• Title/Summary/Keyword: V-band

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Optical properties of $\beta$-$In_2S_3$ and $\beta$-$In_2S_3$:$Co^{2+}$ Thin Films

  • Kim, Hyung-Gon;Kim, Nam-Oh;Jin, Moon-Seog;Oh, Seok-Kyun;Kim, Wha-Tek
    • Transactions on Electrical and Electronic Materials
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    • 제2권1호
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    • pp.27-31
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    • 2001
  • $\beta$-$In_2S_3$ and $\beta$-$In_2S_3$:$Co^{2+}$ thin films were grown using the spray pyrolysis method. The thin films crystallized into tetragonal structures. The indirect energy band gap of the thin films was found to be 2.32 eV for $\beta$-$In_2S_3$ and 1.81 eV for $\beta$-$In_2S_3$:$Co^{2+}$(Co:1.0 mol%) at 198K. The direct energy band gap was found to be 2.67 eV for $\beta$-$In_2S_3$ and 2.17 eV for $\beta$-$In_2S_3$:$Co^{2+}$(Co:1.0 mol%). Impurity optical absorption peaks were observed for the ${\beta}$-$In_2S_3$:$Co^{2+}$ thin films. These impurity absorption peaks are assigned, based on the crystal field theory, to the electron transitions between the energy levels of the $Co^{2+}$ ion sited in $T_{d}$ symmetry.

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Tandem cell 적용을 위한 narrow band gap을 갖는 a-Si 태양전지 개발 (Development of amorphous Si solar cell with narrow band gap for Tandem cell)

  • 김선호;유동주;안세원;이헌민;김동환
    • 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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    • 한국신재생에너지학회 2010년도 춘계학술대회 초록집
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    • pp.63.1-63.1
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    • 2010
  • 실리콘 박막 태양전지의 효율을 향상시키기 위해 밴드갭이 다른 흡수층을 적용한 tandem형 적층 태양전지를 이용하고 있다. 일반적으로 1.7eV이상의 밴드갭이 큰 비정질 실리콘을 이용하여 단파장의 빛을 흡수하고, 상대적으로 낮은 1.1eV 정도의 밴드갭을 갖는 미세결정 실리콘 층으로 장파장을 흡수하게 된다. 이렇게 연결된 tandem형 태양전지의 효율을 극대화하기 위해서는 각 태양전지에서 발생하는 전류 밀도를 일치시키는 것이 필요하다. 이를 위해 비정질 실리콘의 두께가 증가되는 경우가 있는데 이러한 경우 비정질 실리콘의 광열화 특성(Lihgt-induced degradation)으로 안정화 효율이 감소하게 된다. 따라서 비정질 실리콘 태양전지의 전류 밀도를 향상 시켜 두께를 최소화하는 것이 매우 중요하다. Tandem형 태양전지에서 비정질 실리콘 태양전지의 전류 밀도를 향상시키기 위해 두 개의 전지사이에 광 반사층을 적용하여 태양전지를 제조하게 된다. 이러한 경우 비정질 실리콘의 전류 밀도는 증가하지만, 광 반사 층의 장파장 흡수로 인하여 하부 태양전지의 전류 밀도 감소가 더 커지게 되어 전체 발생 전류 밀도는 오히려 감소하게 된다. 본 논문에서는 비정질 실리콘의 밴드갭을 제어하여 광 흡수 파장 영역 확대로 전류 밀도를 향상시키는 연구를 진행하였다. PECVD의 RF power 조건을 제어하여 1.75eV에서 1.67eV까지 밴드갭을 변화시켰다. 이와 같은 조건의 박막을 광 흡수층으로 갖는 p-i-n 구조의 비정질 실리콘 태양전지를 제작하였다. i층의 밴드갭이 감소됨에 따라 장파장 영역의 흡수가 확대되어 전류 밀도가 증가 하였지만, Voc의 감소가 컸다. 이는 i층의 밴드갭이 좁아짐에 따라 p층과의 불연속성이 커졌기 때문이다. 이러한 악영향을 줄이기 위해 p층과 i층 사이에 buffer층을 삽입하여 태양전지를 제작하였다. 이와 같은 최적의 buffer층 삽입을 통하여 불연속성을 줄임으로써 Voc의 상승효과를 확인하였다. 본 연구의 결과로 좁은 밴드갭을 갖는 광 흡수 층을 적용하여 전류 밀도를 향상시키고, 최적화된 buffer층 삽입으로 Voc를 향상시킴으로써 고효율의 비정질 실리콘 태양전지를 제작하였다. 이를 tandem형 태양전지에 적용할 경우 초기 효율뿐만 아니라 얇은 두께에서 제조할 수 있기 때문에 광열화 특성이 향상되어 안정화 효율의 증가를 가져올 수 있다.

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국내 광대역 지진관측소의 부지증폭 특성 (Characteristics of Site Amplification of the Broad-band Seismic Stations in Korea)

  • 김서영;김성균
    • 한국지구과학회지
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    • 제30권7호
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    • pp.810-823
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    • 2009
  • 지진원 상수의 정밀한 결정과 지진재해의 예측에 있어서 결정적인 요인의 하나는 부지증폭 특성에 관한 상세한 정보이다. 한반도 광대역 지진관측소의 부지증폭 특성이 0.2-20 Hz 범위 내에서 주파수의 함수로 추정되었다. 한반도 남부에서 2003년부터 2008년까지 관측된 43개의 지진에 대한 총 1275개의 지진기록이 사용되었다. 지진동 모델의 역산으로부터 추정된 28개소의 관측소에 대한 부지증폭비는 수직대 수평(H/V) 스펙트럼비로부터 얻어진 증폭비와 몇몇 관측소를 제외하고는 대체로 그 값이 일치하는 것이 발견되었다. 이 연구에서 얻어진 주파수별 부지증폭 특성은 어떤 뚜렷한 공간분포를 보이지 않았다. 또한 부지증폭 특성은 기반암 종류보다는 풍화의 정도와 크게 관련이 있는 것으로 나타났다. 주파수별 부지증폭비를 참조하여 28개소의 광대역 관측소를 4개의 그룹으로 나누었고, 그룹별 특징에 대하여 본문에 서술하였다.

NaI 스펙트럼으로부터 인공방사선 조사선량의 계산 (Calculation of Man-made Radiation Exposure Rate from NaI Spectrum)

  • 이모성
    • Journal of Radiation Protection and Research
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    • 제26권2호
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    • pp.113-117
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    • 2001
  • NaI 스펙트럼으로부터 조사선량을 계산하는 에너지대 방법은 $1300{\sim}3000keV$ 영역의 에너지 스펙트럼을 사용하여 조사선량을 계산하기 때문에 자연방사선만의 조사선량이 계산되어지지만, 총에너지 방법은 $150{\sim}3400keV$ 영역의 에너지 스펙트럼을 사용하기 때문에 인공방사선의 조사선량도 포함하여 계산한다. 따라서 총에너지 방법에 의한 조사선량과 에너지대 방법에 의한 조사선량의 차이는 인공방사선에 의한 조사선량이 될 것이다. 본 연구에서는 인공방사선이 없는 지역에서 단지 기상요인에 의해서 조사선량 변동이 심한 기간동안 NaI 검출기로 스펙트럼을 측정하였다. 이와 같이 측정한 스펙트럼에 대해서 두 방법으로 계산한 조사선량률들은 통계적 변동 ${\pm}0.3{\mu}R\;h^{-1}$ 이내에서 잘 일치하였다. 결과적으로 두 방법에 의해 계산된 조사선량값이 차이가 있다면 그것은 인공방사선에 의한 조사선량으로 해석할 수 있을 것이다.

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열처리한 ZnS 단결정의 광학적 특성 (Optical Properties of Annealed ZnS Single Crystal)

  • 이일훈;안천
    • 한국안광학회지
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    • 제4권2호
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    • pp.97-103
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    • 1999
  • ZnS 화합물은 근자외선 영역의 직접천이형 띠 간격을 갖으며 청색 발광 다이오드나 레이저의 소재로 기대되는 물질이다. 결정구조는 X선 회절무늬를 분석한 결과 zinc blonde구조임을 알 수 있었다. 격자상수는 $a_o=5.411{\AA}$이었다. ZnS단결정의 광학적 흡수, 광전류와 광발광 스펙트럼 등 광학적 특성을 조사하였다. 광학적 띠간격 에너지는 3.61eV이었고 $800^{\circ}C$에서 열처리한 ZnS의 띠 간격 에너지는 광전류 측정 결과 as-grown-ZnS에 비하여 0.1eV 정도 작아짐을 알 수 었었다. 광발광 스펙트럼은 30K에서 293K까지 as-grown-ZnS와 $800^{\circ}C$에서 열처리한 경우에 대하여 각각 측정되었다. As-grown ZnS단결정의 광발광 피크는 350nm, 392nm, 465nm에서 $800^{\circ}C$에서 열처리한 경우 349nm, 370nm, 394nm 518nm, 572nm에서 각각 측정되었다.

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고속 PMIC용 2단 광대역 OTA방식의 LDO 레귤레이터 설계 (Design of the LDO Regulator with 2-stage wide-band OTA for High Speed PMIC)

  • 권보민;송한정
    • 한국산학기술학회논문지
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    • 제11권4호
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    • pp.1222-1228
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    • 2010
  • 고속 PMIC를 위한 빠른 천이 응답 시간을 가지는 CMOS LDO 레귤레이터를 설계하였다. 제안하는 LDO 레귤레이터 회로는 기준전압회로와 오류증폭회로, 파워 트랜지스터 등으로 이루어지며, 출력전압의 안정성을 높이기 위하여 오류증폭 회로와 파워 트랜지스터 사이에 버퍼로써 2단 광대역 OTA를 추가하였다. 기존의 연구에서 제안된 가장 간단하게 구현할 수 있는 버퍼로는 소스팔로워 구조가 있으나, 출력 스윙이 좁고 신호 대 잡음비가 저하되는 문제점이 있었다. 본 논문에서는 2단 광대역 OTA를 버퍼로 사용하여 LDO 전압 레귤레이터의 출력 특성을 개선하였다. $0.5{\mu}m$ CMOS 공정을 이용하여 모의실험 한 결과, 라인 레귤레이션은 16 mV/V, 부하 레귤레이션 0.007 %/mA를 얻었다.

다중 대역 레이더 탐지기용 광대역 주파수 체배 VCO 구현에 관한 연구 (A Study on the Realization of Broadband frequency Multiple VCO for Multi-Band Radar Detector)

  • 박욱기;강석엽;고민호;박효달
    • 한국통신학회논문지
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    • 제30권10A호
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    • pp.971-978
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    • 2005
  • 본 논문에서는 X/K/Ka 대역 레이더 탐지기(RD : Radar Detector)에 사용 가능한 주파수 체배기를 이용한 전압제어 발진기(VCO : Voltage Controlled Oscillator)를 설계 제작하였다. 기존 레이더 탐지기에 사용된 VCO는 좁은 대역폭과 느린 주파수 가변 속도, 높은 주파수로 인한 양산성의 불안정 등 문제점이 있었다. 이 모든 단점을 개선한 주파수 체배기를 이용한 VCO를 설계 제작하였다. 연구된 주파수 체배 VCO는 측정 결과 발진 주파수는 11.27 GHz, 그때의 출력 전력은 3.64 dBm이며, 바랙터 다이오드에 인가되는 제어 전압을 0 V에서 4.50 V까지 가변 하였을 때 660 MHz의 넓은 주파수 동조 범위를 보였다. 또한 1 MHz의 옵셋 주파수에서 -104.0 dEc의 위상잡음 특성을 나타내어 상용 목적에 적합한 성능을 얻었다.

다원화합물 반도체 $ZnGaInS_4:Er^{3+}$ 단결정의 광발광 특성 (Photoluminescence of Multinary-compound Semiconductor $ZnGaInS_4:Er^{3+}$ Single Crystals)

  • 김남오;김형곤;방태환;현승철;김덕태
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2000년도 학술대회 논문집 전문대학교육위원
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    • pp.35-39
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    • 2000
  • $ZnIn_2S_4$ and $ZnGaInS_4:Er^{3+}$ single crystals crystallized in the rhombohedral (hexagonal) space group $C_{3v}^5(R3m)$, with lattice constants $a=3.852{\AA},\;c=37.215{\AA}$ for $ZnIn_2S_4$, and $a=3.823{\AA}$, and $c=35.975{\AA}$ for $ZnIn_2S_4:Er^{3+}$. The optical absorption measured near the fundamental band edge showed that the optical energy band structure of there compounds had a direct and indirect band gap, the direct and indirect energy gaps are found to be 2.778 and 2.682 eV for $ZnIn_2S_4$, and 2.725 and 2.651eV for $ZnIn_2S_4:Er^{3+}$ at 293 K. The photoluminescence spectra of $ZnIn_2S_4:Er^{3+}$ measured in the wavelength ranges of $500nm{\sim}900nm$ at 10 K. Eight sharp emission peaks due to $Er^{3+}$ ion are observed in the regions of $549.5{\sim}550.0nm,\;661.3{\sim}676.5nm$, and $811.1{\sim}834.1nm$, and $1528.2{\sim}1556.0nm$ in $CdGaInS_4:Er^{3+}$ single crystal. These PL peaks were attributed to the radiative transitions between the split electron energy levels of the $Er^{3+}$ ions occupied at $C_{2v}$, symmetry of the $ZnIn_2S_4$ single crystals host lattice.

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Ag(001) 표면 위에 놓인 Fe 선의 자성과 전자구조 (First-principles Study on Magnetism and Electronic Structure of Fe Chain on Ag(001))

  • 김영구;이재일
    • 한국자기학회지
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    • 제15권4호
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    • pp.217-220
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    • 2005
  • 제일원리적 에너지 띠 계산 방법인 전 전자 총 퍼텐셜 선형보강평면파동(all-electron full-potential linearized augmented plane ave) 방법에 일반기울기근사(generalized gradient approximation)를 채용하여 Ag(001) 표면 위에 [110] 방향으로 놓인 Fe 선의 전자구조와 자성을 이론적으로 연구하였다. Fe 선의 원자당 자기모멘트는 $3.02\;{\mu}_B$로 Cu(001) 위에 놓인 Fe[110] 선의 값($2.99\;{\mu}_B$) 보다 약간 컸다. Fe 선의 자기모멘트가 상당히 증가한 것은 이웃한 결합수가 줄어들고 그 결과로 Fe-d 전자상태의 띠폭이 줄어들어 국소화 되고 스핀분리가 증가하였기 때문이다. Fe-d 전자상태의 띠 폭은 약 1.6eV였으며 스핀분리는 약 3.2 eV였다.

345 kV 케이블 종단접속부에서의 폭발사고 원인분석 (The cause analysis of explosion on junction termination of 345kV cable)

  • 송길목;방선배;김종민;김영석;최명일
    • 한국화재조사학회학술대회
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    • 한국화재조사학회 2011년도 제20회 추계학술대회
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    • pp.63-79
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    • 2010
  • 345 kV 케이블의 종단접속부에서는 다수의 아크흔적이 발견된다. 재료분석에 의하면 케이블은 양호한 것으로 판정된다. 제조 및 설계상의 문제점은 없는 것으로 판단된다. 시공상의 결함요인 중 절연유 레벨이 낮은 것으로 추정되었다. XLPE에서는 다수의 Arc trace가 나타난 것을 확인하였다. 그러나 Soots mark가 없고, Yellow band 확인되지 않았으며, 방사형의 spider leg와 연결되지 않은 아크흔적이 없다. 이견사항으로는 XLPE의 내부에 보이드, 이물질 또는 돌기로 의심되는 것은 발견되지 않았다. 따라서 XLPE에서 이물질의 부착에 의한 절연파괴인 것으로 판단된다.

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