Electricity living body formation operation appliance is using most imports until present. And, because electricity living body formation operation appliance is too expensive, it becomes burden to buy in small scale hospital. Also, problem that economical damage by income is added follows. Therefore, this treatise developed electricity living body formation operation appliance by home production. Ultra high frequency eruption circuit used LC circuit. and output frequency is possible to 8 [MHz], and output voltage amplified maximum 800 [V]. This operation appliance could display size of fixed current. This developed product could microscopic operation fewer than 1 [mm]. This development technology is considered by do metallic surface heat treatment, melting, welding, induction heating device and that can apply to domestic animals surgical operation and so on.
In this paper, a novel embedded ultra wideband (UWB) band-pass filter is presented on a FR-4 package substrate including high Dk resin coated copper (${\varepsilon}_r=30$) film. The proposed UWB filter is comprised of a parallel resonator with meander-type uniform impedance resonator (UIR) and two series resonators with high Q circular stacked spiral inductor and metal-insulator-metal (MIM) capacitor. In order to obtain excellent attenuation characteristics by generating attenuation poles in lower and upper stop bands, a single MIM capacitor is added to each resonator. The fabricated FR-4 embedded UWB filter has insertion loss of -1.0dB and return loss of -11dB, respectively. It has also extremely wide bandwidth (over 50%) and small size ($3.7{\times}4{\times}0.77\;mm^3$) which is compatible with LTCC devices.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제11권6호
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pp.271-274
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2010
We examined the tunneling current behaviors of magnetic tunneling junction (MTJ) cells utilizing conductive atomic force microscopy (AFM) interfaced with an external magnetic field generator. By introducing current through coils, a magnetic field was generated and then controlled by a current feedback circuit. This enabled the characterization of the tunneling current under various magnetic fields. The current-voltage (I-V) property was measured using a contact mode AFM with a metal coated conducting cantilever at a specific magnetic field intensity. The obtained magnetoresistance (MR) ratios of the MTJ cells were about 21% with no variation seen from the different sized MTJ cells; the value of resistance $\times$ area (RA) were 8.5 K-12.5 K $({\Omega}{\mu}m^2)$. Since scanning probe microscopy (SPM) performs an I-V behavior analysis of ultra small size without an extra electrode, we believe that this novel characterization method utilizing an SPM will give a great benefit in characterizing MTJ cells. This novel method gives us the possibility to measure the electrical properties of ultra small MTJ cells, namely below $0.1\;{\mu}m\;{\times}\;0.1\;{\mu}m$.
22,000 Ton hydraulic press was developed using wire winding method. The hydraulic press consists of three piece of frame type. The outer layers of yoke-column frame and main cylinder linear were wound with piano wire(1mm${\times}$4mm) under controlled tension and the total length of wound wire was about 450Km. The developed hydraulic press is used for the forming of heat plate with ultra-large size. To obtain large force with relative small apparatus, high pressure of $1,500 Kgf/cm^2$ was supplied to main cylinder through pressure amplification by booster pump. Therefore sealing technique of main cylinder is so crucial that the seals were made of mitre ring type with super-elastic metal. The press total weight is about 150 tons, which is quite light and compact relative to that of conventional hydraulic press.
A fully integrated small form-factor HBT power amplifier (PA) was developed for UMTS Tx applications. For practical use, the PA was implemented with a well configured bottom dimension, and a CMOS control IC was added to enable/disable the HBT PA. By using helix-on-pad integrated passive device output matching, a chip-stacking technique in the assembly of the CMOS IC, and embedding of the bulky inductive lines in a multilayer substrate, the module size was greatly reduced to 2 mm ${\times}$ 2.2 mm. A stage-bypass technique was used to enhance the efficiency of the PA. The PA showed a low idle current of about 20 mA and a PAE of about15% at an output power of 16 dBm, while showing good linearity over the entire operating power range.
The existing technical limitation makes engineer imitate nature to solve engineering problems. Recently Micro Air Vehicle(MAV) imitating the mechanism of birds or insects is being developed. Especially Ultra Flite supported by DARPA is studying hummingbird aerodynamics to relate that information to MAV. To drive MAV bender piezoelectric(PZT) actuators are used due to the convinience of control and the small size. But the displacement of the PZT actuators are very small, and the wing driving mechanism which amplifies the stroke generated by the PZT actuators has constraints in design and manufacture because of the small dimension. In this paper a wing design concept and a efficient driving mechanism are proposed. Electroactive polymers(EAPs) are used as wing mechanism actuators. Using OpenGL the mechanisms are simulated graphically. Also a prototype actuator is being developed and verified by digital Mockup with CATIA. Basic kinematics of the mechanism is studied.
본 논문에서는 차세대 근거리 실내 무선 환경 기술로 채택 가능성이 높은 UWB(Ultra Wideband)기술용 Impulse Generator를 SRD(Step Recovery Diode)를 이용하여 설계하였다. 설계 목표는 단순한 설계 구조와 함께 저가, 소형, 고성능의 Impulse Generator 개발에 있다. 미국의 FCC(Federal Communications Commission)의 기준인 주파수 범위 3.1~10.6 GHz, 출력 제한 레벨 -41.25 dBm을 만족하는 Impulse Generator를 회로 시뮬레이터인 Agilent Technologies사의 ADS를 이용하여 설계, 제작, 측정하였다. 설계된 회로의 출력 신호는 단일밴드용과 멀티밴드용으로 구분하였다.
Recently, Bluetooth has been regarded as a new technology for short-range wireless connection. Although initial application of Bluetooth technology has been focused mainly on replacing cables between hand-held devices due to a limited packet size and short-range, general wireless telecommunication such as PAN and Ad hoc networks via Bluetooth-equipped devices is expected to be one of the most popular applications. Wireless equipments have been used to exchange data between host and mobile unit. The exchanging data may be several bytes of control command and the value of sensors with ultra-sonic, vision sensor, and encoder from mobile robot. However, most wireless equipments have some drawbacks such as lack of authentication, large size and high price. On the other hand, the benefits of Bluetooth are small size, low power, low price except short-range. Especially, there are some difficulties when wireless modules are used in indoor environments. In this paper, a method of using wire network in Bluetooth network is investigated as a solution to overcome the short-range problem of Bluetooth and difficulty in indoor environment.
본 논문에서는 동일 주파수 대역을 사용하는 기존 시스템에 의한 간섭 환경에서 TH/UWB(Time Hopping/ Ultra Wideband 이하 Impulse Radio) 시스템의 성능을 분석하였다. 간섭 점유율이 0.1 이하인 경우는 5 GHz 대역에서 ISM 대역의 80 MHz 대역폭이나 802.113의 사용대역폭 20 MHz와 같은 IR 시스템에 비해 매우 협소한 대역을 사용하는 경우로써 향후 3.1 - 10.6 GHz 대역에서 공유되는 IR 시스템에서 간섭으로 영향을 미칠 경우를 상정하여 분석하였다. 결과에 의하면, 간섭 전력의 크기보다는 간섭의 점유 대역폭에 따라서 성능 변화가 크게 나타남을 알 수 있었다. 또한, 부분대역 간섭 환경에서는 펄스반복개수(Ns)를 증가시킴으로써 간섭 점유율이 큰(0.1이상) 협대역 간섭일수록 큰 폭의 성능 개선을 얻을 수 있었다. 그러나, 간섭 점유율이 적은(0.1이하) 협대역 간섭일 때는 시스템 성능에 거의 영향을 미치지 않음을 알 수 있었다. 따라서, 정확한 간섭 점유율 추정을 통해 간섭의 대역폭 점유율에 따라 최적의 펄스반복개수를 설정하고 적정한 간섭억압기법을 적용함으로써 최상의 시스템 성능 및 전송효율을 얻을 수 있을 것이다.
전달받은 음성신호를 전기신호로 바꾸어주는 마이크로폰은 라디오, 스마트 기기, 차량 등의 다양한 산업 분야에 널리 사용되어왔다. 최근 스마트폰 기술의 발달과 무선이어폰의 소형화에 따라 초소형 고감도 마이크로폰에 대한 요구가 증가하고 있다. 차세대 초소형 마이크로폰 시스템의 후보로 MEMS 센서가 개발되고 있으며 이를 지원하는 ROIC 대한 개발 또한 활발하다. 마이크로폰 시스템은 주변의 잡음뿐만 아니라, 함께 사용되는 전자회로의 잡음에 대해서도 민감하므로, 낮은 노이즈를 갖는 전원을 공급할 수 있는 전원장치와 노이즈를 최소화할 수 있는 설계 방법들이 필요하다. 이에 본 논문은 MEMS 마이크로폰 센서 모듈에 사용 가능한 낮은 전원 노이즈를 갖는 LDO(low drop output) 레귤레이터 IC 구조를 제안한다. 제안한 회로는 2.0~3.6V를 공급받아 1.3V의 출력을 내보낼 수 있으며 라이트 로드에서 10mA까지 드라이브할 수 있다. 제안하는 LDO는 1.2mV/V의 line regulation, 0.63mV/mA의 load regulation 특성을 가지며 20Hz~20kHz까지 누적 적분 출력 잡음은 13uV 이하의 특성을 가진다. TSMC 180nm 공정으로 post layout simulation을 진행하였으며 설계한 칩의 면적은 325㎛ × 165㎛다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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