Hwang, Mun-Su;Na, In-Ho;Gu, Ja-Gyeong;Lim, Jong-Sik;Ahn, Dal
Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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v.10
no.12
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pp.3600-3607
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2009
This paper describes the development of a power sensor for wireless signal over the ultra wideband range of 300~3800MHz with the detecting range of 150mW~150W. The proposed power sensor fundamentally has the function of not only detecting wireless power, but recognizing frequency and measuring VSWR. The development of the power sensor is completed through the design of dual directional coupler, design of power detector block which produces DC data using the corresponding RF input power level, and establishment of collecting the exact calibration data. The dual directional coupler has the operating frequency of 300~3800MHz with the 0.085dB of insertion loss, and directivity of 30dB at least at 3800MHz. The developed power sensor has the capability of power sensing with less than 0.25dB of resolution as well as measuring VSWR of 1.17~1.96 under the practical operating situation of very high power up to 150W at 300~3800MHz.
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.20
no.1
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pp.75-82
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2009
In this paper, we proposed a U-shaped broadband RFID tag antenna with a parasitic element operating at UHF band. The proposed tag antenna consists of a U-shaped half wavelength dipole antenna and an inverse U-shaped parasitic element inside the U-shaped dipole antenna. In order to have good impedance matching, the commercial tag chip is attached to the lower center of the rectangular shaped feed. On the condition of VSWR<2, the tag antenna had the measured bandwidth of 4.96 % from 882 to 927 MHz and showed the gain deviation of less than 3.16 dB. On the condition of VSWR<5.8, the tag antenna satisfies the worldwide UHF RFID bandwidth and is showed the gain deviation of less than 5.07 dB. The minimum gain deviation characteristic appears near the center of bandwidth which minimizes variation of gain deviation characteristic with respect to the frequency.
Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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v.17
no.7
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pp.1-7
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2016
In this paper, the design methodology of a corrugated conical horn antenna is proposed to be obtain wide-band properties over the full range of frequencies in the Ku-band. In order to improve the properties of the corrugated conical horn antenna, such as its gain, VSWR, co-polarization to cross-polarization ratio and wide-bandwidth, two types of mode matching converters are implemented within it. One is located at the end of the circular waveguide, while the other is positioned in front of the horn-flare section. The properties of the antenna are analyzed and compared according to the position of the proposed converters through simulations. In the comparison of the antenna performance in the case where the VSWR, co-polarization to cross-polarization ratio and antenna gain over the Ku band of 12-18 GHz are less than 2, greater than 30dB and 20dB respectively, the former antenna exhibits greater stability and a wider frequency band than the latter from the viewpoint of transmitting and receiving signals simultaneously. Therefore, considering the gain, VSWR, radiation pattern and bandwidth, the horn antenna structure in which the mode matching converter is implemented inside the circular waveguide has better performance than the other.
In this paper, we designed and implemented an ultra wideband(UWB) antenna with band rejection characteristics. The proposed antenna consists of a planar radiation patch with slots and ground planes on both sides. Due to the slots in the radiation patch, the antenna shows band rejection characteristics. U-type slot contributes for wireless local area network(WLAN, 5.15~5.825 GHz) band rejection and n-type slot contributes for X-Band(7.25~8.395 GHz) band rejection. To make voltage standing wave ratio(VSWR) less than 2.0 for UWB frequency band except rejection bands, the shapes of planar radiation patch and ground plane was modified. The Ansoft 's high frequency structure simulator(HFSS) was used for the design process and simulations of the proposed antenna. The simulated antenna showed VSWR less than 2.0 for all UWB band excepts for dual rejection bands of 5.15 ~ 5.94 GHz and 7.02 ~ 8.45 GHz. And measured VSWR for the implemented antenna is less than 2.0 for all UWB band of 3.10~10.60 GHz excluding dual rejection bands of 5.12~5.95 GHz and 7.20~8.58 GHz.
Nam, Hyun-Soo;Woo, Dong Sik;Kim, Sung-Kyun;Kim, In-Bok;Choi, Hyun-Chul;Kim, Kang Wook
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.25
no.9
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pp.886-894
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2014
A wideband bow-tie antenna fed by wideband microstrip-coplanar stripline(CPS) balun and band notch structures that can be applied to bow-tie antenna are proposed in this paper. In order to increase bandwidth, bow-tie radiators are reshaped so that the surface current flows continuously, and wideband impedance matching is achieved by adjusting strip width and spacing of CPS feeding line. The VSWR is measured as 2:1 over the wide frequency range of 2.3~12 GHz. The fabricated antenna size is $60mm{\times}60mm$. In order to achieve the band-notch function at WLAN(5.8 GHz), ${\lambda}/4$ folded-slits located ${\lambda}/4$ away from feeding point are utilized. To minimize the slit size, folded-slit type is adopted. The measured VSWR is 7:1 and gain attenuation is 14 dB at 5.8 GHz.
Kim, Jang-Yeol;Lee, Seung-Woo;Kim, Nam;Lee, Sang-Min;Oh, Byoung-Cheol
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.22
no.11
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pp.1078-1091
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2011
In this paper, a triple band-notched UWB antennas using a spiral resonator and a complementary split ring resonator is proposed as two types. The band-rejection characteristic of the designed antenna is analyzed through the structure and equivalent circuit model of spiral resonator and CSRR. The measured results of first type antenna show that a VSWR less than 2 was satisfied with a resonant frequency in the range of 1.16~12 GHz and it can be obtained the band-stop performance at 3.3~3.85 GHz, 5.15~6.1 GHz, and 8.025~8.5 GHz. The measured results of second type antenna show that a VSWR less than 2 was satisfied with this antenna works from 1.79 to 12 GHz and it can be achieved the band-notched performance at 3.3~3.88 GHz, 5.12~5.94 GHz, and 8.025~8.51 GHz. Through the measured results, the designed antenna was satisfied UWB band except for triple notched bands.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea TC
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v.47
no.3
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pp.50-56
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2010
In this paper, compact broad-band antenna using circular spiral slot and CPW (coplanar waveguide) feed is proposed. The proposed antenna is designed on the same plane of the substrate by using CPW fed structure, archimediean spiral slot structure. So it was achieved both the size of compact antenna and the broad band. A archimediean spiral slot structure is introduced for resonance of medium band operation. The distances of a CPW feeder line and a ground plane are modified for impedance matching and lower/higher band operation. The proposed antenna has a compact size ($8mm\;{\times}\;13mm$) and it is etched on the FR-4 (relative dielectric constant 4.4, thickness 0.8mm) dielectric substrate. The simulated impedance bandwidth (VSWR $\leq$ 2) and maximum gain of the proposed antenna are 5.98GHz (4.1GHz ~ 10.08GHz) and 3.97dBi, respectively. The measured impedance bandwidth (VSWR $\leq$ 2) and maximum gain of the proposed antenna are 6.02GHz (4.48GHz ~ 10.5GHz) and 2.68dBi, respectively. The simulation and measured result shows good impedance matching and radiation pattern over the interesting frequency bands. It can be applied to antenna of broad-band wireless communication system.
Kim, Jin-Ju;Kim, Sun-Woong;Park, Jung-Jin;Jeong, Min-A;Park, Kyung Woo;Choi, Dong-You
The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
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v.40
no.5
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pp.938-943
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2015
The proposed circular patch antenna was designed to include relative bandwidth of above 25% as designed by the FCC in the FCC in the 3.1 ~ 10.6 GHz band. The antenna was induced to have a wide band characteristic through two structures of the usual microstrip line and a microstrip line with a linear change in impedance. The proposed finally antenna was designed using an FR4_epoxy substrate with 4.7% permittivity, 0.02 of loss tangent, and 1.6 mm of thickness, and was simulated with the use of HFSS made by Ansys. Return loss at frequency, VSWR, radiation pattern and the gain of the antenna were analysed. As a result, if satisfied a return loss of -10 dB and $VSWR{\leq}2$ from 2.28 ~ 13.35 GHz, showing about the bandwidth of 11.89 GHz, and the radiation pattern was unidirectional in all bands. The antenna gain gradually increased from 2 ~ 8 GHz and had the highest gain of 7.92 dBi at 8 GHz. and the gain gradually decreased in the 9 ~ 12 GHz band.
The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
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v.28
no.11A
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pp.912-920
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2003
This paper is about the design of a small wide-band slot loop antenna, which consists of dual offset-fed and rectangular loop within the slot on a substrate. The proposed antenna is a novel structure generating a multi-resonances due to three geometrical resonance structures. The impedance matching of this antenna can be accomplished by changing the offset position of dual-fed at resonance frequencies. In this experiment, the slot of a fabricated antenna has a center frequency of 6.755㎓, 12.5mm${\times}$50mm in size and the rectangular loop has 10.5mm${\times}$27.5mm in size. The measured result is fractional bandwidth 63.21% with VSWR 2:1, which is agreed with the simulated result within 5% of error, and the maximum antenna gain is 7.42㏈i.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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v.13
no.5
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pp.1-8
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1976
Microwave GaAs Metal Semiconductor Field effect Transistors (MESFET) with the gate-length of two micrometers are investigated. The scattering parameters of the transistors have been measured from 1GHz to 2GHz by Hp8545 Automatic network analyzer. From the measured data, an equivalent circuit is established which consists of an ntrinsic and. extrinsic transistor elements. In this paper, GaAb MESFET Amplifier is used in conjunction with conventional microstrip techniques to match into a 50 ohms high input/output impedances system. We found that Power gain is less than 8dB and VSWR is less than 1.5 in L-Band.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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