• 한국인터넷방송통신학회논문지
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• 제18권6호
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• pp.107-112
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• 2018

콘포멀 스프레이 코팅으로 형성한 EMI 차단막으로 차폐효과(SE)를 얼마나 개선할 수 있는지 연구하였다. 차단막을 형성하는데 사용한 재료는 도체 분말을 아크릴계 바인더에 혼합한 금속-레진 복합재료이며, 금속분말로는 은(Ag)과 니켈(Ni)을 비교하였다. 재료의 점도는 400 cPs와 100 cPs에서 차폐성능을 비교하였다. 차단막의 두께는, 은의 경우 20 um에서 50 um, 니켈의 경우 60 um에서 120 um로 만들어 비교하였다. 차폐효과의 측정은 동축형 표준 측정기를 이용하여 ASTM D4935 방법으로 수행하였다. 니켈 시료보다 은 시료의 차폐효과가 우수했다. 차폐효과는 차단막 두께와 비례해 증가하지만 35 um 이상에서 더 이상 증가하지 않는다는 사실도 관찰하였다. 가장 차폐효과가 좋은 경우는 35 um 두께 은 시료 차단막으로, 63 dB의 차폐효과가 측정되었다.

• Journal of the Korean Statistical Society
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• 제19권1호
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• pp.15-23
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• 1990

The basic conditions for a parallel flats fraction to be a search design of resolution III.2 have been developed in Um (1980, 1981, 1983, 1984). A series of resolution III.2 search design for $3^n, n=4, 5, 6$ are presented in Um (1988). In this paper a resoultion III.3 search design for $3^4$ is presented.

• 한국항행학회논문지
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• 제7권2호
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• pp.206-210
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• 2003

본 논문에서는 최신의 미세공정인 0.18um CMOS 공정을 이용한 표준 셀 라이브러리를 설계하고, 이를 P&R(Placement and Routing) CAD 툴에 사용할 수 있도록 포팅한다. 제작결과를 검증하기 위하여 간단한 테스트칩을 제작하였으며 설계에 사용된 표준 셀 라이브러리는 0.18um 아남반도체의 공정이다. 이러한 설계 및 제작과정을 통하여 최신의 미세공정을 이용하여 디지털 시스템의 자동설계가 가능함을 확인하였다.

• 전자공학회논문지A
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• 제30A권8호
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• pp.72-80
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• 1993

We fabricated 0.3um gate length inverse-T gate MOS(ITMOS) and conventional lightly doped drain oxide spacer MOS(LDDMOS), and studied electrical characteristics for comparison. Threshold voltage of 0.3um gate length device was 0.58 V for ITMOS and 0.6V for LDDMOS. Measured subthreshold characteristics showed a slope of 85mV/decades for both ITLDD and LDDMOS. Maximum transconductance at V S1ds T=V S1gs T=3.3V was 180mS/mm for ITMOS and 163mS/mm for LDDMOS respectively. GIDL current was observed to be 0.1pA/um for ITOMS and 0.8pA/um for LDDMOS. Substrate current of ITMOS as a function of drain current was found to be reduced by a foactor of 2.5 compared with that of LDDMOS.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2010년도 하계학술대회 논문집
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• pp.177-177
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• 2010

본 연구에서는 반도체용 Si wafer에 마스크 공정 및 slit etching 공정을 적용하여 목표인 30um 이하의 Probe unit을 개발하기 위해 Deep Si Etching(DRIE) 장비를 이용하여 식각 공정에 따른 특성을 평가하였다. 마스크는 Probe block 조립에 적합한 패턴으로 설계 하였으며, slit의 에칭된 지점에 pin이 삽입될 수 있도록 그 폭을 최소한으로 설계하였다. 30um pitch와 20um pitch의 마스크를 각각 설계하여 포토공정에 의해 마스크패턴을 제작하였으며, 식각공정 결과 식각율 5um/min, profile angle $89^{\circ}{\pm}1^{\circ}$로 400um wafer의 양면관통 식각을 확인하였으며, 표면 및 단면 식각특성을 조사하였다.

• 한방안이비인후피부과학회지
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• 제19권3호통권31호
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• pp.60-67
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• 2006

Objective : Allergic rhinitis is an allergic reaction characterized by sneezing, coughing, itchy nose, mouth and throat, congestion and/or nasal discharge. We aim to observe effect of Sinichengpae-um on protective effects of nasal mucosal tissue in th allergic rhinitis. Method : For this purpose, we oberserved number of leukocyte and erythrocyte in blood, ratio of neutrophil and lymphocyte in leukocyte, activity of GOT and GPT, and histopathologic change of nasal mucose. Result and Conclusion : Sinicheogpae-um showed effects on immune reaction with no harms liver. And in histopathologic change of nasal mucosal tissue, Sinichengpae-um showed significant protective effet against allergic rhinitis.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제39권7호
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• pp.97-103
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• 2002

본 논문은 레이더 시스템이나 위성 통신용으로 사용되어지는 LVA(Logarithmic Video Amplifier) 설계에 관한 내용이다. 제안된 LVA는 입력단, 증폭단, 그리고 출력단으로 나뉘어진다. 넓은 동작 영역과 고속특성을 갖도록 새로운 직 ${\cdot}$ 병렬 구조를 제안하였으며 LVA와 전단인 Detector Diode와의 입력 범위 조절을 위하여 새로운 입력단을 설계하였다. 제안된 LVA는 1.5 um, 2-poly, 2-Metal, n-well, BiCMOS, 공정을 사용하였으며, 유효 칩 면적은 1310 um x 1540 um 고 10V 전압에서 190 mW 의 전력 소모를 나타내었다. 모의 실험 및 측정을 통하여 60 dB의 동작영역과 100 ns의 falling time을 나타내었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2010년도 제39회 하계학술대회 초록집
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• pp.257-257
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• 2010

디스플레이 산업의 발달로 화상 영상폰, 디지털 카메라, MP4, PMP, 네비게이션, LCD TV등의 가전 제품의 수요증가에 따라 이에 장착되는 LCD 패널의 생산력 향상과 원가 절감을 위한 검사 기술이 요구되고 있다. LCD 검사를 위한 Probe unit은 미세전기기계시스템(MEMS) 공정을 이용하여 제작된다. LCD 검사용 Probe unit는 LCD 가장자리 부분에 전기적 신호(영상신호, 등 기신호, 색상신호)가 인가되도록 하는 수 십 내지 수 백개의 접속 단자가 고밀도로 배치되는데, 이러한 LCD는 제품에 장착되기 전에 시험신호를 인가하여 화면의 불량여부를 검사하기 위한 점등용 부품으로 50 um 이하의 Pin간 거리를 유지하면서 정확한 Pin Alignment를 요구하는 초정밀 부품이다. 본 연구에서는 반도체용 Si wafer에 마스크 공정 및 slit etching 공정을 적용하여 목표인 30 um pitch의 Probe unit을 개발하기 위해 Deep Si Etching(DRIE) 장비를 이용하여 식각 공정에 따른 특성을 평가하였다. 마스크 공정은 500 um 두께의 양면 연마된 반도체용 Si wafer를 이용하였으며, thick PR을 사용하여 마스킹하여 식각공정을 수행하였다. Si 깊은 식각은 $SF_6$ 가스와 Passivation용으로 $C_4F_8$ 가스를 교대로 사용하여 수직방향으로 깊은 식각이 이루어지는 원리이다. SEM 측정 결과 30 um pitch의 공정 목표에 도달하였으며, 식각공정 결과 식각율 6.2 um/min, profile angle $89.1^{\circ}$로 측정되었다. 또한 상부 에칭공정과 이면 에칭공정에서 폭과 wall의 간격이 동일하였으며, 완전히 관통된 양면식각이 이루어졌음을 확인하였다. 또한 실제 사용되는 probe unit의 조립에 적합한 slit 공정을 위한 에칭특성을 조사하였다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신학회 2013년도 추계학술대회
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• pp.379-382
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• 2013

기존의 빛 에너지 하베스팅 회로에서는 MPPT(Maximum Power Point Tracking) 기능을 구현하기 위해 전력변환기(power converter)를 동작시키기 위한 클럭의 주파수나 듀티 싸이클(duty cycle)을 지속적으로 변화시키는 방법을 사용하고 있다. 본 논문에서는 전력변환기에 전력 공급을 위한 스위치의 듀티 싸이클을 제어하여 MPPT 기능을 구현하는 새로운 방법을 제안하였다. 제안된 회로는 0.35um CMOS 공정으로 설계 되었으며 칩 면적은 패드를 포함하여 $770um{\times}800um$이다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 하계학술대회 논문집 Vol.9
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• pp.164-165
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• 2008

현재의 소자간 연결을 위해 사용되는 금속배선 PCB의 한계로 인해 보다 고속/대용량의 광PCB가 크게 각광받고 있다. 본 논문에서는 광PCB와 소자간의 전기적 연결을 위해 사용되는 솔더 범프를 전도성 에폭시를 사용하여 마이크로 머시닝 공정을 통해 구현하고 제작된 솔더 범프의 I-V 특성을 살펴보았다. 제작된 100 um $\times$ 100 um $\times$ 25 um 와 300 um $\times$ 300 um $\times$ 25 um 의 샘플에서 각각 30 m$\Omega$과 90m$\Omega$의 전기저항을 얻을 수 있었다. 이를 통해 향후 센서및 엑츄에이터 시스템과 광 MEMS 등의 여러 분야에서 전도성 에폭시 솔더 범프를 이용하여 우수한 성능의 플립칩 본딩을 구현할 수 있을 것이다.