• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2009.11a
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• pp.5-5
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• 2009

Thin-film-transistors (TFTs) that can be prepared at low temperatures have attracted much attention because of the great potential for transparent and flexible electronics. One of the mainstreams in this field is the use of organic semiconductors such as pentacene. But device performance of the organic TFTs is still limited due to low field-effect mobility and rapid degradation after exposing to air. Alternative approach is the use of amorphous oxide semiconductors as a channel. Amorphous oxide semiconductors (AOSs) based TFTs showed the fast technological development, because AOS films can be fabricated at room temperature and exhibit the possibility in application like flexible display, electronic paper, and larges solar cells. Among the various AOSs, a-IGZO has lots of advantages because it has high channel mobility, uniform surface roughness and good transparency. [1] The high mobility is attributed to the overlap of spherical s-orbital of the heavy post-transition metal cations. This study demonstrated the effect of the variation in channel thickness from 30nm to 200nm on the TFT device performance. When the thickness was increased, turn-on voltage and subthreshold swing was decreased. The a-IGZO channels and source/drain metals were deposited with shadow mask. The a-IGZO channel layer was deposited on $SiO_2$/p-Si substrates by RF magnetron sputtering, where RF power is 150W. And working pressure is 3m Torr, at $O_2/Ar$ (2/28 sccm) atmosphere. The electrodes were formed with electron-beam evaporated Ti (30 nm) and Au (70 nm) bilayer. Finally, Al (150nm) as a gate metal was thermal-evaporated. TFT devices were heat-treated in a furnace at 250 $^{\circ}C$ and nitrogen atmosphere for 1hour. The electrical properties of the TFTs were measured using a probe-station. The TFT with channel thickness of 150nm exhibits a good subthreshold swing (SS) of 0.72 V/decade and on-off ratio of $1{\times}10^8$. The field effect mobility and threshold voltage were evaluated as 7.2 and 8 V, respectively.

• The Korean Journal of Pesticide Science
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• v.7 no.4
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• pp.258-263
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• 2003

In order to get the actual pesticide usage data for fruit crops at farmer's gate, this survey was carried out on the growers of 6 representative fruit crops such as apple, citrus, grape, peach, pear and persimmon, in Korea. One hundred fifty farmers were selected in main production areas to record their pesticide usage during the growing seasons. Pesticides were sprayed in pear 15.2 times/year and persimmon 7 times/year. Pesticide input amount per unit for fruits was 39.5 for citrus, 22.1 for apple, 21.5 for pear, 11.9 for peach, 10.8 for persimmon and 6.7 a.i. kg/ha for grape, respectively. The amounts of pesticides sprayed in 2002 except for peach and pear tend to decrease compared with those in 1999. The major fungicides used were mancozeb, propineb, dithianon, etc., while the major insecticides were fenitrothion, chlorpyrifos, methidathion, etc. Total active ingredients of pesticides used for six fruit crops amounted to 18.3% of total sales amount of pesticides for horticulture in 2002. The amounts of pesticides sprayed on citrus, grape, peach and pear in Korea was less than those in U.S.A., excepting those in apple.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2014.02a
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• pp.345-345
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• 2014

최근 디스플레이 기술은 급속도로 발전해 가고 있다. 정보화 기술의 발전으로 언제 어디서나 쉽게 정보를 얻을 수 있는 유비쿼터스 시대로 접근하고 있으며, 휴대가 간편하고 이동성을 가진 휴대용 기기가 인기를 끌고 있다. 이에 따라 더 얇고 더 가벼우며 휴대하기 쉬운 디스플레이가 요구 되고 있고, 더 나아가 떨어뜨려도 깨지지 않고 유연하며, 디자인 변형이 자유로우며, 때론 종이처럼 접거나 휘어지거나 두루마리처럼 말을 수 있는 이른바 "플렉서블 디스플레이"에 대한 필요성이 점점 대두되고 있다. 이러한 첨단 디스플레이의 핵심 소자 중 하나는 산화물 박막 트랜지스터 이다. 산화물 반도체는 넓은 밴드갭을 가지고 가시광선 영역에서 투명하며, 높은 이동도를 가지고 있어 차세대 평판디스플레이, 투명디스플레이 및 플렉서블 디스플레이용 박막트랜지스터(TFT)를 위한 채널층으로써 광범위하게 연구되고 있다. 하지만 현재 대부분의 산화물 박막 트랜지스터 제조 공정은 고온에서의 열처리를 필요로 한다. 고온에서의 열처리 공정은 산화물 박막의 제조 공정 단가를 증가시키는 문제점이 있으며, 산화물 박막이 형성되는 기판의 녹는점이 낮은 경우에는 상기 기판의 변형을 가져오므로(예를 들면, 플라스틱 기판, 섬유 기재 등), 상기 산화물 박막이 적용되는 기판의 종류에 제한이 생기는 문제점이 있었다. 이에 플렉시블 디스플레이 등을 위해서는 저온공정이 필수로 선행 되어야 한다. 산화물 TFT는 당초, ZnO계의 재료가 연구되었지만 2004년 말에 Hosono 그룹이 Nature지에 "IGZO (In, Ga, Zn, O)"을 사용한 TFT를 보고한 이후 IGZO, IZO, ISZO, IYZO, HIZO와 같은 투명 산화물반도체가 TFT의 채널물질로써 많이 거론되고 있다. 그 중에서 인듐갈륨 산화물(IGO)는 삼성분계 n-형 산화물 반도체이고, 채널 이동성이 좋고 광투과도가 우수해 투명 TFT에 매우 유용하게 사용할 수 있다. 이 실험에서 우리는 인듐갈륨 산화물 박막 및 트랜지스터 특성 연구를 진행하였다. 인듐갈륨 산화물 박막은 상온에서 rf-magnetron sputtering법을 사용하여 산소분압 1~10%에서 증착 되었다. 증착된 인듐갈륨 산화물 박막은 cubic $In_2O_3$ 다결정으로 나타났으며, 2차상은 관찰 되지 않았다. 산소분압이 10%에서 1%로 변함에 따라 박막의 전도도는 $2.65{\times}10^{-6}S/cm$에서 5.38S/cm 범위에서 조절되었으며, 이를 바탕으로 인듐갈륨 박막을 active층으로 사용하는 bottom gate 구조의 박막트랜지스터를 제작 하였다. 인듐갈륨산화물 박막트랜지스터는 산소분압 10%에서 on/off 비 ${\sim}10^8$, field-effect mobility $24cm^2/V{\cdot}S$를 나타내며 상온에서 플렉서블용 고 이동도 소자 제작의 가능성을 보여준다.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.38 no.7
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• pp.455-463
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• 2001

In this Paper, an approximate processing method is proposed and tested. The proposed method uses variable CSD (VCSD) coefficients which approximate filter stopband attenuation by controlling the precision of the CSD coefficient sets. A decimation filter for Audio Codec '97 specifications has been designed having processor architecture that consists of program/data memory, arithmetic unit, energy/level decision, and sinc filter blocks, and fabricated with 0.6${\mu}{\textrm}{m}$ CMOS sea-of-gate technology. For the combined two halfband FIR filters in decimation filter, the number of addition operations were reduced to 63.5%, 35.7%, and 13.9%, compared to worst-case which is not an adaptive one. Experimental results show that the total power reduction rate of the filter is varying from 3.8 % to 9.0 % with respect to worst-case. The proposed approximate processing method using variable CSD coefficients is readily applicable to various kinds of filters and suitable, especially, for the speech and audio applications, like oversampling ADCs and DACs, filter banks, voice/audio codecs, etc.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.8 no.10
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• pp.918-924
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• 1998

This study has been carried out to investigate the effect of reaction milling time on the synthesis of Ti- TiC p powder synthesised from the elemental titanium and activated carbon by reaction milling(RM), and the effect of vacu­u urn hot pressing temperature and TiC volume fraction on microstructural and mechanical properties of Ti- TiC com­p posite $\infty$ns이idated by vacuum hot pressing(VHP).T The elemental powders of titanium and activated carbon can be converted into Ti- TiC composite powders by reac­t tion milling for about 300hours, and were the average grain size of the as- milled powders has been measured to be a about $5\mu\textrm{m}$. The relative density of Ti- TiC VHPed above $1000^{\circ}C$ during Ihr is about 98% and the mechanical properties o of In- situ Ti- TiC composites are improved by TiC particle dispersed uniformly on titanium matrix. In order to investi­g gate thermal stability of Ti- TiC composite, after annealing at $600^{\circ}C$ for 80hrs micro- Vickers hardness have been per­f formed, and the values have been shown little changed as compared with those before annealing. The compact has b been tested on high temperature compressive test at $700^{\circ}C$ and has showed a high temperature compressive strength of 330MPa in a Ti- 20vol% TiC.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.456-456
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• 2010

CMOS 소자가 서브마이크론($0.1\;{\mu}m$) 이하로 스케일다운 되면서 단채널 효과(short channel effect), 게이트 산화막(gate oxide)의 누설전류(leakage current)의 증가와 높은 직렬저항(series resistance) 등의 문제가 발생한다. CMOS 소자의 구동전류(drive current)를 높이고, 단채널 효과를 줄이기 위한 가장 효율적인 방법은 소스 및 드레인의 얕은 접합(shallow junction) 형성과 직렬 저항을 줄이는 것이다. 플라즈마 도핑 방법은 플라즈마 밀도 컨트롤, 주입 바이어스 전압 조절 등을 통해 저 에너지 이온주입법보다 기판 손상 및 표면 결함의 생성을 억제하면서 고농도로 얕은 접합을 형성할 수 있다. 그리고 얕은 접합을 형성하기 위해 주입된 불순물의 활성화와 확산을 위해 후속 열처리 공정은 높은 온도에서 짧은 시간 열처리하여 불순물 물질의 활성화를 높여주면서 열처리로 인한 접합 깊이를 얕게 해야 한다. 그러나 접합의 깊이가 줄어듦에 따라서 소스 및 드레인의 표면 저항(sheet resistance)과 접촉저항(contact resistance)이 급격하게 증가하는 문제점이 있다. 이러한 표면저항과 접촉저항을 줄이기 위한 방안으로 실리사이드 박막(silicide thin film)을 형성하는 방법이 사용되고 있다. 본 논문에서는 (100) p-type 웨이퍼 He(90 %) 가스로 희석된 $PH_3$(10 %) 가스를 사용하여 플라즈마 도핑을 실시하였다. 10 mTorr의 압력에서 200 W RF 파워를 인가하여 플라즈마를 생성하였고 도핑은 바이어스 전압 -1 kV에서 60 초 동안 실시하였다. 얕은 접합을 형성하기 위한 불순물의 활성화는 ArF(193 nm) excimer laser를 통해 $460\;mJ/cm^2$의 에니지로 열처리를 실시하였다. 그리고 낮은 접촉비저항과 표면저항을 얻기 위해 metal sputter를 통해 TiN/Ti를 $800/400\;{\AA}$ 증착하고 metal RTP를 사용하여 실리사이드 형성 온도를 $650{\sim}800^{\circ}C$까지 60 초 동안 열처리를 실시하여 $TiSi_2$ 박막을 형성하였다. 그리고 $TiSi_2$의 두께를 측정하기 위해 TEM(Transmission Electron Microscopy)을 측정하였다. 화학적 결합상태를 분석하기 위해 XPS(X-ray photoelectronic)와 XRD(X-ray diffraction)를 측정하였다. 접촉비저항, 접촉저항과 표면저항을 분석하기 위해 TLM(Transfer Length Method) 패턴을 제작하여 I-V 특성을 측정하였다. TEM 측정결과 $TiSi_2$의 두께는 약 $580{\AA}$ 정도이고 morphology는 안정적이고 실리사이드 집괴 현상은 발견되지 않았다. XPS와 XRD 분석결과 실리사이드 형성 온도가 $700^{\circ}C$에서 C54 형태의 $TiSi_2$ 박막이 형성되었고 가장 낮은 접촉비저항과 접촉저항 값을 가진다.

• Journal of Wetlands Research
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• v.23 no.3
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• pp.213-223
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• 2021

To understand the sedimentary environment of Scirpus planiculmis habitat (Myeongji and Eulsuk tidal flats) in the Nakdong Estuary, this study analyzed the statistical parameters (sorting, skewness, and kurtosis) of grain size data and the major (Al, Fe, Mn, Mg, Ca, Na, K, Ti, and P), minor (Li, Sc, V, Cr, Co, Ni, Cu, Zn, Sr, Zr, Cs, Pb, Th, and U), and rare earth elements (REEs) in sediment cores. For Myeongji, the sediment structure of the upper part of the cores was poorly sorted, more finely skewed, and more leptokurtic due to construction of the West gate. By contrast, the Eulsuk cores all differed due to the contrasting floodgate operation patterns of the West and East gates. The linear discriminate function (LDF) results corresponded to the statistical parameters for grain size. At the Eulsuk tidal flat (sites ES05 and ES11), elemental distributions were representative of Al-, Fe- and Ca-associated profiles, in which the elements are largely controlled by the accumulation of their host minerals (such as Na- and K-aluminosilicate and ferromagnesium silicate) and heavy detrital minerals at the sites. Detrital minerals including the aluminosilicates are major factors in the elemental compositions at ES05, diluting the REE contents. However, clay minerals and Fe-oxyhydroxides, as well as REE-enriched heavy minerals, appeared to be controlling factors of the elemental composition at ES11. Therefore, the mineral fractionation process is important in determining the elemental composition during sedimentation, which reflects the depositional condition of riverine-saline water mixing at both sites.