Reflection properties, such as specular reflection and diffuse reflection, are very important optical properties for the reflector, which has high reflectance in the display and architecture industry. Calcite is lowcost, nontoxic, and stable over a wide temperature range. Therefore, it is one of the most widely using fillers in many industries and has some advantages over titania as a filler to improve reflectance. However, optical properties, especially those of ceramic-filled composites, have not been analyzed. We studied the reflectance of calcite composites with their surface roughness. The reflectance of the composites was determined using a UV-visible spectrometer. The surface morphology and the micro-structure of the composites were investigated by atomic force microscope. The reflectance of the composites was improved by increasing the content of calcite in the calcite-frit composite. The reflectance is related with the surface roughness in the composites. However, the reflectance depends on the calcite contents in materials with similar surface roughness.
We prepared the ITO/Ag multilayer thin films on soda-lime glass substrate by the Facing Target Sputtering System (FTS) at room temperature. To confirm the effect of Ag layer in ITO/Ag multilayer thin films, we have prepared various range of Ag layer in its thickness and investigated prior to the setting of ITO/Ag multilayer thin films. The thickness of Ag layer was controlled by the sputtering deposition time. Properties of as-prepared samples were investigated by using a four-point probe, UV-Visual spectrometer with a spectral visual range (400 - 800 nm) and X-ray diffractometer (XRD). As a result, the transmittance of as-prepared samples turned out to be very low in the visible range due to light-scattering on the surface of thin film as the thickness of Ag layer got increased. However, reduction of phenomenon of light-reflection in visual range was observed around 20nm of Ag thickness. We prepared the ITO/Ag multilayer thin film with a resistivity of about $8{\times}10^{-5}[{\Omega}-cm]$ and a transmittance of more than 80 % at 550 nm.
Indium Zinc Tin Oxide (IZTO) thin films for transparent thin film transistor (TTFT) were deposited on glass substrate at room temperature by facing targets sputtering (FTS). The FTS system was designed to array two targets facing each other and forms the high- density plasma between. Two different kinds of targets were installed on FTS system. One is ITO ($In_2O_3$ 90wt.%, $SnO_2$ 10wt.%), the other is IZO($In_2O_3$ 90wt%, ZnO 10wt%). The conductive and optical properties of IZTO thin film is determined depending on variation of DC power and working pressure. Therefore, IZTO thin films were prepared with different DC power and working pressure. As-deposited IZTO thin films were investigated by a UV/VIS spectrometer, an X-ray diffractometer (XRD), a scanning electron microscopy (SEM), a Hall Effect measurement system. As a result, all IZTO thin films deposited on glass substrate showed over 80% of transmittance in visible range (400~800 nm) at $O_2$ gas flow rate. We could obtain IZTO thin films with the lowest resistivity $5.67\times10^{-4}$ [$\Omega{\cdot}cm$] at $O_2$ gas flow rate 0.4 [sccm).
A hexavalent chromium (Cr (VI)) is one of the hazardous substances regulated by the RoHS. The determination of Cr (VI) in various polymers and printed circuit board (PCB) has been very important. In this study, the three different analytical methods were investigated for the determination of a hexavalent chromium in Acrylonitrile Butadiene Styrene copolymer (ABS) and PCB. The results by three analytical methods were obtained and compared. An analytical method by UV-Visible spectrometer has been generally used for the determination of Cr (VI) in a sample, but a hexavalent chromium should complex with diphenylcarbazide for the detection in the method. The complexation did make an adverse effect on the quantitative analysis of Cr (VI) in ABS. The analytical method using diphenylcarbazide was also not applicable to printed circuit board (PCB) because PCB contained lots of irons. The irons interfered with the analysis of hexavalent chromium because those also could complex with diphenylcarbazide. In this study, hexavalent chromiums in PCB have been separated by ion chromatography (IC), then directly and selectively detected by inductively coupled plasma atomic emission spectrometry (ICP-AES). The quantity of Cr (VI) in PCB was 0.1 mg/kg.
IAZO (indium aluminium zinc oxide) anode films were co-sputtered on glass substrate using a dual target DC magnetron sputtering system. For preparation of IATO films, at constant DC power of IZO (indium zinc oxide) target of 100 W, the DC power of AZO (Aluminum zinc oxide) target was varied from 0 to 100 W. To analyze electrical and optical properties of IAZO anode, Hall measurement examination and UV/V is spectrometer were performed, respectively. In addition, structure of IAZO anode film was examined by X-ray diffraction (XRD) method. Surface smoothness was investigated by Scanning Electron Microscopy (SEM) and Atomic Force Microscopy (AFM). From co-sputtered IAZO anode, good conductivity($2.32{\times}10^{-4}{\Omega}.cm$) and high transparency(approximately 80%) in the visible range were obtained even at low temperature deposition. Finally, J-V-L characteristics of phosphorescent OLED with IAZO anode were studied by Keithley 2400 and compared with phosphorescent OLED with conventional ITO anode.
We report on the electrical, optical, and structural properties of indium zinc tin oxide (IZTO) anode films grown at room temperature on glass substrate. The IZTO anode films grown by a RF magnetron sputtering were investigated as functions of RF power, working pressure, and process time in pure Ar ambient. To investigate electrical, optical and structural properties of IZTO anode films, 4-point probe, Hall measurement, UV/Vis spectrometer, Field Emission Scanning Electron Microscopy (FE-SEM), and X-ray diffraction (XRD) were performed, respectively. A sheet resistance of $13.88\;{\Omega}/{\square}$, average transmittance above 80 % in visible range were obtained from optimized IZTO anode films grown on glass substrate. These results shown the amorphous structure regardless of RF power and working pressure due to low substrate temperature.
CdS는 $CuInSe_2$계, CdTe계 이종접합 태양전지의 junction partner로 많이 이용되어 왔다. CdS는 전극으로 쓰일 뿐만 아니라 빛을 투과시키는 창문층으로 사용되어 높은 변환 효율을 나타낸다. 이종접합 태양전지에서 창문층은 가시광 영역에서 광투과율이 높고, 전기적으로 비저항이 낮아야 에너지 손실 없이 태양광을 광흡수층까지 투과시킬 수 있다. CdS 박막은 CBD법(solution growth technique), 진공증착법(vacuum evaporation), 스퍼터법(sputtering), 스프레이 열분해법(spray pyrolysis), 전착법(electrodeposition)에 의해 제조되고, 그 중 용액성장법(solution growth technique)이라고도 불리는 CBD법(chemical bath deposition)을 이용하여 CdS 박막을 제조하였다. CBD법은 다른 방법에 비해 제조 과정이 비교적 간단할 뿐만 아니라 제조 단가가 저렴하고, 넓은 면적의 박막 제조가 가능하며 재현성도 우수하다는 장점이 있다. CdS 박막을 제조하기 위한 cadmuim 이온공급원으로는 $CdSO_4$를 사용하였고 sulfur 이온공급원으로는 $SC(NH_2)_2$를 사용하였다. CBD법에서 박막의 물성에 영향을 미칠 수 있는 요인인 sulfur 이온공급원과 cadmium 이온공급원의 비, 용액의 온도, pH를 변화시켜 CdS 박막을 제조하였다. 각각의 조건에 의해 제조된 CdS의 박막의 두께는 Tencor P-1을 이용하여 측정되었고, UV-Visible spectrometer를 이용하여 파장에 따른 광투과율을 측정하였다. CdS 박막의 결정 구조를 조사하기 위해 X선 회절분석(XRD ; X-ray diffraction)을 하였고, AFM(Atomic Force Microscope)으로 표면 특성을 관찰하였다.
This paper addresses effects of nanoscale structures on structural colors of micropatterned transparent substrate by light diffraction. Structural colors is widely investigated because they present colors without any chemical pigments. Typically structural colors is presented by diffraction of light on a micropatterned surface or by multiple interference of light on a surface containing a periodic or quasi-periodic nano-structures. In this paper, each structural colors induced by quasi-periodic nano-structures, periodic micro-structures, and nano/micro dual structures is measured in order to investigate effects of nanoscale and microscale structures on structural colors in the transparent substrate. Using pre-fabricated pattern mold and hot-embossing process, nanoscale and microscale structures are replicated on the transparent PMMA(Poly methyl methacrylate) substrate. Nanoscale and microscale pattern molds are prepared by anodic oxidation process of aluminum sheet and by reactive ion etching process of silicon wafer, respectively. Structural colors are captured by digital camera, and their optical transmittance spectrum are measured by UV/visible spectrometer. From experimental results, we found that nano-structures provide monotonic colors by multiple interference, and micro-structures induce iridescent colors by diffraction of light. Structural colors is permanent and unchangeable, thus it can be used in various application field such as security, color filter and so on.
Black cobalt solar selective coatings were prepared by thermal oxidation of electroplated cobalt metal on copper and nickel substrates. The optical properties and structure of the black cobalt selective coating for solar energy utilizations were characterized by glow discharge spectrometry (GDS), ultraviolet-visible-near infrared (UV-VIS-NIR) spectrometer, atom force microscopy(AFM) and X-ray photoelectron spectroscopy(XPS). The optical properties of optimum black cobalt selective coating prepared on copper substrate were a solar absorptance of 0.82 and a thermal emittance of 0.01. From the GDS depth profile analysis of these coatings, the concentration of cobalt particles near the interface was higher than at the surface, but oxygen concentration at the surface was higher than at the interface. These results suggest that the selective absorption was dominated by this chemical composition variation in the coating. The surface of this film exhibited morphology with root-mean-square(rms) roughness of about 144.3nm. XPS measurements data showed that several phases of Co coexist($Co_3O_4$,CoO) in the film.
The ZnO thin films doped with Ga(GZO) and both Ga and Ge(GZO:Ge) were deposited on glass substrate by using RF sputtering system respectively. Structural, morphological and optical properties of the films deposited in the same condition were investigated. Structural properties of the films were investigated by Field Emission Scanning Electron Microscopy, FE-SEM images and X-ray diffraction, XRD analysis. These studies showed shape of films' surface and direction of film growth respectively. It's showed that all films were deposited by vertical orientation strongly. It can be confirmed that all dopants of targets were included in deposited films by results of EDX analysis. UV-Vis spectrometer results showed that all samples had highly transparent characteristics in visible region and have similar 3.28~3.31 eV band gap. It was found that existence of all dopants by EDX analysis. Morphology and roughness of surface of each film were clearly shown by Atomic Force Microscopy, AFM images. It was found in this research that film doped with Ge more dense and stable with hardly any difference in gap energy compared to ZnO films.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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