• 한국진공학회지
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• 제22권3호
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• pp.144-149
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• 2013

단일 벽 탄소 나노튜브(SWNT)의 열전도도를 구하기 위해서 메모리함수에 Kubo 등식을 사용하였다. 계산 과정에서 나타나는 발산의 문제를 해결하기 위해 전파인자는 연속 분수과정으로 전개하였다. 이러한 계산에서 메모리함수는 지금까지 제시된 다른 이론들 보다 많은 상호작용의 효과를 고려할 수 있다. SWNT에서 20 K 이하의 저온 영역은 온도의 증가에 따라 열전도도가 증가하며, (9,0) 보다 (10,0)이 다소 큰 값을 가지는데 이는 포논의 평균자유행로 $l_{ph}$가 직경의 크기와 관계 있음을 알 수 있다. 그리고 20 K 이상의 고온 영역에서는 비열이 거의 일정한 값을 가지므로 Umklapp 과정에 의해 열전도도는 감소하면서 최대값을 보이고, SWNT의 직경이 증가할수록 최대값의 위치도 고온 쪽으로 이동하는 것으로 조사되었다.

• The Korean Journal of Ceramics
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• 제3권1호
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• pp.29-33
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• 1997

Four diamond films were deposited by the microwave plasma assisted chemical vapor deposition method varying CH4 concentration from 2.5 to 10% in the feeding gases. Thermal conductivity was measured on these free standing films by the steady state method from 80 K to 400K. They showed higher thermal conductivity as the film deposited with lower methane concentration. One exception, 7.79% methane concentration deposited film, was observed to be the highest thermal conductivity. Phonon scattering processes were considered to analyze the thermal conductivity with the full Callaway model. The grain size and the concentration of the extended and the point defects were used as the fitting parameters. Microstructure of diamond films was investigated with the scanning electron microscopy and Raman spectroscopy.