WiBro는 그 이름이 의미하듯이 이동 중에도 다양한 단말기를 이용해서 높은 전송속도로 무선인터넷 접속이 가능하도록 하는 서비스이다. WiBro는 인터넷 서비스 제공에 적합한 All-lP망 구조를 택하고 있어 망의 구조가 단순하고 다양한 부가 서비스 제공이 가능하다. 본 논문에서는 단말기의 이동성 모형을 제시하고 데이터 padding에 의해 전송효율이 떨어지는 기존의 방식을 개선한 효율적인 방식을 제안하였으며 시뮬fp이션에 의해 그 성능을 분석하였다.
A mobile IP is proposed to support host mobility over the current Internet. One of the most important issues on the host mobility is location and routing schemes that allow mobile hosts to move effectively from one site to another. In a Mobile IP environment, frequent handoffs are likely to degrade the performance by minimizing the loss of datagrams during handoffs. The handoff scheme is using routing optimization and binding extension to improve the performance by minimizing the average transfer delay of messages and packet loss. Simulation details show the improvement of transport delays and packet loss rate.
Recently, graphene has been intensively studied due to the fascinating physical, chemical and electrical properties. It shows high carrier mobility, high current density, and high thermal conductivity compare with conventional semiconductor materials even it has single atomic thickness. Especially, since graphene has fantastic electrical properties many researchers are believed that graphene will be replacing Si based technology. In order to realize it, we need to prepare the large and uniform graphene. Chemical vapor deposition (CVD) method is the most promising technique for synthesizing large and uniform graphene. Unfortunately, CVD method requires transfer process from metal catalyst. In transfer process, supporting polymer film (Such as poly (methyl methacrylate)) is widely used for protecting graphene. After transfer process, polymer layer is removed by organic solvents. However, it is impossible to remove it completely. These organic residues on graphene surface induce quality degradation of graphene since it disturbs movement of electrons. Thus, in order to get an intrinsic property of graphene completely remove of the organic residues is the most important. Here, we introduce modified wet graphene transfer method without PMMA. First of all, we grow the graphene from Cu foil using CVD method. And then, we deposited several metal films on graphene for transfer layer instead of PMMA. Finally, we fabricate graphene FET devices. Our approaches show low defect density and non-organic residues in comparison with PMMA coated graphene through Raman spectroscopy, SEM and AFM. In addition, clean graphene FET shows intrinsic electrical characteristic and high carrier mobility.
본 논문에서는 FMCW(Frequency Modulated Continuous Wave) SAR(Synthetic Aperture Radar) 기반 실시간 영상 형성을 위해 RDA(Range Doppler Algorithm)의 GPU 가속 커널을 개발하였다. Host와 GPU device 사이의 데이터 전송 시간을 최소화하기 위해 pinned 메모리를 사용하였고, 데이터의 전송 횟수를 최소화하기 위해 모든 RDA 연산을 GPU에서 수행하도록 커널을 구성하였다. FMCW 드론 SAR 실험을 통해 데이터셋를 획득하였고, intel i7-9700K CPU, 32GB RAM과 Nvidia RTX 3090 GPU 환경에서 GPU의 가속 효과를 측정하였다. Host-device간 데이터 전송 시간을 포함했을 경우 CPU 대비 최대 3.41배 가속된 것으로 측정되었고, 데이터 전송 시간을 포함하지 않고 연산의 가속 효과만을 측정했을 때, 최대 156배 가속 가능함을 확인할 수 있었다.
다양한 서비스와 네트워크의 융합이 가속화되면서 이종 네트워크별 효과적 이동성 관리에 대한 중요성이 부각되고 있다. 본 논문에서는 이종 네트워크 중 이동 IP 네트워크의 구조에 적합한 이동성 모델을 고려하고 주어진 환경 하에서 사용자 이동에 따른 다양한 성능평가와 관련된 지수를 도출하고 이를 활용하기 위한 방안을 제시한다. 또한 미래의 스마트 인지 네트워킹 환경 하에서는 개별 사용자의 이동성이 체계적으로 관리되어야 네트워크 자원의 효율적 활용과 무선 접속을 위한 주파수 스펙트럼의 효과적 활용에 매우 중요하다. 기존의 이동성 모델은 개별 네트워크 측면에서 다루어지면서 새로운 융합 이종 네트워크 환경에 적용하는데 적합성이 낮으므로 새로운 이동성 모델을 고려하여 융합 네트워크의 성능을 평가하는데 유용할 것으로 기대된다.
효율적인 이동성을 지원하는 MIPv6, FMIPv6, HMIPv6과 같은 호스트 기반의 이동성관리 프로토콜이 개발되었다. 이 논문에서 AAAC(Authentication, Authorization, Accounting and Charging) 시스템을 적용한 보안효과적인 네트워크에 PMIPv6, FPMIPv6을 포함하는 기존의 IPv6을 비교분석 하며 IPv6 MMP(Mobile Management Protocol)의 특징과 성능분석 등을 수행하였다. 또한 IPv6 MMP 성능을 전송 끊김의 확률, 패킷 손실의 측면에서 분석하였다. 이동성과 QoS의 통합을 위한 방법으로 효율적으로 사용할 수 있는 리소스를 제어하고 관리할 수 있도록 QoSB의 사용법을 제시하였다. 평가결과는 전체적으로 빠른 핸드오버 구조의 이동성 관리 기법들이 좀 더 나은 결과를 나타내었다. 특별히 PMIPv6와 FPMIPv6가 여러 면에서 가장 효율적인 구조라는 것을 알 수 있으며, 빠른 핸드오버 구조의 네트워크 기반의 이동성관리 기법이 최상의 결과를 나타내었다.
The photoluminescence and electroluminescence of poly(9-vinylcarbazole) (PVCz) containing different ratio 1.3,5-dimethly-3,5-di-tert-butyl-4,4-diphenoquinone (MBDQ), 1.3,5-diemthyl-3.5-di-tert-butyl-4,4-stylbenquinone (MBSQ) were characterized. As the contents of DQ and SQ increased, the intensity of peaks at 516 and 540nm increased in PL spectra. The results of TOF measurement were shown that the hole mobility of PVCz decreased as the ratio of DQ or SQ increased. On the other hand, the electron mobility of PVCz increased. Therefore Electron transport is more favorable than hole transport in these charge transfer complexes, due to the stronger localization of the holes. Evidence for better electron transport is the higher mobility of electrons in pure DQ or SQ compared to hole mobility in pure PVCz, and lower DQ or SQ concentration required for equivalent mobilities in the charge-transfer complexes.
Organic thin film transitors(TFTs) are of interest for use in broad area electronic applications. For example, in active matrix liquid crystal displays(AMLCDs), organic TFTs would allow the use of inexpensive, light-weight, flexible, and mechanically rugged plastic substrates as an alternative to the glass substrates needed for commonly used hydrogenated amorphous silicon(a-Si:H). Recently pentacene TFTs with carrier field effect, mobility as large as 2 $cm^2V^{-1}s^{-1}$ have been reported for TFTs fabricated on silicon substrates, and it is higher than that of a-Si:H. But these TFTs are fabricated on silicon wafer and $SiO_2$ was used as a gate insulator. $SiO_2$ deposition process requires a high insulator which is polyimide and photo acryl. We investigated trasfer and output characteristics of the thin film transistors having active layer of pentacene. We calculated field effect mobility and on/off ratio from transfer characteristics of pentacene thin film transistor, and measured IR absorption spectrum of polymide used as the gate dielectric layer. It was found that using the photo acryl as a gate insulator, threshold voltage decreased from -12.5 V to -7 V, field effect mobility increased from 0.012 $cm^2V^{-1}s^{-1}$ to 0.039 $cm^2V^{-1}s^{-1}$ , and on/off current ratio increased from $10^5\;to\;10^6$. It seems that TFTs using photo acryl gate insulator is apt to form channel than TFTs using polyimide gate insulator.
Journal of information and communication convergence engineering
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제8권4호
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pp.355-364
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2010
A session transfer method, referred to as a Recipient Serving-call session control function (S-CSCF) Assured (RSA), is proposed in order to support both session mobility and consistency in IP multimedia subsystem (IMS) based next generation network (NGN). RSA session transfer simplifies a basic session transfer operation specified in [1] by using the user agent client (UAC) like characteristics of an S-CSCF. To show its efficiency, the session transfer delay and the traffic cost of RSA session transfer are investigated and compared with those of existing session transfer applications, including Assured and Consultative session transfers, by practically considering multiple session transfer failures. It is shown that RSA session transfer can further improve user experience by reducing session transfer delay as well as traffic cost than Assured and Consultative session transfers.
Graphene has attracted the interest of many researchers due to various its advantages such as high mobility, high transparency, and strong mechanical strength. However, large-area graphene is grown at high temperatures of about 1,000 ℃ and must be transferred to various substrates for various applications. As a result, transferred graphene shows many defects such as wrinkles/ripples and cracks that happen during the transfer process. In this study, we address transfer-free, large-scale, and high-quality monolayer graphene. Monolayer graphene was grown at low temperatures on Ti (10nm)-buffered Si (001) and PET substrates via plasma-assisted thermal chemical vapor deposition (PATCVD). The graphene area is small at low mTorr range of operating pressure, while 4 × 4 ㎠ scale graphene is grown at high working pressures from 1.5 to 1.8 Torr. Four-inch wafer scale graphene growth is achieved at growth conditions of 1.8 Torr working pressure and 150 ℃ growth temperature. The monolayer graphene that is grown directly on the Ti-buffer layer reveals a transparency of 97.4 % at a wavelength of 550 nm, a carrier mobility of about 7,000 ㎠/V×s, and a sheet resistance of 98 W/□. Transfer-free, large-scale, high-quality monolayer graphene can be applied to flexible and stretchable electronic devices.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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