• 대한기계학회:학술대회논문집
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• 대한기계학회 2007년도 춘계학술대회B
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• pp.1931-1936
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• 2007

The application of high velocity air jets to heat transfer surface has tremendous engineering potential in various industries. The impinging jets are therefore widely used for their enhanced transport characteristics, especially for drying of continuous materials such as sheet, film, carpets, forming materials and pallets. This paper presents the drying characteristics of plate type material and performs the test with the change of operating conditions in conveyer band dryer using the impinging jet nozzles. The factors influencing drying rate were confirmed, also the design data of band dryer using the impinging jet was obtained.

• 대한원격탐사학회:학술대회논문집
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• 대한원격탐사학회 2004년도 Proceedings of ISRS 2004
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• pp.460-463
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• 2004

There is a trend to replace TWTA of SSPA in S-Band uplink application for satellite operation. KARI developed l20W full S-Band SSPA system in early 2004. This paper covers SSPA system design and its test results. Through tests, nominal gain of 57dB, gain stability of +/-1dB over frequency, and gain stability of +/-0.5dB over temperature were shown. IMD value of -16.5dBc, -19dBc were revealed in PI and P3 output operations. With meeting specifications, l20W SSPA is expected to be used in operational S-Band uplink application.

• 대한전자공학회논문지TC
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• 제46권12호
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• pp.14-21
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• 2009

본 논문에서는 7개의 MMIC 전력증폭기 칩과 박막기판을 결합하여 MIC 모듈을 구성함으로써 Ka-대역 중심주파수 영역에서 10 W 이상의 출력전력을 가지는 펄스모드 전력증폭기 모듈을 설계하고 제작하였다. 전력증폭기 모듈의 제작에는 밀리미터파 대역에 적합한 수정된 형태의 윌킨슨 전력분배기/합성기와 모듈의 조림과정에서 공진을 억제하고 작은 삽입손실 특성을 보이는 CBFGCPW-Microstrip 천이구조를 활용하였다. 전력용 MMIC 바이어스 회로에 사용된 큰 값의 바이패스 캐패시터에 의해 발생되는 펄스모드 출력전력의 감소를 개선하고자 TTL 펄스 타이밍 제어 기법을 제안하였다. 제안된 방법을 10 kHz, $5\;{\mu}sec$ 펄스모드로 동작하는 전력증폭기 모듈에 적용한 결과 펄스모드 동작시간을 200 nsec 이상 개선할 수 있었고 0.62 W의 출력전력을 향상시킬 수 있었다. 구현된 전력증폭기 모듈은 59.5 dB의 전력이득과 11.89 W의 출력전력을 보여주었다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제22권4호
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• pp.440-446
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• 2011

본 논문에서는 레이더 시스템에 적용이 가능한 50 W 출력을 가지는 X-대역 pulsed SSPA(Solid State Power Amplifier)를 설계 및 제작하였다. SSPA를 펄스 모드로 동작시키는 방법으로 펄스 변조 방법과 전원 스위칭 방법을 혼용한 방법을 제안하였다. SSPA는 구동 증폭기, 고출력 증폭기, 펄스 변조기로 구성되며, 충분한 이득과 출력 크기를 얻기 위해 25 W GaAs FET 4개를 병렬 구조로 구성하였다. 측정 결과 1.12 GHz 대역폭에서 출력 50 W, 이득 44.2 dB의 성능을 가졌다. 또한, pulse droop은 1 dB 이하로 설계 목표를 만족하였으며, 12.45 ns 이하의 상승/하강 시간을 가졌다. 제작된 X-대역 pulsed SSPA 크기는 $150{\times}105{\times}30\;mm^3$로 매우 작은 크기를 가졌다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.246-246
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• 2016

Tungsten-nitrogen (W-N) co-doping has been known to enhance the photocatalytic activity of anatase titania nanoparticles by utilizing visible light. The doping effects are, however, largely dependent on calcination or annealing conditions, and thus, the massive production of quality-controlled photocatalysts still remains a challenge. Using density functional theory (DFT) thermodynamics and time-dependent DFT (TDDFT) computations, we investigate the atomic structures of N doping and W-N co-doping in anatase titania, as well as the effect of the thermal processing conditions. We find that W and N dopants predominantly constitute two complex structures: an N interstitial site near a Ti vacancy in the triple charge state and the simultaneous substitutions of Ti by W and the nearest O by N. The latter case induces highly localized shallow in-gap levels near the conduction band minimum (CBM) and the valence band maximum (VBM), whereas the defect complex yielded deep levels (1.9 eV above the VBM). Electronic structures suggest that substitutions of Ti by W and the nearest O by N improves the photocatalytic activity of anatase by band gap narrowing, while defective structure degrades the activity by an in-gap state-assisted electron-hole recombination, which explains the experimentally observed deep level-related photon absorption. Through the real-time propagation of TDDFT (rtp-TDDFT), we demonstrate that the presence of defective structure attracts excited electrons from the conduction band to a localized in-gap state within a much shorter time than the flat band lifetime of titania. Based on these results, we suggest that calcination under N-rich and O-poor conditions is desirable to eliminate the deep-level states to improve photocatalysis.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제11권1호
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• pp.7-13
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• 2007

본 논문은 Top-loading한 슬리브 모노폴에 4개의 Post 형태 기생소자를 추가함으로써, 기존의 상용 이동통신 시스템의 주파수를 하나로 통합 할 수 있는 소형이면서, 광대역 특성을 갖는 모노폴 안테나를 설계 및 제작하였다. 각 소자의 Parameter 변화에 따른 반사손실 특성을 관찰하였고, 제안된 안테나의 광대역 특성을 확인하기 위하여 PCS, W-CDMA, WiBro, W-LAN, S-DMB 대역에서의 복사 특성을 살펴보았다. 제안된 안테나는 수평면내 무지향성, 수직면내 8자형의 지향성을 가지며 $1.67{\sim}3.55\;GHz$ 주파수 대역($B/W{\fallingdotsep}72%$) 에서 Return loss$Return\;loss{\leq}-10\;dB$의 양호한 반사손실과 $1.14{\sim}3.66\;dBi$의 이득을 얻을 수 있었다.

• 대한원격탐사학회:학술대회논문집
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• 대한원격탐사학회 2005년도 Proceedings of ISRS 2005
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• pp.485-488
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• 2005

The 2nd KOrea Multi-Purpose Satellite (KOMPSAT -2) has been developed by Korea Aerospace Research Institute (KARI) since 2000. Multi Spectral Camera (MSC) is the payload for KOMPSAT -2, which will provide the observation imagery around Korean peninsula with high resolution. KOMPSAT-2 has adopted X-band Tracking System (XTS) for transmitting earth observation data to ground station. For this, data which describes and controls the pre-defined motion of each on-board X-Band antenna in XTS, must be transmitted to the spacecraft as S-Band command and it is called as Tracking Parameter Files (TPF). In this paper, the result of the development of TPF Generation S/W for KOMPSAT-2 X-Band Antenna Motion Control.

• 한국전자통신학회논문지
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• 제11권9호
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• pp.841-848
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• 2016

본 논문에서는 DGS(: Defected Ground Structure)을 적용하여 WLAN 시스템에 적용 가능한 모노폴 안테나를 설계, 제작 및 측정하였다. 제안된 안테나는 마이크로스트립 급전을 바탕으로 두 개의 선로와 DGS를 갖도록 설계하여 이중대역 특성을 갖도록 하였다. 상용 툴인 HFSS을 사용하여 $W_2$, $L_{10}$, $W_3$과 DGS 파라미터에 대한 시뮬레이션을 수행하여 최적화된 수치를 얻었다. 제안된 안테나는 $21.0{\times}36.0{\times}1.6mm^3$의 크기로 유전율 4.4인 FR-4 기판 위에 설계 및 제작되었다. 제작 결과, 제안된 안테나는 -10 dB 임피던스 대역폭을 기준으로 700 MHz (2.10~2.80 GHz) 그리고 1,780 MHz(5.02~6.80 GHz)의 대역폭을 얻었다. 또한, 제안된 안테나의 측정 이득과 방사패턴 특성이 요구되는 이중대역에서 제시되었다.

• ETRI Journal
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• 제36권3호
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• pp.498-501
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• 2014

A C-band 50 W high-power microwave monolithic integrated circuit amplifier for use in a phased-array radar system was designed and fabricated using commercial $0.25{\mu}m$ AlGaN/GaN technology. This two-stage amplifier can achieve a saturated output power of 50 W with higher than 35% power-added efficiency and 22 dB small-signal gain over a frequency range of 5.5 GHz to 6.2 GHz. With a compact $14.82mm^2$ chip area, an output power density of $3.2W/mm^2$ is demonstrated.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제15권4호
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• pp.501-505
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• 2015

In this paper, we demonstrated a 4W power amplifier monolithic microwave integrated circuit (MMIC) for Ku-band satellite communication applications. The used device technology relies on $0.25{\mu}m$ GaAs pseudomorphic high electron mobility transistor (PHEMT) process. The 4W power amplifier MMIC has linear gain of over 30 dB and saturated output power of over 36.1 dBm in the frequency range of 13.75 GHz ~ 14.5 GHz. Power added efficiency (PAE) is over 30 %.