The secondary electron emission coefficient $({\gamma})$ of the cathode is an important factor for improving the discharge characteristics of AC-PDPs because of its close relationship to discharge voltage. In AC-PDPs, MgO is most widely used as a surface protective layer. In this experimental, we have investigated the electronic structure of the energy band structure of the MgO layer responsible for the high ${\gamma}$. The MgO layers have been deposited by electron beam evaporation method, where the $O_2$ partial pressures have been varied as 0, $5.2{\times}10^{-5}$ torr, $1.0{\times}10^{-4}$ torr, and $4.1{\times}10^{-4}$ torr, in this experiment. It is noted that work function that is energy gap between surface and first defect level of MgO layer has the lowest value for the highest O2 partial pressure of $4.1^{\ast}10^{-4}$ Torr.
This paper describes a ultrasonic signal processing front-end IC for distance range meter and body detector. The burst shaped ultrasonic signal is generated by a self oscillator and its frequency range is about 40[kHz]-300[kHz]. The generated ultrasonic signal transmit through piezo resonator. The another piezo device transduce from received ultrasonic signal to electrical signals. This front-end IC contained low noise amplifier, band pass filter, busrt detector and time pulse generator and so on. This IC has two type of new idea for improve function and performance, which are self frequency control (SFC) and Variable Gain Control amplifier (VGC) scheme. The dimensions and number of external parts are minimized in order to get a smaller hardware size. This device has been fabricated in a O.6[um] double poly, double metal 40[V] High Voltage CMOS process.
Analytical and simulation error models have the ability to describe (or realize) error-corrupted versions of spatial data. But the different approaches for modeling positional errors require an internal validation that ascertains whether the analytical and simulation error models predict correct positional errors in a defined set of conditions. This paper presents stochastic simulation models of a point and a line segm ent to be validated w ith analytical error models, which are an error ellipse and an error band model, respectively. The simulation error models populate positional errors by the Monte Carlo simulation, according to an assumed error distribution prescribed by given parameters of a variance-covariance matrix. In the validation process, a set of positional errors by the simulation models is compared to a theoretical description by the analytical error models. Results show that the proposed simulation models realize positional uncertainties of the same spatial data according to a defined level of positional quality.
The Korea Astronomy and Space Science Institute plans to develop a coronagraph in collaboration with National Aeronautics and Space Administrative (NASA) and install it on the International Space Station (ISS). The coronagraph is an externally occulted one stage coronagraph with a field of view from 2.5 to 15 solar radii. The observation wavelength is approximately 400 nm where strong Fraunhofer absorption lines from the photosphere are scattered by coronal electrons. Photometric filter observation around this band enables the estimation of 2D electron temperature and electron velocity distribution in the corona. Together with the high time cadence (< 12 min) of corona images to determine the geometric and kinematic parameters of coronal mass ejections, the coronagraph will yield the spatial distribution of electron density by measuring the polarized brightness. For the purpose of technical demonstration, we intend to observe the total solar eclipse in 2017 August for the filter system and to perform a stratospheric balloon experiment in 2019 for the engineering model of the coronagraph. The coronagraph is planned to be installed on the ISS in 2021 for addressing a number of questions (e.g. coronal heating and solar wind acceleration) that are both fundamental and practically important in the physics of the solar corona and of the heliosphere.
A self-charging supercapacitor is constructed through simple integration of the energy storage and photo exited materials at the photo electrode. The large band gap of $NiO/Fe_3O_4$ heterostructure generates photo electron at the photo electrode and store the charges through redox mechanism at the counter electrode. Sulfanilic acid azocromotrop/reduced graphene oxide layer at the photo electrode trapped the photo generated hole and store the charge by forming double layer. The solar supercapacitor device is charged within 400 s up to 0.5 V and exhibited a high specific capacitance of ~908 F/g against 1.5 A/g load. The solar illuminated supercapacitor shows a high energy and power density of 33.4 Wh/kg and 385 W/kg along with a very low relaxation time of ~15 ms ensuring the utility of the self charging device in the various field of energy storage and optoelectronic application.
Proceedings of the Korean Society of Medical Physics Conference
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2002.09a
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pp.411-414
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2002
The CdTe semiconductor detector has a higher detection efficiency for x-rays and $\square$amma rays and a wider energy band gap compared with Si and Ge semiconductor detectors. Therefore, the size of the detector element can be made small, and can be operated at room temperature. The interaction between a CdTe detector and incident x-rays is mainly photoelectric absorption in the photon energy range of up to 100 keV. In this energy range, Compton effects are almost negligible. We have developed a 256 channel CdTe array detector system for monochromatic x-ray CT using synchrotron radiation. The CdTe array detector system, the element size of which is 1.98 mm (h) x 1.98 mm (w) x 0.5 mm (t), was operated in photon counting mode. In order to improve the spatial resolution, we tilted the CdTe array detector against the incident parallel monochromatic x-ray beam. The experiments were performed at the BL20B2 experimental hutch in SPring-8. The energy of incident monochromatic x-rays was set at 55 keV. Phantom measurements were performed at the detector angle of 0, 30 and 45 degrees against the incident parallel monochromatic x-rays. The linear attenuation coefficients were calculated from the reconstructed CT images. By increasing the detector angle, the spatial resolutions were improved. There was no significant difference between the linear attenuation coefficients which were corrected by the detector angle. It was found that this method was useful for improving the spatial resolution in a parallel monochromatic x-ray CT system.
An isolate of Peanut stunt virus (PSV) isolated from black locust tree (Robinia pseudo-acacia L.) showing severe mosaic and malformation symptoms, was designated as PSV-Rp. PSV-Rp was characterized by the tests of host range, physical properties, RNA and coat protein composition and RT-PCR analysis. Nucleotide sequences of the cucumoviruses CP genes were also used for identification and differentiation of PSV-Rp. Six plant species were used in the host range test of PSV-Rp. PSV-Rp could be differentiated from each Cucumovirus strain used as a control by symptoms of the plants. The physical properties of PSV-Rp virus were TIP $65^{\circ}C$, DEP $10^{-3}$, and LIP $2{\sim}3$ days. In dsRNA analysis, PSV-Rp consisted of four dsRNAs, but satellite RNA was not detected. Analysis of the coat proteins by SDS-PAGE showed one major protein band of about 31 kDa. RT-PCR using a part of Cucumovirus RNA3 specific primer amplified ${\sim}950bp$ DNA fragments from the crude sap of virus-infected black locust leaves. RFLP analysis of the RT-PCR product could differential PSV-RP from CMV The nucleotide sequence identity between the PSV-Rp CP and the TAV-P CP genes and the PS-V-RP CP and CMV-Y CP genes were 61.6% and 40.5%, respectively. On the other hand, the nucleotide sequence identity of the PSV-Rp CP gene was $70.9%{\sim}73.4%$ in comparison with those of PSV subgroup I (PSV-ER and PSV-J) and 67.3% with that of PSV subgroup II(PSV-W). Especially, the nucleotide sequence identity of PSV-Rp CP gene and that of PSV-Mi that was proposed recently as the type member of a novel PSV subgroup III was 92.4%.
The effect of alachlor treatment on peroxidase synthesis in oat root tips was studied. Alachlor caused increase in the amount of soluble peroxidase in oat root tips, peroxidase activity increase as the rate of alachlor application increased, Alachlor treatment of oats with $1{\times}10^{-6}M$, peroxidase activity increased 0.20 unit higher than that of nontreatment. After 12hr, 65mM of peroxide treatment of oats inhibited 16% root growth, and 130 mM peroxide treatment caused 59% inhibition. With PAGE of peroxidase extracted from normal root tips, PAGE give 4 species($P_2$, $P_3$, $P_4$, and $P_5$ band) of peroxidase. Alachlor significantly activated isoperoxidase. Three isoperoxidase($P_1$, $P_6$, and $P_7$) are synthesized at a increased concentration of alachlor, SDS-PAGE analysis of proteins extracted from oat root tips showed that they were made up of subunits blow 100 kD polypeptide.
The study was carried out to investigate the effects of hydrolysis conditions such as treatment times and concentrations on the solubility of insoluble sericin using the hydrochloric acid solution. When insoluble sericin was hydrolyzed by HCl solution, the solubility was increased with the higher treatment concentration. As the results of electrophoresis of sericin powder obtained by the HCl treatment, a distinguishable band was not confirmed. Average degree of polymerizations(A.D.P.) of sericin hydrolyzed by HCl solution were about 4.2~5.9 and average molecular weights(M.W.) were about 470~670. The longer hydrolysis time reduced the whiteness of sericin powder. As the results of amino acid analysis, the amino acid compositions of the sericin powder from HCl treatment were sililar to that of insoluble sericin, but Tyr. and Arg. were not detected in the powder obtained by HCl treatment. In DSC analysis, thermal deformation and pyrolysis peak located at near 220$^{\circ}C$ and 330$^{\circ}C$.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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1999.07a
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pp.64-64
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1999
다결정 실리콘-게르마늄(poly-SiGe)은 태양전지 및 TFT-LCD와 같은 소자 응용에 있어서 중요하게 연구되고 있는 물질이다. 우리는 수소화된 비정질 실리콘-게르마늄 (a-Si1-xGex:H) 박막을 증착시키고 고상결정화시키며 XRD(x-ray diffraction) 및 ESR (electron spin resonance) 측정을 수행하였다. PECVD 증착가스는 SiH4과 GeH4가스를 사용하였고 Ge의 성분비는 x=0.0, 0.1, 0.5 정도로 조절되었다. 기판은 Corning 1737 glass를 사용하였고, 기판 온도는 20$0^{\circ}C$ 이었다. 증착압력과 r.f. 전력은 각각 0.6Torr와 3W이었다. 증착된 SiGe 박막은 고상결정화를 위해 $600^{\circ}C$ N2 분위기에서 가열되고, 그에 따른 XRD 및 ESR spectrum의 변화를 관찰하였다. ESR 측정은 X-band 그리고 상온에서 행해졌다. 먼저 XRD 측정으로부터 박막의 고상결정화 정도를 알 수 있었고, 고상결정화 과정이 초기 핵형성 단계와 결정화 단계, 그리고 더 이상 결정화가 일어나지 않는 완료 단계로 구분될 수 있음을 보여주었다. X값이 증가함에 따라 결정화 시간은 훨씬 단축되었다. ESR로 측정된 스핀 밀도는 a-Si1-xGex:H 박막이 처음 가열됨에 따라 전체적으로 크게 증가했다가, 결정화가 일어나면서 다시 감소하여 나중에는 거의 변화가 없었다. ESR 신호의 초기 증가는 수소 이탈에 의한 dangling bond의 증가에 기인하며, 다음 단계의 감소 및 안정 상태는 결정화에 따른 결정경계 영역의 감소와 결함들의 안정성에 기인하는 것으로 생각된다. 그러나 흥미로운 것은 Si1-xGex 합금의 경우 가열시간이 증가됨에 따라 Si-db(Si-dangling bond)와 Ge-db에 의한 신호가 서로 분리되어 나타났으며, 이 Si-db 스핀 밀도와 Ge-db 스핀밀도의 변화정도는 x값에 크게 의존함을 보여준 것이다. 즉 순수한 a-Si:H의 경우 Si-db 의 스핀밀도의 증가시간은 4시간 정도였고, 그리고 다시 감소하였으며, x=0.1 인 박막에서 Si-db와 Ge-db의 변화 시간은 순수 S-db 변화의 경우와 거의 유사하였다. 그러나 x=0.5 샘플에서는 Si-db의 변화가 빨라져서 0.1 시간 안에 증가되었고, Ge-db의 변화는 더 빠르게 수 분 동안에 증가 된후 다시 감소하였다. 이것은 수소의 Si에 대한 친화력 뿐 만아니라 Si-H과 Ge-H 결합에너지가 주위 원자들의 구성에 크게 영향받을 수 있는 가능성을 제시해준다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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