the VENTURE calculation, it is confirmed that the neutron flux distribution in the single crystal silicon is much flatter than that in the non-crystal silicon. The non-uniformities of the measurements for radial neutron irradiation are slightly larger than those of the calculations. However, excluding local dips in the measurements, the overall trends of the distributions are similar. The radial resistivity gradient (RRG) for a 5 in. silicon ingot is estimated to be about $1.5\%$. For a 6 in. ingot, the RRG of a silicon ingot irradiated at HANARO is predicted to be about $2.1\%$. Also, from the experimental results, we expect that the RRG would not be larger than $4.4\%$.

DAQ System을 활용한 초지기 맥동현상의 개선

  • 이영준;김도환;서동준;고두석;이복진
    • 한국펄프종이공학회:학술대회논문집
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    • 한국펄프종이공학회 2001년도 춘계학술발표논문집
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    • pp.81-81
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    • 2001
  • 초지 공정은 wire, roll, pump등의 회전체로 이루어진 공정이 거의 대부분이기 때문에 주기적으로 변동하는 성분들이 많고, QCS(Quality Control System) 및 DCS(Distributed Co n ntrol System)상에 서 의 자동 Control Logic에 의 한 불안정 (Fluctuation)요소도 내 재 되 어 있 어 이에 대한 분석이 필요하다. 이러한 주기적인 변동은 제품의 여러 물성(평량, 두께, 광택 도등) 에 영향을 미치게 되어 품질의 균일성이나 프로파일에 영향을 미치게 된다. 따라서 공정상이나 품질에서 주기적으로 변동하는 성분을 추출하여 공정 각 성분과 연관을 시키변 품질에 나타나는 주기적 성분의 요인이 어느 부분에서 기인하는 지를 직접적으로 찾아낼 수 있고 이의 개선을 통해 품질의 균일성 및 프로파일 향상을 꾀할 수 있다. 본 연구에서는 Air padded type 헤드박스 초지기에서 DAQ(Data Acquisition) System 을 이용하여 각 공정별로 MD(Machine Direction)방향으로의 변동을 측정하고 제품의 물성 변동과 비교하였다. DAQ System은 각 공정상의 전기적 신호를 높은 주파수 영역까지 다채널로 동시에 받 아 들일 수 있는 장치로 이 시스템을 활용하여 공정상의 Machine chest 농도, Stock box 유량 및 레벨, Fan pump RPM, Cleaner압력, Screen압력, H!B압력 및 레벨, Silo level등 공 정요소의 변동상태와 상호영향을 분석하였다. 이러한 공정 각 요소의 변동과 MD 방향의 제품 물성 값(Tapio, Paper Variation Analyzer에 대한 비교 분석결과 제품 평량에서 주기적인 변동성분을 확인할 수 있었고 이중 큰 비 중을 차지하는 것이 fνB 레벨 변동주기와 일치하는 것을 찾아낼 수 있었다. 이에 근거하여 D DCS system의 control 요소인 튜닝 parameter(P,I 값)들을 미 세 조정 하여 제 품의 MD방향 평량 변동 진폭을 기존 수준의 30% 수준으로 감소시킬 수 있었다. 그 결과 COV(표준편차/ 평량)값을 0.8-1.2%에서 0.6-0.8%수준으로 낮출 수 있었고 이에 따라 CD (Cross Direction) 방향의 제품 Profile도 함께 개선되는 효과를 거둘 수 있었다.

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수중 프로펠러 명음 현상의 규명에 관한 연구 (A study on the identification of underwater propeller singing phenomenon)

  • 김태형;이형석
    • 한국음향학회지
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    • 제37권2호
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    • pp.92-98
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    • 2018
  • 본 논문은 모형 프로펠러를 대상으로 공동수조 시험, 수중 충격시험, 유한요소해석 및 전산유체해석에 기반하여 수행한 명음 발생 메커니즘 연구이다. 선미 유동을 모사하기 위해 반류망, 프로펠러 및 방향타를 설치하고 수중청음기와 가속도계로 프로펠러 명음 현상의 발생과 소멸을 계측하였다. 유한요소해석을 통해 프로펠러 날개의 고유진동수를 예측하고 접촉 및 비접촉식 충격시험으로 이를 검증하였다. RANS(Reynolds Averaged Navier-Stokes) 방정식 기반 전산유체해석을 통하여 프로펠러 날개 각 단면의 유속과 유효 받음각을 계산하였으며, DES(Detached Eddy Simulation) 기반 고해상도 해석을 통해 명음 발생 위치에서 2-D 날개 단면 뒷전의 와류흘림주파수(vortex shedding frequency) 계산을 수행하였다. 수치적으로 예측된 와류흘림주파수는 모형시험으로 계측한 명음 발생 주파수 및 날개 고유진동수와 일치함을 확인하였다.