ZnO 박막을 Sol-gel용액을 이용한 스핀코팅 방법으로 석영기판 위에 성장하였고 Sol-gel 용액의 온도 변화에 따른 구조적, 광학적 특성을 분석하였다. ZnO 박막의 구조적, 광학적 특성을 조사하기 위해 field-emission scanning electron microscopy, X-ray diffraction (XRD), photoluminescence (PL), 그리고 ultraviolet-visible (UV) spectroscopy을 사용하였다. PL 분석에서 ZnO 박막은 orange 계열의 발광을 하였으며, PL spectra는 3.3 eV 부근의 near-band edge emission (NBE) 피크와 2.0 eV 부근의 deep-level emission (DLE) 피크로 이루어져있다. 모든 sol-gel 용액 온도에서, DLE 피크가 NBE 피크보다 더 우세하고 이 DLE 피크는 sol-gel 용액의 온도가 증가함에 따라 점점 증가하다가 감소하는 것을 알 수 있다. 이런 DLE 피크는 산소 공공, 아연 공공, 침입형 산소, 침입형 아연 등과 같은 결함에 의한 것이며, ZnO 박막은 sol-gel 용액의 온도에 따라 결함의 특성이 변화하였다.
ZnO thin films for light emission device have been deposited on sapphire and silicon substrates by pulsed laser deposition technique(PLD). A Nd:YAG laser was used with the wavelength of 355 nm. In order to investigate the emission properties of ZnO thin films, PL measurements with an Ar ion laser as a light source using an excitation wavelength of 351 nm and a power of 100 mW are used. All spectra were taken at room temperature by using a grating spectrometer and a photomultiplier detector. ZnO exhibited PL bands centered around 390, 510 and 640 nm, labeled near ultra-violet (UV), green and orange bands. Structural properties of ZnO thin films are analized with X-ray diffraction (XRD).
Amorphous fluorocarbon (a-C:F) is of interest for low dielectric interlayer material, but in this work we applied this material to FED field emitter. N-doped a-C:F films were deposited by inductively coupled plasma chemical vapor deposition (ICPCVD). The Raman spectra were measured to study the film structure and inter-band optical absorption coefficients were measured using Perkin-Elmer UV-VIS-IR spectrophotometer and optical band gap was obtained using Tauc's plot. XPS spectrum and AFM image were investigated to study bond structure and surface morphology. Current-electric field(I-E) characteristic of the film was measured for the characterization of electron emission properties. The optimum doping concentration was found to be [N2]/[CF4]=9% in the gas phase. The turn-on field and the emission current density at $[N_2]/[CF_4]$=9% were found to be 7.34V/$\mu\textrm{m}$ and 16 $\mu\textrm{A}/\textrm{cm}^2$ at 12.8V/$\mu\textrm{m}$, respectively.
ZnO thin films for light emission device have been deposited on sapphire and silicon substrates by pulsed laser deposition technique(PLD). A Nd:YAG laser was used with the wavelength of 355 nm. In order to investigate the emission properties of ZnO thin films, PL measurements with an Ar ion laser as a light source using an excitation wavelength of 351 nm and a power of 100 mW are used. All spectra were taken at room temperature by using a grating spectrometer and a photomultiplier detector. ZnO exhibited PL bands centered around 390, 510 and 640 nm, labeled near ultra-violet (UV), green and orange bands. Structural properties of ZnO thin films are analized with X-ray diffraction (XRD).
The herbicide penetration on weed leaves was spatially analyzed by using chlorophyll fluorescent emission and machine vision technique. Velvetleaf and metribuzin were used as experimental materials in the study. The herbicide spray images were obtained by a combinaton of a fluorescent dye and a UV lighting system. The herbicide penetration was analyzed by means of detecting chlorophyll fluorescent emission under blue-green lighting. According to the experiment results, the number and the size of spray droplets decreased with coverage increasing. The herbicide penetrated mainly along leaf veins and the time for complete penetration over the whole leaf was approximately 100 minutes after herbicide spraying. When the coverage of herbicide droplets on the surface of leaves increased, the speed of herbicide penetration also increased. This study suggested a way of characerizing herbicide spatial penetration and distribution in leaves.
A series of new polymers containing phenylenevinylene (PV) units were synthesized by Wittig polycondensation reaction and properties of the synthesized polymers were characterized by FT-IR and UV-visible spectroscopy, and their light-emitting properties were studied. All of the synthesized polymers were soluble in organic solvents and showed good film quality. The absorption maxima and band edges of the polymers were moved to shorter wavelength region by reducing the electron donating alkoxy groups incorporated in phenylenevinylene unit. The photo-induced emission spectra were obtained and all of the polymers revealed their emission in blue region. The observed emission maxima of the polymers were ranged from 480-495 nm.
Conjugated polycarbosilanes with diacetylene and aromatic groups of thiophene or phenylene simultaneously present in the polymer backbone such as poly[[1,4-bis(thiophenyl)buta-1,3-diyne]-alt-(dimethylsilane)], poly[[1,4-bis(thiophenyl)buta-1,3-diyne]-alt-(diphenylsilane)], poly[[1,4-bis(phenyl)buta-1,3-diyne]-alt-(dimethylsilane)],and poly[[1,4-bis(phenyl)buta-1,3-diyne]-alt-(diphenylsilane)] have been prepared. The characteristic C=C stretching frequencies appear at 2177-2179㎝-1 in the IR spectra of the polymers. The molecular weights of these polymers were detemined by GPC. All of these materials are soluble in organic solvents such as THF and chloroform, and thermally stable up to 200℃ in general without any weight loss under nitrogen. The prepared materials in THF solvent show a maximum absorption peak in the range of 334-356 nm with a molar absorptivity of 10³∼10ⁿ(n=5)L/(cm·mol) in the UV-visible absorption spectra. A maximum emission peak in the range of 403-550 nm is also observed in the fluorescence emission spectra. Both absorption and emission spectra strongly indicate that the obtained polycarbosilanes contain the new conjugated systems along the polymer main chain.
ZnO 나노 구조의 형성 시 기판 표면에 의한 영향을 알아보기 위하여, Si(111) 기판과 $Al_2O_3$C (0111)면, A (0112)면, R (2110)면의 기판을 사용하여 나노 구조를 형성시키고 광학적 특성의 변화를 관찰하였다. ZnO 나노 구조는 대기 중에서 수평형 성장로를 이용하였고, 무촉매법으로 Zn 소스만을 사용하여 성장시켰다. 기판의 온도는 500$^{\circ}C$${\sim}$ 600$^{\circ}C$로 설정하였고, 성장된 나노 구조는 He-Cd laser (325nm)를 이용하여 10 K에서 300K까지 온도를 변화시키면서 발광 특성의 변화를 분석하였다. 상온에서 측정한 Photoluminescence (PL) 결과로부터, Si과 $Al_2O_3$ 기판에서 각각 384nm, 391 nm의 UV 발광이 관찰되었다. Si 기판에서는 산소 결핍형 결함에 의한 것으로 판단되는 녹색 발광이 관찰되었지만 $Al_2O_3$ 기판에서는 녹색 발광이 관찰되지 않았다. 그리고 온도 변화에 따른 PL 측정 결과 Si과 $Al_2O_3$ 기판에서의 UV 발광 피크의 기원이 다름을 확인할 수 있었다. 이러한 발광 특성의 차이는 기판의 표면 에너지 차이가 나노 구조의 성장 매커니즘에 영향을 주어 발생한 것으로 생각된다.
환경적 관점에서 고분자필름이나 코팅제 산업계에서 이산화탄소와 휘발성 유기화합물의 저감은 가장 중요한 이슈 중의 하나이다. 광경화 시스템은 용제를 사용치 않아 휘발성 유기화합물의 방출을 최소화 할 수 있고 빠른 경화로 인한 에너지 소모가 적은 잇점이 있다. 또한, 생분해성 고분자는 거대한 폐플라스틱의 발생을 고려하면 환경적으로 경제적으로 많은 관심을 받고 있다. 따라서 본 연구에서는 생분해성 고분자인 폴리락타이드 다이올과 폴리에틸렌 글리콜을 폴리올로하여 광경화형 폴리우레탄 아크릴레이트를 합성하였고 자외선에 의해 말단의 아크릴레이트 그룹의 경화반응을 진행하였다. 경화된 필름의 인장강도, 파단율 및 Tg는 폴리락타이드 다이올의 함량 증가와 더불어 증가하였고 친수특성과 열정안정성은 폴리에틸렌 글리콜 함량과 비례하였다. 따라서 친환경적인 폴리올의 함량 조절로 광경화 폴리우레탄 아크릴레이트의 물성이 조절 가능하였다.
Silver (Ag)는 높은 반사율을 가지고 있어 Top-Emission Organic Light Emitting Diode (T-OLED)의 반사전극으로 사용하기 적합하지만 일함수가 낮은 단점 (4.3 eV)을 가지고 있다. 이런 낮은 일함수를 증가시키기 위하여 Ag 박막 표면을 산화시켜 일함수를 증가시키기 위한 연구가 진행중에 있으며, 이 연구에서는 UV로 $O_3$을 발생시켜 Ag 박막 표면을 산화시키기 위한 연구를 진행하였다. 특히, Ag 박막 표면의 일함수 변화를 측정하기 위하여 SPM (Scanning Probe Microscopy)의 KPFM (Kelvin Probe Force Microscopy) mode를 적용하여 nano 영역에서의 일함수 변화를 surface potential로 측정하여 UV 표면 산화에 의한 표면 일함수 형상을 확인하였다. Ag 박막은 rf magnetron sputter를 사용하여, Si 기판위에 300nm 두께로 증착시켰다. 이후 $O_3$ 발생되는 UV 램프로 Ag 박막 표면 30초 간격으로 최대 5분간 산화시켰으며, 이후 KPFM mode를 사용하여 산화 시간에 따른 Ag 박막 표면의 potential 변화를 측정하였다. 0~3분간 산화된 Ag 박막 표면의 potential은 약 6 mV로 일정하였으나 3분 이후 최대 110 mV까지 급격하게 변화하는 것을 확인할 수 있었다. Ag 박막 표면의 RMS roughness는 UV 산화처리 전0.7 nm였으나, potential이 급격하게 증가하는 시점인 3분 이후 2.83 nm로 약 400% 이상 증가하였다. 이를 통해 $O_3$ 발생 UV 램프로 산화된 Ag 박막의 표면 물성은 처리 시간에 따라 급격히 변하는 것을 확인하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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