한국초전도학회 2000년도 High Temperature Superconductivity Vol.X
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pp.145-145
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2000
Large area YBCO - films are series produced by thermal co-evaporation using a deposition scheme known as Garching process, which allows intermittent oxygen supply in a high vacuum ambient by an oxygen cup spaced closely underneath the moving substrates. The deposition area of 9" diameter is capable to handle very large wafers up to 8" diam. or numerous smaller wafers. The large distance between substrates and boat sources and an elaborate heater design guarantee excellent film uniformity over the entire deposition area. YBCO - films deposited by this technique are commercially fabricated for a variety of applications - the most prominent are resistive fault current limiters and microwave filters for mobile or satellite communications. IMUX and OMUX - filters are currently space qualined by Robert Bosch GmbH and are expected to be launched and installed on an experimental platform of the international space station ALPHA in 2001. Both of the above applications require quite different film specifications on the one hand, but at the same time extremely high uniformity and reproducibility on the other hand, since hundreds of YBCO - films are combined to large systems or have to be approved for manned space missions. The success of such projects is direct evidence that the technique of thermal evaporation is readily capable to meet these high demands and has become the major deposition technique to support the emerging HTS market.
Chalcogenide glassy semiconductors(CGS) can be obtained by the melt quenching technique. We have investigated the thin film heterostructures : metal-chalcogenide glassy semiconductors, where metal is copper, and chalcogenide glassy semiconductors are glasses of the system As-Se. CU/CGS film heterostructure were produced in the vacuum evaporator by the method of vacuum thermal evaporation. Doped films are very sensitive to external actions, and this property allows developing supersensitive precision sensors of temperature, humidity, illumination, and etc. based on them. Cu/CGS film has shown that resistance strongly depend on the temperature. The ratio of resistance vs. temperature has shown over a 2 k$\Omega$/degree. The slop of temperature and resistance shows linear.
Chalcogenide glassy semiconductors(CGS) can be obtained by the melt quenching technique. We have investigated the thin film heterostructures : metal-chalcogenide glassy semiconductors, where metal is copper, and chalcogenide glassy semiconductors are glasses of the system As-Se. Cu/CGS film heterostructure were produced in the vacuum evaporator by the method of vacuum thermal evaporation. Doped films are very sensitive to external actions, and this property allows developing supersensitive precision sensors of temperature, humidity, illumination, and etc. based on them. Cu/CGS film has shown that resistance strongly depend on the temperature. The slop of temperature and resistance shows linear.
Metal/chalcogenide glass semiconductor(CGS) thin film devices were produced in the vacuum evaporator by the methode of vacuum thermal evaporation. We investigated the influence of the correlations of thickness of metal and CGS upon the concentration of Metal in a CGS thin film. It has shown that M/CGS thin film devices were very sensitive to temperature.
Kim, Seong Jun;Min, Pok Ki;Lim, Jong Sun;Kong, Ki-Jeong;An, Ki-Seok
한국진공학회:학술대회논문집
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한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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pp.166.2-166.2
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2014
In this work, we demonstrated a facile and effective method for deposition of metal tetraphenylporphyrin (MTPP) thin film by a combined a thermal evaporation (TE) and atomic layer deposition (ALD). For the deposition of Zn-TPP thin film, Tetraphenylporphyrin (TPP) and diethyl zinc (DEZ) were used as organic and inorganic materials, respectively. Optimum conditions for the deposition of Zn-TPP thin film were established systematically: (1) the exposure time of DEZ as inorganic precursor and (2) the substrate temperature were adjusted, respectively. As a result, we verified that the surface reaction between organic semiconductor (TPP) and metal atom (Zn) was ALD process. In addition, we calculated activation energy by using Arrhenius equation for the substrate temperature versus area change rate of pyrrolic nitrogen. The surface and interface reactions between TPP with Zn were investigated by X-ray photoelectron spectroscopy, Raman spectroscopy, UV-vis spectroscopy, and scanning electron microscopy. These results show a facile and well-controllable fabrication technique for the metal-organic thin film for future electronic applications.
In this study, we prepared CdTe/CdS solar cells using a thermal vacuum evaporation method. In particular, $CdCl_2$ treatment was attempted using this same method at $400^{\circ}C$ for 30 min. The prepared CdTe/CdS solar cells were investigated using Fouier transform infrared spectrometry (FTIR), field emission scanning electron microscopy (FE-SEM), and a solar simulator system including light absorption properties, morphological properties, and power conversion efficiency (PCE). In addition, we investigated the gamma-irradiation treatment at dose rates of 0 Gy, 500 Gy, 1 kGy, 10 kGy, and 30 kGy. The characteristics of gamma-irradiation treatment were studied based on the same method described above. In particular, it showed increased values as 0.826% higher than the non-irradiation of 0.448% from PCE analysis.
Thermal analysis of cryogenic-capable vessels with insulations have been carried out to store liquid hydrogen($LH_2$). The combined insulations of MLI(Multi-Layer Insulation) and VCS(Vapor-Cooled Shield) under high vacuum are considered in the analysis for various volumes of vessels. Vapor-Cooled Shields(VCS) are installed at cylinder wall as well as disc side of the $LH_2$ vessels. The results indicate that optimal distribution of boiloff vapor from $LH_2$ vessel into two sides of VCS exists based on the evaporation loss. As the volume of $LH_2$ vessel is increased, mass flow rate of boiloff is increased while the evaporation loss per unit volume is decreased.
A failure analysis of tungsten filaments used in quadrupole mass spectrometer for plasma process monitoring was carried by using SEM and EDS. Failed at high temperature, filaments showed two kinds of failure modes. The one is that diameter of filament became thinner gradually and finally snapped. The other is that filament abruptly snapped almost at a right angle. The EDS analysis showed Fe and C, including W and Fe, on the surface of failed filament. when failed filaments were treated with plasma in mixture of Ar and $CF_4$, the amount of Fe and C decreased. The failure analysis of filament showed that the cause of filament failure is thermal evaporation and grain growth of tungsten at high temperature.
퍼플골드는 78wt%Au-22wt%Al로 이루어진 합금으로 화학식은 $AuAl_2$로 표현된다. 최근 화이트골드, 핑크골드와 더불어 특유의 적자색 (보라색)이 나는 유색골드의 하나로 장신구나 의장용 소재로 활용되고 있다. 퍼플골드는 Au와 Al의 중간상으로 연성과 주조성이 나쁜 특성이 있어 단조와 주조작업을 통하여 원하는 형상의 퍼플골드를 얻기 힘든 단점이 있다. 따라서 절단과 연마공정만으로 최종제품을 제작하거나 박막으로 증착하여 의장용 소재로 활용하는 것이 가능하다. 본 연구는 순수한 Au와 Al을 소오스로 각각 200nm$SiO_2$/Si기판에 78:22의 무게비로 증착시킨 후 열처리를 시행한 경우와, $AuAl_2$를 용융을 통하여 벌크형으로 얻은 후 이를 소오스로 사용하여 유리기판에 기판온도를 상온으로 유지하면서 진공증착을 통하여 표면처리를 한 경우로 나누어 실험을 진행하였다. 완성된 시편은 육안검사, 미세구조분석, 면저항분석, 색차분석, XRD 분석을 통하여 증착된 퍼플골드의 색과 두께를 위주로 한 물성을 측정하였다. 12.5nmAu/40nmAl/200nm$SiO_2$/Si 구조로 제작하고 열처리 한 경우 과도한 표면응집현상이 일어나면서 퍼플골드가 형성되지 않았다. $AuAl_2$ 소오스로부터 직접 열증착한 경우는 벌크상태와 동일한 적자색을 보였으며 퍼플골드의 의장용으로서 심미적 기능이 가능한 것으로 판단되었다.
진공기술의 응용과 진공환경의 이용은 더 이상 논하지 않더라도 산업 전반에 그 충요성이 점점 더 커가고 있다. 이러한 여건에도 불구하고 진공율 이용하는 system 개밟의 국산화는 수 입하는 system으$\mid$ 수에 비하여 절대적으로 부족하며, 또한 개발하는 system의 자동화는 거의 이 루어지지 않고 있으며, 자동화된 진공판련 system은 거의 대부분 수입에 의흔하고 있다. 실험 실 규모에서부터 System올 하나하나 개밭하고, 이톨 자동화하는 노력과 일이 진행됨다면 산업 응용에 있어서도 자연스럽게 자동화된 system으$\mid$ 개발이 이루어 질 것이다 .. system 자동화는 상 품수명의 단축과 이에 따른 다품종 소량을 요구하는 시장수요에 대응하고, 인력절감과 고풀짙 화로 생산성 향상의 요구에 대응하기 위하여 필요하다. 본 연 구에 서 는 e-beam evaporator로 evaporation하면 서 ion beam으로 assist하여 thin film율 제 작하는 IBAD vacuum system율 싫 계 및 제 작하고[1,2], PLC[3,떼톨 이 용하여 system 자동화톨 하였다 .. thin film 제작 process는 먼저 기본 진공상태로 만뚫고 난 뒤, e-beam evaporator로 e evaporation하면서 ion beam source로 assist하여 substrate 011 thin film율 제조한다 226;. thin film올 제 조하면서 thickness monitor로 sample의 thickness rate톨 control 하고, sample의 균얼성과 밀착 성을 고려하여 substrate톨 rotation 및 heating 할 수 있도록 싫계, 제작하였다. 양질의 박막올 제조하기 위해서 진공환경이 좋은 상태로 제공되어야 한다. 이톨 위하여 oil free operation 0 I 가 능한 dry pump와 turbo molecular pump로 고진공 배기 하였다. 진공도의 흑점은 thermal effect 툴 고려하여 cold cathode ion gauge률 사용하였고, intro chamber와 main chamber 사이에는 g gate valve톨 설치하여 벌도로 운용되도록 하였다. 이러한 process를 박막의 두께, 진공도, 시 간, 온도, 공정 동의 조건올 기훈으로 자동화한 것이다. 또한 정전과 단수에 대한 interlock 기능 도 고려하였다.하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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