• The Journal of the Institute of Internet, Broadcasting and Communication
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• v.18 no.6
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• pp.107-112
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• 2018

Shielding effectiveness (SE) improvement with EMI shield layers fabricated by conformal spray coating system was studied. Silver or Nickel powder filled acrylic resin were sprayed on the samples. We compared the performance with the viscosity of 400 cPs and 100 cPs cases. The thickness range of the coating layer was 20 to 50 um for the silver, 60 to 120 um for the nickel. The shielding effectiveness was measured by ASTM D4935 using coaxial type TEM-cell. The silver-filled resin showed much better performance than that of the nickel-filled resin. The shielding effectiveness increased almost proportional to the thickness of the coating layers until being saturated around 63 dB for the silver-layer or around 34 dB for the nickel-layer. The best performance measured in this study was the shielding effectiveness of 63 dB with $35{\mu}m-thick$ of silver-layer.

• Journal of the Korean Statistical Society
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• v.19 no.1
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• pp.15-23
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• 1990

The basic conditions for a parallel flats fraction to be a search design of resolution III.2 have been developed in Um (1980, 1981, 1983, 1984). A series of resolution III.2 search design for $3^n, n=4, 5, 6$ are presented in Um (1988). In this paper a resoultion III.3 search design for $3^4$ is presented.

• Journal of Advanced Navigation Technology
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• v.7 no.2
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• pp.206-210
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• 2003

In this paper, we design standard cell libraries using the 0.18um deep submircom CMOS process, and port them into a P&R (Placement and Routing) CAD tool. A simple test chip has been designed in order to verify the functionalities of the 0.18um standard cell libraries whose technical process was provided by Anam semiconductor. Through these experiments, we have found that the new 0.18um CMOS process can be successfully applied to automatic digital system design.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics A
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• v.30A no.8
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• pp.72-80
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• 1993

We fabricated 0.3um gate length inverse-T gate MOS(ITMOS) and conventional lightly doped drain oxide spacer MOS(LDDMOS), and studied electrical characteristics for comparison. Threshold voltage of 0.3um gate length device was 0.58 V for ITMOS and 0.6V for LDDMOS. Measured subthreshold characteristics showed a slope of 85mV/decades for both ITLDD and LDDMOS. Maximum transconductance at V S1ds T=V S1gs T=3.3V was 180mS/mm for ITMOS and 163mS/mm for LDDMOS respectively. GIDL current was observed to be 0.1pA/um for ITOMS and 0.8pA/um for LDDMOS. Substrate current of ITMOS as a function of drain current was found to be reduced by a foactor of 2.5 compared with that of LDDMOS.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2010.06a
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• pp.177-177
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• 2010

본 연구에서는 반도체용 Si wafer에 마스크 공정 및 slit etching 공정을 적용하여 목표인 30um 이하의 Probe unit을 개발하기 위해 Deep Si Etching(DRIE) 장비를 이용하여 식각 공정에 따른 특성을 평가하였다. 마스크는 Probe block 조립에 적합한 패턴으로 설계 하였으며, slit의 에칭된 지점에 pin이 삽입될 수 있도록 그 폭을 최소한으로 설계하였다. 30um pitch와 20um pitch의 마스크를 각각 설계하여 포토공정에 의해 마스크패턴을 제작하였으며, 식각공정 결과 식각율 5um/min, profile angle $89^{\circ}{\pm}1^{\circ}$로 400um wafer의 양면관통 식각을 확인하였으며, 표면 및 단면 식각특성을 조사하였다.

• The Journal of Korean Medicine Ophthalmology and Otolaryngology and Dermatology
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• v.19 no.3 s.31
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• pp.60-67
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• 2006

Objective : Allergic rhinitis is an allergic reaction characterized by sneezing, coughing, itchy nose, mouth and throat, congestion and/or nasal discharge. We aim to observe effect of Sinichengpae-um on protective effects of nasal mucosal tissue in th allergic rhinitis. Method : For this purpose, we oberserved number of leukocyte and erythrocyte in blood, ratio of neutrophil and lymphocyte in leukocyte, activity of GOT and GPT, and histopathologic change of nasal mucose. Result and Conclusion : Sinicheogpae-um showed effects on immune reaction with no harms liver. And in histopathologic change of nasal mucosal tissue, Sinichengpae-um showed significant protective effet against allergic rhinitis.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.39 no.7
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• pp.97-103
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• 2002

In this paper, a Logarithmic Video Amplifier(LVA) for radar system or satellite communications is described. The proposed LVA is composed of a input stage, amplification stage, and output stage. As well as a novel series-parallel architecture is proposed for the purpose of wide dynamic range and high speed operation, a newly developed input stage is designed in order to control the voltage level between LVA and detector diode. The LVA is fabricated with a 1.5um 2-poly 2-metal n-well Bi-CMOS technology, and the chip area is 1310 um x 1540 um. From the experimental results, it consumes 190 mW at 10V power supply, the chip has 60 dB dynamic range and 100ns falling time.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.08a
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• pp.257-257
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• 2010

디스플레이 산업의 발달로 화상 영상폰, 디지털 카메라, MP4, PMP, 네비게이션, LCD TV등의 가전 제품의 수요증가에 따라 이에 장착되는 LCD 패널의 생산력 향상과 원가 절감을 위한 검사 기술이 요구되고 있다. LCD 검사를 위한 Probe unit은 미세전기기계시스템(MEMS) 공정을 이용하여 제작된다. LCD 검사용 Probe unit는 LCD 가장자리 부분에 전기적 신호(영상신호, 등 기신호, 색상신호)가 인가되도록 하는 수 십 내지 수 백개의 접속 단자가 고밀도로 배치되는데, 이러한 LCD는 제품에 장착되기 전에 시험신호를 인가하여 화면의 불량여부를 검사하기 위한 점등용 부품으로 50 um 이하의 Pin간 거리를 유지하면서 정확한 Pin Alignment를 요구하는 초정밀 부품이다. 본 연구에서는 반도체용 Si wafer에 마스크 공정 및 slit etching 공정을 적용하여 목표인 30 um pitch의 Probe unit을 개발하기 위해 Deep Si Etching(DRIE) 장비를 이용하여 식각 공정에 따른 특성을 평가하였다. 마스크 공정은 500 um 두께의 양면 연마된 반도체용 Si wafer를 이용하였으며, thick PR을 사용하여 마스킹하여 식각공정을 수행하였다. Si 깊은 식각은 $SF_6$ 가스와 Passivation용으로 $C_4F_8$ 가스를 교대로 사용하여 수직방향으로 깊은 식각이 이루어지는 원리이다. SEM 측정 결과 30 um pitch의 공정 목표에 도달하였으며, 식각공정 결과 식각율 6.2 um/min, profile angle $89.1^{\circ}$로 측정되었다. 또한 상부 에칭공정과 이면 에칭공정에서 폭과 wall의 간격이 동일하였으며, 완전히 관통된 양면식각이 이루어졌음을 확인하였다. 또한 실제 사용되는 probe unit의 조립에 적합한 slit 공정을 위한 에칭특성을 조사하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2013.10a
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• pp.379-382
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• 2013

In conventional solar energy harvesting systems, continuous perturbation techniques of the duty cycle or switching frequency of a power converter have been used to implement MPPT(Maximum Power Point Tracking) control. In this paper, we propose a new MPPT technique to control the duty cycle of a power switch powering a power converter. The proposed circuit is designed in 0.35um CMOS process, and the designed chip area including pads is $770um{\times}800um$.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2008.06a
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• pp.164-165
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• 2008

현재의 소자간 연결을 위해 사용되는 금속배선 PCB의 한계로 인해 보다 고속/대용량의 광PCB가 크게 각광받고 있다. 본 논문에서는 광PCB와 소자간의 전기적 연결을 위해 사용되는 솔더 범프를 전도성 에폭시를 사용하여 마이크로 머시닝 공정을 통해 구현하고 제작된 솔더 범프의 I-V 특성을 살펴보았다. 제작된 100 um $\times$ 100 um $\times$ 25 um 와 300 um $\times$ 300 um $\times$ 25 um 의 샘플에서 각각 30 m$\Omega$과 90m$\Omega$의 전기저항을 얻을 수 있었다. 이를 통해 향후 센서및 엑츄에이터 시스템과 광 MEMS 등의 여러 분야에서 전도성 에폭시 솔더 범프를 이용하여 우수한 성능의 플립칩 본딩을 구현할 수 있을 것이다.