• Title/Summary/Keyword: V Band

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The Effect of Mg Precursors on Optical and Structural Characteristics of Sol-Gel Processed Mg0.3Zn0.7O Thin Films (졸-겔법으로 성장시킨 Mg0.3Zn0.7O 박막의 Mg 전구체의 종류에 따른 광학적·구조적 특성에 관한 연구)

  • Yeom, Ahram;Kim, Hong Seung;Jang, Nak Won;Yun, Young;Ahn, Hyung Soo
    • Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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    • v.33 no.3
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    • pp.214-218
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    • 2020
  • In this study, MgxZn1-xO thin films, which can be applied not only to active layers of light-emitting devices (LEDs), such as UV-LEDs, but also to solar cells, high mobility field-effect transistors, and power semiconductor devices, are fabricated using the sol-gel method. ZnO and Mg0.3Zn0.7O solution synthesized by the sol-gel method and the thin film were grown by spin coating on a Si (100) substrate and sapphire substrate. The solutions are synthesized by dissolving precursor materials in 2-methoxyethanol (2-ME) solvent, and then monoethanolamine (MEA) was added to the mixed solution as a sol stabilizer. Zinc acetate dihydrate is used as a ZnO precursor, while Mg nitrate hexahydrate and Mg acetate tetrahydrate are used as an MgO precursor. Then, the optical and structural characteristics of the fabricated thin films are compared. The molar concentration of the Zn precursor in the solvent is fixed at 0.3 M, and the amount of the Mg precursor is 30% of Mg2+/Zn2+. The optical characteristics are measured using an UV-vis spectrophotometer, and the transmittance of each wavelength is measured. Structural characteristics are measured using X-ray diffraction (XRD) and transmission electron microscopy (TEM). Composition analyses are performed using energy dispersive X-ray spectroscopy (EDS). The Mg0.3Zn0.7O thin film was well formed at the ratio of the Mg precursor added regardless of the type of Mg precursor, and the c-axis of the thin film was decreased, while the band gap was increased to 3.56 eV.

수소처리와 후성장층의 특성이 다이아몬드 박막의 전계방출 특성에 미치는 영향

  • 심재엽;송기문;이세종;백홍구
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2000.02a
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    • pp.96-96
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    • 2000
  • 화학증착법으로 증착된 다이아몬드 박막은 우수한 전기적 특성과 뛰어난 화학적, 열적 안정성 때문에 전계방출소재로 많은 관심을 불러 일으키고 있다. 다이아몬드 박막의 전계방출은 저전계에서 일어나는 것으로 알려져 있으며, 저전계방출의 원인을 규명하려는 많은 연구가 진행되어 왔다. 한편, 다이아몬드 박막의 전계방출전류는 금속기판의 사용에 의한 기판/다이아몬드 접촉의 개선, 다이아몬드 박막내의 흑연성분의 조절에 의한 구조변화, 보론이나 인 (P), 질소의 도핑, 수소 플라즈마나 cesium 등의 금속을 이용한 표면처리 등의 여러 방법에 의하여 향상된다는 것이 입증되었다. 그 외에 메탄과 대기 분위기 처리, 암모니아 분위기에서의 레이저 조사도 전계방출특성을 향상시키는 것으로 보고되었다. 그러나, 다이아몬드 박막의 성장후 구조적 특성이 다른 박막의 후성장이나 열분해된 운자수소 처리가 다이아몬드 박막의 전계방출특성에 미치는 영향에 관한 연구는 지금까지 이루어지지 않았다. 본 연구에서는 수소처리와 후성장이 다이아몬드 박막의 전계방출특성에 미치는 영향을 고찰하고 이로부터 그 원인을 규명하고자 하였다. 다이아몬드 박막은 hot-filament 화학증착법을 이용하여 증착하였다. 후성장한 다잉아몬드 박막내의 흑연성분과 박막의 두께를 체계적으로 조절하여 후성장 박막의 구조적 특성과 그 두께의 영향을 확인할 수 있었다. 후성장층내의 흑연성분과 두께가 증가할수록 전계방출특성은 향상되다가 저하되었다. 한편, 다이아몬드 박막을 성장시킨 후 수소분위기 처리를 함에 따라 전계방출특성은 향상되었지만 수소처리시간이 5분 이상으로 증가함에 따라 그 특성은 저하되었다. 본 연구에서는 수소처리와 후성장시 나타나는 전계방출특성의 변화 원인을 규명하고자 한다.기판위에서 polymer-like Carbon 구조는 향상되는 경향을 보였다.0 mm인 백금 망을 마스크로 사용하여 실제 3차원 미세구조를 제작하여 보았다. 그림 1에서 제작된 구조물의 SEM 사진을 보여주었으며, 식각된 면의 조도가 매우 뛰어나며 모서리의 직각성도 우수함을 확인할 수 있다. 이와 같이 도출된 시험 조건을 기초로 하여 리소그래피 후에 전기 도금을 이용한 금속 몰드 제작 및 이온빔 리소그래피 장점을 최대한 살릴수 있는 미세구조 제작에 대한 연구를 계속 추진할 계획이다. 비정질 Si1-xCx 박막을 증착하여 특성을 분석한 결과 성장된 박막의 성장률은 Carbonfid의 증가에 따라 다른 성장특성을 보였고, Silcne(SiH4) 가스량의 감소와 함께 박막의 성장률이 둔화됨을 볼 수 있다. 또한 Silane 가스량이 적어지는 영역에서는 가스량의 감소에 의해 성장속도가 둔화됨을 볼 수 있다. 또한 Silane 가스량이 적어지는 영역에서는 가스량의 감소에 의해 성장속도가 줄어들어 성장률이 Silane가스량에 의해 지배됨을 볼 수 있다. UV-VIS spectrophotometer에 의한 비정질 SiC 박막의 투과도와 파장과의 관계에 있어 유리를 기판으로 사용했으므로 유리의투과도를 감안했으며, 유리에 대한 상대적인 비율 관계로 투과도를 나타냈었다. 또한 비저질 SiC 박막의 흡수계수는 Ellipsometry에 의해 측정된 Δ과 Ψ값을 이용하여 시뮬레이션한 결과로 비정질 SiC 박막의 두께를 이용하여 구하였다. 또한 Tauc Plot을 통해 박막의 optical band gap을 2.6~3.7eV로 조절할 수 있었다. 20$0^{\circ}C$이상으로 증가시켜도 광투과율은 큰 변화를 나타내지 않았다.부터

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Effect of DC bias on structure of hydrogenated amorphous silicon and microcrystalline silicon

  • 이윤정;주성재;임승현;윤의준
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2000.02a
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    • pp.84-84
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    • 2000
  • 수소화된 비정질 실리콘(a-Si:H)과 미세결정질 실리콘 ($\mu$c-Si:H)은 저온.건식 공정인 PECVD로 값싼 유리 기판을 사용하여 넓은 면적에 증착이 가능하다는 큰 장점으로 인해 광전소자(photovoltaic device)와 박막 트랜지스터(TFTs)등에 폭넓게 응용되어 왔으며 최근에는 nm 크기의 실리콘 결정(nc-Si)에서 가시광선 영역의 발광 현상이 발견됨에 따라 광소자로서의 특성을 제어하기 위해서는 성장 조건과 공정 변수에 따른 구조 변화에 대한 연구가 선행되어야 한다. 본 연구에서는 UHV-ECR-PECVD 법을 이용하여 H2로 희석된 SiH4로부터 a-Si:H과 $\mu$c-Si:H를 증착하였다. 그림 1은 SiH4 20sccm/H2 50sccm/25$0^{\circ}C$에서 기판의 DC bias를 변화시키면서 박막을 증착시킬 때 나타나는 박막의 구조 변화를 raman spectrum의 To phonon peak의 위치와 반가폭의 변화로 나타낸 것이다. 비정질 실리콘 박막은 DC bias를 증가시킴에 따라 무질서도가 증가하다가 어떤 critical DC bias에서 최대치를 이룬후 다시 질서도가 증가한다. 이온의 충격력에 의해 박막내에 응력이 축적되면 박막의 에너지 상태가 높아지고 이 축적된 응력이 ordering에 대한 에너지 장벽을 넘을 수 있을 만큼 커지게 되면 응력이 풀리면서 ordering이 가능해지는 것으로 생각된다. 그림 2는 수소 결합 형태의 변화이다. 박막의 무질서도가 증가할 경우 알려진 바와 같이 2000cm-1근처의 peak은 감소하고 2100cm-1 부근이 peak이 증가하는 현상을 보였다. 본 논문에서는 여러 공정 변수, 특히 DC bias에 따르는 박막의 구조 변화와 다른 성장 조건(온도, 유량비)이 critical DC bias나 결정화, 결정성 등에 미치는 영향에 대한 분석결과를 보고하고자 한다.등을 이용하여 광학적 밴드갭, 광흡수 계수, Tauc Plot, 그리고 파장대별 빛의 투과도의 변화를 분석하였으며 각 변수가 변화함에 따라 광학적 밴드갭의 변화를 정량적으로 조사함으로써 분자결합상태와 밴드갭과 광 흡수 계수간의상관관계를 규명하였고, 각 변수에 따른 표면의 조도를 확인하였다. 비정질 Si1-xCx 박막을 증착하여 특성을 분석한 결과 성장된 박막의 성장률은 Carbonfid의 증가에 따라 다른 성장특성을 보였고, Silcne(SiH4) 가스량의 감소와 함께 박막의 성장률이 둔화됨을 볼 수 있다. 또한 Silane 가스량이 적어지는 영역에서는 가스량의 감소에 의해 성장속도가 둔화됨을 볼 수 있다. 또한 Silane 가스량이 적어지는 영역에서는 가스량의 감소에 의해 성장속도가 줄어들어 성장률이 Silane가스량에 의해 지배됨을 볼 수 있다. UV-VIS spectrophotometer에 의한 비정질 SiC 박막의 투과도와 파장과의 관계에 있어 유리를 기판으로 사용했으므로 유리의투과도를 감안했으며, 유리에 대한 상대적인 비율 관계로 투과도를 나타냈었다. 또한 비저질 SiC 박막의 흡수계수는 Ellipsometry에 의해 측정된 Δ과 Ψ값을 이용하여 시뮬레이션한 결과로 비정질 SiC 박막의 두께를 이용하여 구하였다. 또한 Tauc Plot을 통해 박막의 optical band gap을 2.6~3.7eV로 조절할 수 있었다. 20$0^{\circ}C$이상으로 증가시켜도 광투과율은 큰 변화를 나타내지 않았다.부터 전분-지질복합제의 형성 촉진이 시사되었다.이것으로 인하여 호화억제에 의한 노화 방지효과가 기대되었지만 실제로 빵의 노화는 현저히 진행되었다. 이것은 quinua 대체량 증가에 따른 반죽의 안정성이 저하되어 버린 것으로 생각되어진다. 더욱이 lipase를 첨가하면 반죽이 분화하는 경향이 보여졌지만 첨가량 75ppm에 있어서 상당히 비용적의 증대가 보였다. 이것은 lipase의 가수분해에 의해

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Thickness Determination of Ultrathin Gate Oxide Grown by Wet Oxidation

  • 장효식;황현상;이확주;조현모;김현경;문대원
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2000.02a
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    • pp.107-107
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    • 2000
  • 최근 반도체 소자의 고집적화 및 대용량화의 경향에 다라 MOSFET 소자 제작에 이동되는 게이트 산화막의 두께가 수 nm 정도까지 점점 얇아지는 추세이고 Giga-DRAM급 차세대 UNSI소자를 제작하기 위해 5nm이하의 게이트 절연막이 요구된다. 이런 절연막의 두께감소는 게이트 정전용량을 증가시켜 트랜지스터의 속도를 빠르게 하며, 동시에 저전압동작을 가능하게 하기 때문에 게이트 산화막의 두께는 MOS공정세대가 진행되어감에 따라 계속 감소할 것이다. 따라서 절연막 두께는 소자의 동작 특성을 결정하는 중요한 요소이므로 이에 대한 정확한 평가 방법의 확보는 공정 control 측면에서 필수적이다. 그러나, 절연막의 두께가 작아지면서 게이트 산화막과 crystalline siliconrksm이 계면효과가 박막의 두께에 심각한 영향을 주기 때문에 정확한 두께 계측이 어렵고 계측방법에 따라서 두께 계측의 차이가 난다. 따라서 차세대 반도체 소자의 개발 및 양산 체계를 확립하기 위해서는 산화막의 두께가 10nm보다 작은 1nm-5nm 수준의 박막 시료에 대한 두께 계측 방법이 확립이 되어야 한다. 따라서, 본 연구에서는 습식 산화 공정으로 제작된 3nm-7nm 의 게이트 절연막을 현재까지 알려진 다양한 두께 평가방법을 비교 연구하였다. 절연막을 MEIS (Medim Energy Ion Scattering), 0.015nm의 고감도를 가지는 SE (Spectroscopic Ellipsometry), XPS, 고분해능 전자현미경 (TEM)을 이용하여 측정 비교하였다. 또한 polysilicon gate를 가지는 MOS capacitor를 제작하여 소자의 Capacitance-Voltage 및 Current-Voltage를 측정하여 절연막 두께를 계산하여 가장 좋은 두께 계측 방법을 찾고자 한다.다. 마이크로스트립 링 공진기는 링의 원주길이가 전자기파 파장길이의 정수배가 되면 공진이 일어나는 구조이다. Fused quartz를 기판으로 하여 증착압력을 변수로 하여 TiO2 박막을 증착하였다. 그리고 그 위에 은 (silver)을 사용하여 링 패턴을 형성하였다. 이와 같이 공진기를 제작하여 network analyzer (HP 8510C)로 마이크로파 대역에서의 공진특서을 측정하였다. 공진특성으로부터 전체 품질계수와 유효유전율, 그리고 TiO2 박막의 품질계수를 얻어내었다. 측정결과 rutile에서 anatase로 박막의 상이 변할수록 유전율은 감소하고 유전손실은 증가하는 결과를 나타내었다.의 성장률이 둔화됨을 볼 수 있다. 또한 Silane 가스량이 적어지는 영역에서는 가스량의 감소에 의해 성장속도가 둔화됨을 볼 수 있다. 또한 Silane 가스량이 적어지는 영역에서는 가스량의 감소에 의해 성장속도가 줄어들어 성장률이 Silane가스량에 의해 지배됨을 볼 수 있다. UV-VIS spectrophotometer에 의한 비정질 SiC 박막의 투과도와 파장과의 관계에 있어 유리를 기판으로 사용했으므로 유리의투과도를 감안했으며, 유리에 대한 상대적인 비율 관계로 투과도를 나타냈었다. 또한 비저질 SiC 박막의 흡수계수는 Ellipsometry에 의해 측정된 Δ과 Ψ값을 이용하여 시뮬레이션한 결과로 비정질 SiC 박막의 두께를 이용하여 구하였다. 또한 Tauc Plot을 통해 박막의 optical band gap을 2.6~3.7eV로 조절할 수 있었다. 20$0^{\circ}C$이상으로 증가시켜도 광투과율은 큰 변화를 나타내지 않았다.부터 전분-지질복합제의 형성 촉진이 시사되었다.이것으로 인하여 호화억제에 의한 노화 방지효과가 기대되었지만 실제로 빵의 노화는 현저히 진행되었다

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Physical Properties of the Nonstoichiometric Perovskite $Dy_{1-x}Sr_xCoO_{3-y}$ System

  • 정수경;김민규;김규홍;여철현
    • Bulletin of the Korean Chemical Society
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    • v.17 no.9
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    • pp.794-798
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    • 1996
  • Solid solutions of the nonstoichiometric Dy1-xSrxCoO3-y system with the compositions of x=0.00, 0.25, 0.50, 0.75, and 1.00 have been synthesized by the solid state reaction at 1000 ℃ under atmospheric air pressure. The crystallographic structures of the solid solutions are analyzed by the powder X-ray diffraction patterns at room temperature. The analyses assign the compositions of x=0.00 and 0.25 to the orthorhombic system with space group of Pbnm/D2h16, the compositions of x=0.50 and 0.75 to the tetragonal system like a typical SrCoO2.86, and the composition of x=l.00 or SrCoO2.50 to the brownmillerite type system with space group of I**a. The reduced lattice volumes increase with x value due to the larger radius of Sr2+ ion than that of Dy3+ ion. The mole ratio of Co4+ ion to total Co ion with mixed valence state between Co3+ and Co4+ ions at B sites or τ value has been determined by an iodometric titration. All the samples except for the DyCoO3 compound show the mixed valnce state and thus the composition of x=0.50 has the maximum τ value in the system. The oxygen vacancies increasing with x value are randomly distributed over the crystal lattice except for the composition of x=l.00 which have the ordering of the oxygen vacancies. The nonstoichiometric chemical formulas of the Dy1-xSrxCo3+1-τCo4+τO3-(x-τ)/2 system are formulated from the x, τ, and y values. The electrical conductivity in the temperature range of 100 to 900 K increases with τ value linearly because of positive holes of the Co4+ ions in π* band as a conducting carrier. The activation energy of the x=0.50 as Ea=0.17 eV is minimum among other compouds. Broad and high order transition due to the overlap between σ* and π* bands broadened by the thermal activation is observed near 1000 K and shows a low temperature-semiconducting behavior. Magnetic properties following the Currie-Weiss law show the low to high spin transition in the cobaltate perovskite. Especially, the composition of x=0.75 presents weak ferromagnetic behavior due to the Co3+-O2--Co4+ indirect superexchange interaction.

Synthesis of Binuclear Bismacrocyclic Iron(II) Complex by the Aerobic Oxidation of Iron(II) Complex of 1,4,8,11-Tetraazacyclotetradecane

  • Myunghyun Paik Suh;Gee-Yeon Kong;Il-Soon Kim
    • Bulletin of the Korean Chemical Society
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    • v.14 no.4
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    • pp.439-444
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    • 1993
  • The aerobic oxidation of the Fe(II) complex of 1,4,8,11-tetraazacyclotetradecane, [Fe(cyclam)$(CH_3CN)_2](ClO_4)_2$, in MeCN in the presence of a few drops of $HClO_4$ leads to low spin Fe(III) species [Fe(cyclam)$(CH_3CN)_2](ClO_4)_3$. The Fe(III) cyclam complex is further oxidized in the air in the presence of a trace of water to produce the deep green binuclear bismacrocyclic Fe(II) complex $[Fe_2(C_{20}H_{36}N_8)(CH_3CN)_4](ClO_4)_4{\cdot}2CH_3CN$. The Fe(II) ions of the complex are six-coordinated and the bismacrocyclic ligand is extensively unsaturated. $[Fe_2(C_{20}H_{36}N_8)(CH_3CN)_4](ClO_4)_4{\cdot}2CH_3CN$ crystallizes in the monoclinic space group $P2_1/n$ with a= 13.099 (1) ${\AA}$, b= 10.930 (1) ${\AA}$, c= 17.859 (1) ${\AA}$, ${\beta}$= 95.315 $(7)^{\circ}$, and Z= 2. The structure was solved by heavy atom methods and refined anisotropically to R values of R= 0.0633 and $R_w$= 0.0702 for 1819 observed reflections with F > $4{\sigma}$ (F) measured with Mo K${\alpha}$ radiation on a CAD-4 diffractometer. The two macrocyclic units are coupled through the bridgehead carbons of ${\beta}$-diimitie moieties by a double bond. The double bonds in each macrocycle unit are localized. The average bond distances of $Fe(II)-N_{imine}$, $Fe(II)-N_{amine}$, and $Fe(II)-N_{MeCN}$ are 1.890 (5), 2.001 (5), and 1.925 (6) ${\AA}$, respectively. The complex is diamagnetic, containing two low spin Fe(II) ions in the molecule. The complex shows extremely intense charge transfer band in the near infrared at 868 nm with ${\varepsilon}$= 25,000 $M^{-1}cm^{-1}$. The complex shows a one-electron oxidation wave at +0.83 volts and two one-electron reduction waves at -0.43 and-0.72 volts vs. Ag/AgCl reference electrode. The complex reacts with carbon monoxide in $MeNO_2$ to form carbonyl adducts, whose $v_{CO}$ value (2010 $cm^{-1}$) indicates the ${\pi}$-accepting property of the present bismacrocyclic ligand.

Acoustic Analysis and Auditory-Perceptual Assessment for Diagnosis of Functional Dysphonia (기능성 음성장애의 진단을 위한 음향학적, 청지각적 평가)

  • Kim, Geun-Hyo;Lee, Yeon-Yoo;Bae, In-Ho;Lee, Jae-Seok;Lee, Chang-Yoon;Park, Hee-June;Lee, Byung-Joo;Kwon, Soon-Bok
    • Journal of Clinical Otolaryngology Head and Neck Surgery
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    • v.29 no.2
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    • pp.212-222
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    • 2018
  • Background and Objectives : The purpose of this study was to compare the measured values of acoustic and auditory perceptual assessments between normal and functional dysphonia (FD) groups. Materials and Methods : 102 subjects with FD and 59 normal voice groups were participated in this study. Mid-vowel portion of the sustained vowel /a/ and two sentences of 'Sanchaek' were edited, concatenated, and analyzed by Praat script. And then auditory-perceptual (AP) rating was completed by three listeners. Results : The FD group showed higher acoustic voice quality index version 2.02 and version 3.01 (AVQIv2 and AVQIv3), slope, Hammarberg index (HAM), grade (G) and overall severity (OS), values than normal group. Additionally, smoothed cepstral peak prominence in Praat (PraatCPPS), tilt, low-to high spectral band energies (L/H ratio), long-term average spectrum (LTAS) in FD group were lower than normal voice group. And the correlation among measured values ranged from -0.250 to 0.960. In ROC curve analysis, cutoff values of AVQIv2, AVQIv3, PraatCPPS, slope, tilt, L/H ratio, HAM, and LTAS were 3.270, 2.013, 13.838, -22.286, -9.754, 369.043, 27.912, and 34.523, respectively, and the AUC of each analysis was over .890 in AVQIv2, AVQIv3, and PraatCPPS, over 0.731 in HAM, tilt, and slope, over 0.605 in LTAS and L/H ratio. Conclusions : In conclusion, AVQI and CPPS showed the highest predictive power for distinguishing between normal and FD groups. Acoustic analyses and AP rating as noninvasive examination can reinforce the screening capability of FD and help to establish efficient diagnosis and treatment process plan for FD.

Development of a Species Identification Method for the Egg and Fry of the Three Korean Bitterling Fishes (Pisces: Acheilognathinae) using RFLP (Restriction Fragment Length Polymorphism) Markers (제한절편 길이 다형성(RFLP) 분자마커를 이용한 납자루아과 담수어류 3종의 난과 치어 종 동정 기법 개발)

  • Choi, Hee-kyu;Lee, Hyuk Je
    • Korean Journal of Environmental Biology
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    • v.36 no.3
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    • pp.352-358
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    • 2018
  • This study aimed to develop a species identification method for the egg and fry of the three Korean bitterling fishes (Pisces: Acheilognathinae), including Acheilognathus signifer, Acheilognathus yamatsutae and Rhodeus uyekii based on the PCR-based Restriction Fragment Length Polymorphism (RFLP) markers. We conducted a field survey on the Deokchicheon River from the North Han River basin, where the three Acheilognathinae species co-occur, and also analyzed the existing sequence dataset available from the GenBank. We found coexistence of the three species at the study site. The egg and fry were obtained from the host mussels (Unio douglasiae sinuolatus) by hand from May to June 2015 and in May 2017. To develop PCR-based RFLP markers for species identification of the three Acheilognathinae fish species, restriction enzymes pinpointing species-specific single nucleotide variation (SNV) sites in mitochondrial DNA COI (cytochrome oxidase I) and cyt b (cytochrome b) genes were determined. Genomic DNA was extracted from the egg and fry and RFLP experiments were carried out using restriction enzymes Apal I, Stu I and EcoR V for A. signifer, A. yamatsutae and R. uyekii, respectively. Consequently, unambiguous discrimination of the three species was possible, as could be seen in DNA band patterns from gel electrophoresis. Our developed PCR-based RFLP markers will be useful for the determination of the three species for the young and would assist in studying the spawning patterns and reproductive ecology of Acheilognathinae fishes. Furthermore, we believe the obtained information will be of importance for future maintenance, management and conservation of these natural and endangered species.

Expression of Peroxiredoxin and Thioredoxin in Human Lung Cancer and Paired Normal Lung (인체의 폐암과 정상 폐조직에서 Peroxiredoxin 및 Thioredoxin의 발현 양상)

  • Kim, Young Sun;Park, Joo Hun;Lee, Hye Lim;Shim, Jin Young;Choi, Young In;Oh, Yoon Jung;Shin, Seung Soo;Choi, Young Hwa;Park, Kwang Joo;Park, Rae Woong;Hwang, Sung Chul
    • Tuberculosis and Respiratory Diseases
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    • v.59 no.2
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    • pp.142-150
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    • 2005
  • Background : Continuous growth stimulation by various factors, as well as chronic oxidative stress, may co-exist in many solid tumors, such as lung cancer. A new family of antioxidant proteins, the peroxiredoxins (Prxs), have been implicated in the regulation of many cellular processes, including cell proliferation, differentiation and apoptosis. However, a real pathophysiological significance of Prx proteins, especially in lung disease, has not been sufficiently defined. Therefore, this study was conducted to investigate the distribution and expression of various Prx isoforms in lung cancer and other pulmonary conditions. Method : Patients diagnosed with lung cancer, and who underwent surgery at the Ajou Medical Center, were enrolled. The expressions of Prxs, Thioredoxin (Trx) and Thioredoxin reductase (TR) were analyzed using proteomic techniques and the subcellular localization of Prx proteins was studied using immunohistochemistry on normal mouse lung tissue. Result : Immunohistochemical staining has shown the isoforms of Prx I, II, III and V are predominantly expressed in bronchial and alveolar lining epithelia, as well as in the alveolar macrophages of the normal mouse lung. The isoforms of Prx I and III, and thioredoxin were also found to be over-expressed in the lung cancer tissues compared to their paired normal lung controls. There was also an increased amount of the oxidized form of Prx I, as well as a putative truncated form of Prx III, in the lung cancer samples when analyzed using 2-dimensional electrophoresis. In addition, a 43 kDa intermediate molecular weight protein band, and other high molecular weight bands of over 20 kDa, recognized by the anti-Prx I antibody, were present in the tissue extracts of lung cancer patients on 1-Dimensional electrophoresis, which require further investigation. Conclusion : The over-expressions of Prx I and III, and Trx in human lung cancer tissue, as well as their possible chaperoning function, may represent an attempt by tumor cells to adjust to their microenvironment in a manner advantageous to their survival and proliferation, while maintaining their malignant potential.

Enhancement and Quenching Effects of Photoluminescence in Si Nanocrystals Embedded in Silicon Dioxide by Phosphorus Doping (인의 도핑으로 인한 실리콘산화물 속 실리콘나노입자의 광-발광현상 증진 및 억제)

  • Kim Joonkon;Woo H. J.;Choi H. W.;Kim G. D.;Hong W.
    • Journal of the Korean Vacuum Society
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    • v.14 no.2
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    • pp.78-83
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    • 2005
  • Nanometric crystalline silicon (no-Si) embedded in dielectric medium has been paid attention as an efficient light emitting center for more than a decade. In nc-Si, excitonic electron-hole pairs are considered to attribute to radiative recombination. However the surface defects surrounding no-Si is one of non-radiative decay paths competing with the radiative band edge transition, ultimately which makes the emission efficiency of no-Si very poor. In order to passivate those defects - dangling bonds in the $Si:SiO_2$ interface, hydrogen is usually utilized. The luminescence yield from no-Si is dramatically enhanced by defect termination. However due to relatively high mobility of hydrogen in a matrix, hydrogen-terminated no-Si may no longer sustain the enhancement effect on subsequent thermal processes. Therefore instead of easily reversible hydrogen, phosphorus was introduced by ion implantation, expecting to have the same enhancement effect and to be more resistive against succeeding thermal treatments. Samples were Prepared by 400 keV Si implantation with doses of $1\times10^{17}\;Si/cm^2$ and by multi-energy Phosphorus implantation to make relatively uniform phosphorus concentration in the region where implanted Si ions are distributed. Crystalline silicon was precipitated by annealing at $1,100^{\circ}C$ for 2 hours in Ar environment and subsequent annealing were performed for an hour in Ar at a few temperature stages up to $1,000^{\circ}C$ to show improved thermal resistance. Experimental data such as enhancement effect of PL yield, decay time, peak shift for the phosphorus implanted nc-Si are shown, and the possible mechanisms are discussed as well.