• 한국결정성장학회:학술대회논문집
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• 한국결정성장학회 1997년도 Proceedings of the 13th KACG Technical Meeting `97 Industrial Crystallization Symposium(ICS)-Doosan Resort, Chunchon, October 30-31, 1997
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• pp.141-144
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• 1997

High quality 3C-SiC epilayer was grown on Si(111) at 125$0^{\circ}C$ using chemical vapor deposition(CVD) technique by pyrolyzing tetramethylsilane(TMS). 3C-SiC epilayer was doped by tetramethylgallium(TMGa) during the CVD growth. The crystallinity of 3C-SiC was significantly enhanced by doping the gallium impurity.

• 한국결정성장학회지
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• 제22권1호
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• pp.29-35
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• 2012

Special attention in the role of convection in vapor crystal growth has been paid since some single crystals under high gravity acceleration of $10g_0$ appear considerably larger than those under normal gravity acceleration ($1g_0$). With increasing the gravity acceleration from $1g_0$ up to $10g_0$, the total molar flux for ${\Delta}T$ = 30 K increases by a factor of 4, while for ${\Delta}T$ = 90, by a factor of 3. The maximum molar fluxes for three different gravity levels of $1g_0$, $4g_0$ and $10g_0$, appear approximately in the neighborhood of y = 0.5 cm, and the molar fluxes show asymmetrical patterns, which indicate the occurrence of either one single or more than one convective cell. As the gravitational level is enhanced form $1g_0$ up to $10g_0$, the intensity of convection is increased significantly through the maximum molar fluxes for ${\Delta}T$ = 30 K and 90 K. At $10g_0$, the maximum total molar flux is nearly invariant for for ${\Delta}T$ = 30 K and 90 K. The total molar flux increases with increasing the gravity acceleration, for $1g_0{\leq}g_y{\leq}10g_0$, and decreases with increasing the partial pressure of component B, a noble gas called as Kr (Krypton), $P_B$. The ${{\mid}U{\mid}}_{max}$ is directly proportional to the gravity acceleration for 20 Torr $P_B{\leq}300$ Torr. As the partial pressure of $P_B$ (Torr) decreases from 300 Torr to 20 Torr, the slopes of the ${{\mid}U{\mid}}_{max}s$ versus the gravity accelerations increase from 0.29 sec to 0.54 sec, i.e. by a factor of 2. The total molar flux of $Hg_2Cl_2$ is first order exponentially decayed with increasing the partial pressure of component B, $P_B$ (Torr) from 20 Torr up to 300 Torr.

• 한국결정성장학회지
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• 제27권2호
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• pp.65-69
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• 2017

AlN 단결정을 $1600{\sim}1800^{\circ}C$의 온도에서 100 torr 이하의 진공하에서 $100^{\circ}C$ 간격으로 열처리하였다. AlN 단결정은 고주파유도가열 방식으로 가열되는 성장부를 갖는 성장장치를 사용하여 PVT법으로 얻어내었다. 단결정 시편들의 표면을 광학현미경으로 관찰하였으며, 성장된 압력 하에서 온도에 따라 형상이 달라짐을 알 수 있었다. 본 연구에서는 광학현미경 관찰 결과를 보고하고자 하며, 열처리 온도가 증가함에 따라 표면의 열에칭이 나타났는데, 이는 작은 에치핏의 형성을 통하여 관찰하였다.

• 한국결정성장학회지
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• 제19권3호
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• pp.107-115
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• 2009

Particular interest in the role of convection in vapor crystal growth has arisen since some single crystals under high gravity acceleration of $10g_0$ appear considerably larger than those under normal gravity acceleration ($1g_0$). For both ${\Delta}T=60\;K$ and 90 K, the mass flux increases by a factor of 3 with increasing the gravity acceleration from $1g_0$ up to $10g_0$. On the other hand, for ${\Delta}T=30\;K$, the flux is increased by a factor of 1.36 for the range of $1g_0{\leq}g{\leq}10g_0$. The maximum growth rates for $1g_0$, $4g_0$, $10g_0$ appear approximately in the neighborhood of y = 0.5, and the growth rates shows asymmetrical patterns, which indicate the occurrence of either one single or more than one convective cell. The maximum growth rate for $10g_0$ is nearly greater than that for $1g_0$ by a factor of 2.0 at $P_B=20\;Torr$. For three different gravity levels of $1g_0$, $4g_0$ and $10g_0$, the maximum growth rates are greater than the minimum rates by a factor of nearly 3.0, based on $P_B=20\;Torr$. The mass flux increases with increasing the gravity acceleration, for $1g_0{\leq}g_y{\leq}10g_0$, and decreases with increasing the partial pressure of component B, xenon (Xe), $P_B$. The $|U|_{max}$ is directly proportional to the gravity acceleration for $20\;Torr{\leq}P_B{\leq}300\;Torr$. As the partial pressure of $P_B$ (Torr) decreases from 300 Torr to 20 Torr, the slopes of the $|U|_{max}s$ versus the gravity accelerations increase from 0.1 sec to 0.17 sec. The mass flux of $Hg_2Cl_2$ is exponentially decayed with increasing the partial pressure of component B, $P_B$ (Torr) from 20 Torr up to 300 Torr.

• 한국결정성장학회지
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• 제7권2호
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• pp.197-206
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• 1997

6H-SiC 위에 SiC 에피층이 화학 기상 증착(CVD)에 의하여 성장되었다. 성장된 SiC 에피층의 결정구조는 X-선 회절과 Raman 분광을 사용하여 조사되었으며, 이 에피층은 6H-SiC로서 성장되었음을 확인하였다. 수정된 Lely법으로 성장된 한 SiC 결정 분말의 결정구조를 확인하기 위하여 전형적인 SiC polytype들의 X-선 회절상을 계산하였으며, 측정된 X-선 회절상과 비교하여 이 SiC 결정에는 15R-SiC가 약간 혼재되어 있음을 확인하였다.

• 한국결정성장학회지
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• 제9권2호
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• pp.168-172
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• 1999

HVPE 법으로 sapphire 기판 위에 두께 9$\mu\textrm{m}$의 GaN film을 성장하였다. Sapphire위에 직접 성장된 GaN film은 crack free로 mirror surface를 나타내었고 dislocation density는 $2{\times}10^9/cm^2$이었다.$SiO_2$ mask pattern을 사용하여 성장된 ELO GaN film도 대부분이 mirror surface를 나타내었으나 표면 일부에서 coalescence가 덜 이루어져 stripe 방향으로 hole이 존재하였다. ELO GaN film의 mask 윗부분은 window 부분에 비해 낮은 dislocation density를 나타냈다. 특히 mask center와 window사이 영역에서는 거의 dislocation이 없었다. ELO GaN film의 dislocation density는 평균 $8{\times}10^7/cm^2$.이었다.

• 한국결정성장학회지
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• 제6권2호
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• pp.141-154
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• 1996

Hydride 기상증착법으로 성장시킨 InP 에피충들을 FTPL 분광법과 변온 Hall 측정법으로 조사하였다. 원료 공급 지역의 온도, 주입되는 HCI과 $PH_{3}$의 몰분율 등 공정변수가 배경 불순물의 주입에 미치는 영향을 조사한 결과, 배경 전하 농도는 원료 공급지역의 온도가 감소 할수록 감소하고 HCl의 주입량이 증가할수록 감소하나 $PH_{3}$의 주입량에는 연구된 몰분율 범위 내에서 상대적으로 무관함을 알 수 있었다. 또한 FTPL spectrum 분석 결과 에피충 내부에 배 경 donor들과 acceptor들이 존재함을 얄 수 있었고 특히, Si donor들, Zn acceptor들, 확인되지 않은 acceptor들이 주된 불순물로 존재함을 알 수 있었다.

• 한국결정성장학회지
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• 제15권2호
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• pp.57-60
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• 2005

[ $SiO_2$ ]로 산화된 웨이퍼 위에 상압화학기상증착 기술로 반도체 탄소나노튜브를 성장했으며, 이 나노튜브의 전기적 특성을 조사하였다. 전기적 특성은 반도체 탄소나노튜뷰를 $300^{\circ}C$, 대기 중에서 산화 열처리 시간을 변화시키면서 상온대기에서 측정하였다. 반도체 탄소나노튜브는 $300^{\circ}C$에서 산화 열처리 시간을 증가할수록 점차적으로 금속 탄소나노튜브로 변형되는 것을 보았다. 탄소나노튜브는 $300^{\circ}C$, 대기에서 6시간 동안 산화 열처리 후 표면의 일부가 없어지는 현상을 투과 전자현미경으로 확인하였다.

• 한국결정성장학회지
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• 제16권4호
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• pp.149-156
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• 2006

For an aspect ratio (transport length-to-width) of 5, Pr = 2.89, Le = 0.018, Pe = 2.29, Cv = 1.11, $P_B$=40 Torr, solutally buoyancy-driven convection $(Gr_s=3.03{\times}10^5)$ due to the disparity in the molecular weights of the component A $(Hg_2Cl_2)$ and B (He) is stronger than thermally buoyancy-driven convection $(Cr_t=1.66{\times}10^4)$. The crystal growth rate is decreased exponentially for $2.5\;{\leq}\;Ar\;{\leq}\;5$, with (1) the linear temperature profile and a fixed temperature difference, (2) the imposed thermal profile, a fixed crystal region and varied temperature difference. This is related to the finding that the effects of side walls tend to stabilize convection in the growth reactor. But, with the imposed thermal profile, a fixed source region and varied temperature difference, the rate is increased far $2\;{\leq}\;Ar\;{\leq}\;3$, and remains nearly unchanged for $3\;{\leq}\;Ar\;{\leq}\;5$.

• 한국결정성장학회지
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• 제27권1호
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• pp.1-8
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• 2017

Metal organic chemical vapor deposition(MOCVD) 방법을 이용하여 금속 촉매에 따른 ${\beta}-Ga_2O_3$ 나노 와이어의 제작과 특성에 대해 연구하였다. 본 연구의 성장 조건에서 ${\beta}-Ga_2O_3$ 나노 와이어의 성장이 가능한 금속 촉매는 Au, Cu 그리고 Ni이 있었으며 각 금속 촉매로 성장한 나노 와이어는 성장률과 형상에 많은 차이가 있었다. Ni 촉매 성장의 경우에는 Vapor-Solid(VS) 과정이 ${\beta}-Ga_2O_3$ 나노 와이어 성장의 주된 메커니즘이고 Au, Cu 촉매 성장의 경우에는 Vapor-Liquid-Solid(VLS) 과정이 주된 성장 메커니즘 임을 확인할 수 있었다. 또한, 촉매의 종류에 따라서 ${\beta}-Ga_2O_3$ 나노 와이어의 광학적 특성도 다르게 나타나는 것을 확인할 수 있었다. 반면, 동일한 성장 조건에서 Ti, Ag 그리고 Sn 금속은 나노 와이어 성장을 위한 촉매로 작용하지 못하였다. 본 연구에서는 금속 촉매에 따른 나노 와이어의 성장 가능 여부와 성장한 나노 와이어의 특성 변화가 금속 촉매의 녹는 점, 금속- Ga의 공융 점과 관련이 있음을 상태도와 연관 지어 밝혀내었다.