• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1997.02a
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• pp.70-70
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• 1997

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2000.02a
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• pp.52-52
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• 2000

저진공 펌프 제작시 ISO, AVS 등의 국제규격에 ？춤은 필수이고, 도달진공도, 압력구간별·가스별 배기속도, 소음, 기름증기 역류, 압축비 등이 이에 해당된다. 큰 체적의 시험용기가 구비되어 있지 않은 경우에는 배기감압법 대신 일정유량 Q를 흘려 시험용기내에 일정압력 P를 유지시키면서 배기속도를 S=Q/P식으로 구하는 일정압력법을 사용한다. 이 실험은 800~2000 l/min급 유회전 펌프와 드라이 펌프로 압력별 배기속도를 측정, 분석하여 평가방법을 수립하였다. 또 국가 유량 표준기인 sonic nozzle을 reference로 하여, 기존의 유량측정 장비와의 오차를 비교하였다. 온도 상승도를 측정, 압력과의 상관관계를 비교하였고, 오차가 적은 CDG(1, 10, 100torr)를 사용하여, 압력측정의 정확도를 높였다. 비교적 outgassing이 적은 SUS 재질의 chamber를 썼고, 유량조절 장치로 미세누출밸브를 사용하였다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.4 no.3
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• pp.301-305
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• 1995

습식 분위기로 성장한 게이트 산화막 위에 다결정 실리콘(poly-Si)과 텅스텐 폴리사이드(WSix/poly-Si)게이트 전극을 형성하여 제작한 금속-산화물-반도체(metal-oxide-semiconductor:MOS)의 전기적 특성을 순간 절연파괴(time zero dielectric breakdown: TZDB)로 평가하였다. 텅스텐 폴리사이드 게이트 전극에 따른 게이트 산화막의 평균 파괴정계는 다결정 실리콘 전극보다 1.93MV/cm 정도 낮았다. 텅스텐 폴리사이드 게이트 전극에서 게이트 산화막의 B model(1-8 MV/cm)불량률은 dry O2 분위기에서 열처리함으로써 증가하였다. 이것은 열처리함으로써 게이트 전극이 silane(SiH4)에 의한 것보다 B mode 불량률이 감소하였다. 그것은 dichlorosilane 환원에 의한 텅스텐 실리사이드내의 불소 농도가 silane에 의한 것보다 낮기 때문이다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.360-360
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• 2010

Very initial stage of oxidation process of Si (001) surface was investigated using large scale molecular dynamics simulation. Reactive force field potential was used for the simulation owing to its ability to handle charge variation associated with the oxidation reaction. To know the detail mechanism of both adsorption and desorption of water molecule (for simulating wet oxidation), oxygen molecule (for dry oxidation) and their atom constituents, interaction of one molecule with Si surface was carefully observed. The simulation is then continued with many water and oxygen molecules to understand the kinetics of oxide growth. The results show that possibilities of desorption and adsorption depend strongly on initial atomic configuration as well as temperature. We observed a tendency that H atoms come relatively into deeper surface or otherwise quickly desorbed away from the silicon surface. On the other hand, most oxygen atoms are bonded with first layer of silicon surface. We also noticed that charge transfer is only occur in nearest neighbor regime which has been pointed out by DFT calculation. Atomic structure of the interface between the oxide and Si substrate was characterized in atomic scale.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.08a
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• pp.71.2-71.2
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• 2013

천연가스를 화학적 전환에 의해 부가가치를 높이기 위해서는 리포밍에 의해 합성가스(CO/H2)를 경유하는 간접전환경로가 현재로서는 가장 현실적인 방법이라 할 수 있다. 천연가스를 이용한 합성가스 제조기술은 수증기개질법(SRM), 이산화탄소 개질법(CDR, dry reforming), 부분산화법, 촉매 부분 산화법, 자열개질법 등으로 구분되며, 최근에는 각각의 제조방법의 장점을 고려하여 혼합개질법 또는 일련의 리포머 조합 방법이 개발되고 있다. CDR은 촉매 하에서 메탄과 이산화탄소의 직접접촉에 의해 반응이 일어나며, 수소와 일산화탄소의 비가 같은 합성가스가 제조된다. SRM에 비하여 고온에서 반응이 일어나고 전환율이 더 낮으므로 에너지 소비가 상대적으로 높다. 하지만, SRM과 함께 사용하면 합성가스 비율을 F-T합성이나 메탄올 합성에 적절한 비율로 조절이 가능한 장점이 있으며, 온실가스를 저감시킬 수 있는 전환기술로도 각광받고 있다. 본 발표에서는 최근의 CDR을 이용한 가스로부터 합성석유(GTL)와 메탄올을 고효율로 생산하는 기술 개발 동향에 대해서 소개하고자 한다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.08a
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• pp.27-27
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• 2010

결정성과 전하 이동도가 우수한 CdTe 박막을 증착하기 위하여 근접승화법(CSS), chemical spraying법, 전착(electrodeposition)법, screen printing법, 화학기상증착(MOCVD)법 및 sputtering법등이 응용되고 있으며 이들 방법은 각기 다양한 장단점을 가지고 있다. CdTe 태양전지를 성장시키는 다양한 방법 중에서 본 발표는 CBD를 이용한 CdS와 CSS를 이용한 CdTe 박막 태양전지를 성장하는 방법을 포함한다. 다양한 조건에서 성장된 박막의 물성과 CdCl2와 열처리를 통한 성능개선에 대해 발표할 예정이다. 또한, 공기의 index와 박막의 index 차이가 크기 때문에, escape cone의 angle이 매우 작고, 박막의 경우 표면이 비교적 평평하기 때문에, 광소자(LED와 Solar Cell)는 표편 텍스처링이 성능을 향상시키기 위해 필요하다. Natural Lithography, Wet-etching, Dry-etching, index-grading을 이용하여, LED와 태양전지에서 uniform하고 대면적에 적용가능한 표면 택스처링 방법에 대해 발표할 예정이다.

• The Magazine of the Society of Air-Conditioning and Refrigerating Engineers of Korea
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• v.7 no.2
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• pp.73-79
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• 1978

This paper presents the experimental study on the design conditions of pressure between booster ejector and air ejector in the steam-jet water-vapour refrigeration system. In this experiment, the motive steam of booster ejector and ai. ejector was dry saturated from 6 ata to 8 ata and flash chamber pressure were about $10\∼540mmHg$ higher than mixing section in booster ejector. The investigation of air on the pressure of booster ejector was performed by changing the condenser pressure. The experimental results show that flash chamber vacuum and condenser pressure of steam-jet refrigeration cycle increased in accordance with the increase of motive steam Pressure. Among the several nozzle sires tested, No.4 nozzle were best in term of evaporator vacuum under the constant operating conditions of air ejector in condenser.

• Food Science and Preservation
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• v.4 no.1
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• pp.69-75
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• 1997

Peony is a medicinal herb which have utilized widely as chineses medicine. The paeoniflorin is the predominant component In peony root, monoterpene glucoside containing pinane structure. The effective components were extracted with the cold water from the intact peony roots, and effectively extracted with 70% ethanol from the dry powder of peony roots. The changes of paeoniflorin contents were investigated during the drying process of peony roots and processing of peony extract by the heat-treatment. Air-drying was the best condition for the preservation of paeoniflorin content among the drying processes of peony roots. But convective drying at 6$0^{\circ}C$ was recommended for the drying process of peony roots in large scale. The paeoniflorin in peony extracts was not destroyed by the treatment at 6$0^{\circ}C$ and 8$0^{\circ}C$ for 5 hrs, but destroyed 30%, 28% and 40% of paeoniflorin by treatment at 10$0^{\circ}C$ for 5 hrs, 115$^{\circ}C$ and 121$^{\circ}C$ for 10 minutes, respectively. The paeoniflorin was continueously extracted for 4 hrs from the dry pieces of peony roots(0.5$\times$0.5$\times$0.5cm) in boiling water but destroyed gradually after 4 hrs at 10$0^{\circ}C$. Paeoniflorins in 70% ethanol extracts of peony root were not destroyed at all in the process of concentration to dry powder at 60"C on vacuum.cuum.

• Journal of the Korean Society of Safety
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• v.22 no.4
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• pp.32-36
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• 2007

When the vacuum system for the process of $SiH_{4}$ gas used in the semiconductor and FPD field is partially vented from vacuum to atmospheric state, a fire often occurs due to auto-ignition of $SiH_{4}$ gas. In order to prevent the fire, the concentration of $SiH_{4}$ should be kept under LFL. This means that the higher capacity pump is needed to meet the process conditions as well as the condition that the concentration of $SiH_{4}$ should be kept under LFL. In this article, we conducted the injection of the dilution gas at the manifold between booster pump and dry pump compared with the typical method that the dilution gas was injected into inlet port of booster pump using computer simulation. According to the result, we can flow further more purge gas for safety without any change of the condition in the process chamber, which means that the higher capacity pump is not required for safety in some cases.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1998.02a
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• pp.27-27
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• 1998

진공기술의 응용과 진공환경의 이용은 더 이상 논하지 않더라도 산업 전반에 그 충요성이 점점 더 커가고 있다. 이러한 여건에도 불구하고 진공율 이용하는 system 개밟의 국산화는 수 입하는 system으$\mid$ 수에 비하여 절대적으로 부족하며, 또한 개발하는 system의 자동화는 거의 이 루어지지 않고 있으며, 자동화된 진공판련 system은 거의 대부분 수입에 의흔하고 있다. 실험 실 규모에서부터 System올 하나하나 개밭하고, 이톨 자동화하는 노력과 일이 진행됨다면 산업 응용에 있어서도 자연스럽게 자동화된 system으$\mid$ 개발이 이루어 질 것이다 .. system 자동화는 상 품수명의 단축과 이에 따른 다품종 소량을 요구하는 시장수요에 대응하고, 인력절감과 고풀짙 화로 생산성 향상의 요구에 대응하기 위하여 필요하다. 본 연 구에 서 는 e-beam evaporator로 evaporation하면 서 ion beam으로 assist하여 thin film율 제 작하는 IBAD vacuum system율 싫 계 및 제 작하고[1,2], PLC[3,떼톨 이 용하여 system 자동화톨 하였다 .. thin film 제작 process는 먼저 기본 진공상태로 만뚫고 난 뒤, e-beam evaporator로 e evaporation하면서 ion beam source로 assist하여 substrate 011 thin film율 제조한다 226;. thin film올 제 조하면서 thickness monitor로 sample의 thickness rate톨 control 하고, sample의 균얼성과 밀착 성을 고려하여 substrate톨 rotation 및 heating 할 수 있도록 싫계, 제작하였다. 양질의 박막올 제조하기 위해서 진공환경이 좋은 상태로 제공되어야 한다. 이톨 위하여 oil free operation 0 I 가 능한 dry pump와 turbo molecular pump로 고진공 배기 하였다. 진공도의 흑점은 thermal effect 툴 고려하여 cold cathode ion gauge률 사용하였고, intro chamber와 main chamber 사이에는 g gate valve톨 설치하여 벌도로 운용되도록 하였다. 이러한 process를 박막의 두께, 진공도, 시 간, 온도, 공정 동의 조건올 기훈으로 자동화한 것이다. 또한 정전과 단수에 대한 interlock 기능 도 고려하였다.하였다.