• Title/Summary/Keyword: Titanium Nitride

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Microstructure change of TiN films prepared by oblique angle (빗각 증착으로 코팅된 다층 TiN 박막의 특성)

  • Song, Min-A;Yang, Ji-Hun;Jeong, Jae-Hun;Kim, Seong-Hwan;Jeong, Jae-In
    • Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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    • 2014.11a
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    • pp.233-233
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    • 2014
  • 질화 티타늄(Titanium Nitride)은 뛰어난 물리적 특성이 있어 내마모 재료의 표면처리 분야에 많이 사용되고 있다. 본 연구에서는 음극 아크 방전을 이용하여 빗각 증착을 실시하고 증착 시 기판에 bias 인가 여부에 따라 주상정의 방향성이 변하는 단층 및 다층의 TiN 박막을 제조하였으며 동일한 두께의 다양한 다층구조에서 경도의 증가를 확인하였다.

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Evaluation of Fatigue Fracture Life for TiN Coated Abutment Screw in Dental Implant

  • Choe, Han-Cheol;Chung, Chae-Heon
    • Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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    • 2012.11a
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    • pp.115-116
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    • 2012
  • In this study, fitness and fatigue test were performed to estimate the coating effects of abutment screw for implant system after fatigue test. The purpose of this study was to investigate fatigue fracture phenomena of dental implant fixture used titanium nitride coated abutment screw under cyclic load.

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음극 아크 증착으로 코팅된 TiAlN 박막의 물리적 특성 연구

  • Song, Min-A;Yang, Ji-Hun;Park, Hye-Seon;Jeong, Jae-Hun;Jeong, Jae-In
    • Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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    • 2012.05a
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    • pp.159-159
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    • 2012
  • 티타늄-알루미늄(Titanium-Aluminum) 질화물(Nitride)은 고경도 난삭재의 고능률 절삭 분야에 사용되는 공구의 수명 향상을 위한 표면처리 소재로 각광을 받고 있다. 본 연구에서는 아크 소스로 TiAl 타겟을 사용 하였으며, $N_2$ 유량을 변화시키며 코팅을 실시하였다. 그 결과 경도 883~2510 Hv로 나타나는 것을 확인하였다.

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Properties of Multi Layer TiN Films Fabricated by Oblique Angle Deposition (빗각 증착으로 제조된 다층 TiN 박막의 특성)

  • Jeong, Jae-Hun;Yang, Ji-Hun;Park, Hye-Seon;Song, Min-A;Jeong, Jae-In
    • Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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    • 2012.05a
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    • pp.143-143
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    • 2012
  • 질화 티타늄(Titanium Nitride)은 뛰어난 물리적 특성이 있어 내마모 재료의 표면처리 분야에 많이 사용되고 있다. 본 연구에서는 음극 아크 방전을 이용하여 빗각 증착을 실시하고 증착 시 기판에 bias 인가 여부에 따라 주상정의 방향성이 변하는 단층 및 다층의 TiN 박막을 제조하였으며 동일한 두께의 다양한 다층구조에서 경도의 증가를 확인하였다.

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Film Properties of MOCVD TiN prepared by TDMAT and TDMAT/$NH_3$ (TDMAT와 TDMAT/$NH_3$ 로 형성한 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition) Titanium Nitride 박막의 특성)

  • Baek, Su-Hyeon;Kim, Jang-Su;Park, Sang-Uk;Won, Seok-Jun;Jang, Yeong-Hak;O, Jae-Eung;Lee, Hyeon-Deok;Lee, Sang-In;Choe, Jin-Seok
    • Korean Journal of Materials Research
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    • v.5 no.7
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    • pp.775-780
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    • 1995
  • Thin films of titanium nitride are formed using the tetrakis-dimethyl-amino-titanium (TDMAT(Ti[N($CH_3$)$_2$]$_4$)) under various conditions. The formation of TiN films has been obtained from the thermal decomposition of the Ti-precursor and the gas phase reaction between TDMAT and ammonia(NH$_3$). The resistivity of the MOCVD film can be attributed to their impurity. Especially the curve fitting graph of XPS data is revealed that main impurities in the films as carbon and oxygen make various interstitial compounds which has influenced physical and electrical properties of the film. In the contact hole with the aspect ratio of 3:1 and the diameter of 0.5${\mu}{\textrm}{m}$, the SEM morphology shows that the step coverage is more decreased in the films formed y flowing ammonia additionally than the films formed by pyrolysis of TDMAT and the phenomenon is probably related with the activation energy.

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Synthesis of TiN-Coated cBN Powder by Sol-Gel Method Using Titanium (IV) Isopropoxide (티타늄 이소프로폭사이드를 이용한 졸-겔법에 의한 TiN 코팅 cBN 분말 합성)

  • Lee, Youn Seong;Kim, Sun Woog;Lee, Young Jin;Lee, Ji Sun;Shin, Dongwook;Kim, Sae-Hoon;Kim, Jin Ho
    • Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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    • v.33 no.5
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    • pp.373-379
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    • 2020
  • In this study, TiN-coated cBN (cubic-structure boron nitride) powders were successfully synthesized by a sol-gel method using titanium (IV) isopropoxide (TTIP) and by controlling the heat treatment conditions. After the sol-gel process, amorphous nano-sized TiOx was uniformly coated on the surface of cBN powder particles. The obtained TiOx-coated cBN powders were heated at 1,000~1,300℃ for 1 or 6 h in a flow of 95%N2-5%H2 mixed gas. With increasing temperature, the chemical composition of the TiOx coating layer changed in the order of TiO2→Ti6O11→Ti4O7→TiN due to reduction of the Ti ions. The TiN coating layer was observable in the samples heated at 1,200℃ and appeared as the main phase in the sample heated at 1,300℃. The resulting thickness of the TiN coating layer of the sample heated at 1,300℃ was approximately 45~50 nm.

Determination of Optical Constants of TiNx was Sputtered with RF Magnetron Sputtering Method (RF 마그네트론 스퍼터링 방법으로 증착한 TiNx 박막의 광학상수 결정)

  • Park, Myung Hee;Kim, Sang Yong;Lee, Soonil;Koh, Ken Ha
    • Journal of Korean Ophthalmic Optics Society
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    • v.12 no.3
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    • pp.77-81
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    • 2007
  • We sputtered $TiN_x$ (titanium nitride) thin films on silicon substrates using ultra high vacuum RF magnetron sputtering method, and measured spectra of ellipsometry angles ${\Delta}$ and ${\Psi}$ in the photon-energy range of 1.5-5.0 eV using a variable angle spectroscopic ellipsometer. The optical constants, refractive index and extinction coefficient of the $TiN_x$ films were determined via the dispersion parameters extracted from the curve-fitting process based on Drude+Lorentz oscillator dispersion function. The reliability of determined optical constants were verified through the comparison of between simulated reflectance and reflectance spectra measured using a spectrophotometer.

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A study on copper thin film growth by chemical vapor deposition onto silicon substrates (실리콘 기판 위에 화학적 방법으로 증착된 구리 박막의 특성 연구)

  • 조남인;박동일;김창교;김용석
    • Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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    • v.6 no.3
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    • pp.318-326
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    • 1996
  • This study is to investigate a chemical vapor deposition technique of copper film which is expected to be more useful as metallizations of microcircuit fabrication. An experimental equipment was designed and set-up for this study, and a Cu-precursor used that is a metal-organic compound, named (hfac)Cu(I)VTMS ; (hevaflouoroacetylacetonate trimethyvinylsilane copper). Base pressure of the experimental system is in $10^{-6}$ Torr, and the chamber pressure and the substrate temperature can be controlled in the system. Before the deposition of copper thin film, tungsten or titanium nitride film was deposited onto the silicon wafer. Helium has been used as carrier gas to control the deposition rate. As a result, deposition rate was measured as $1,800\;{\AA}/min$ at $220^{\circ}C$ which is higher than the results of previous studies, and the average surface roughness was measured as about $200\;{\AA}$. A deposition selectivity was observed between W or TiN and $SiO_{2}$ substrates below $250^{\circ}C$, and optimum results are observed at $180^{\circ}C$ of substrate temperature and 0.8 Torr of chamber pressure.

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아크로 증착된 TiAlN 박막의 특성 연구

  • Jeong, Jae-Hun;Yang, Ji-Hun;Park, Hye-Seon;Song, Min-A;Jeong, Jae-In
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2011.08a
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    • pp.269-269
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    • 2011
  • 티타늄-알루미늄(Titanium-Aluminum) 질화물(Nitride)은 고경도 난삭재의 고능률 절삭 분야에 사용되는 공구의 수명 향상을 위한 표면처리 소재로 각광을 받고 있다. 건식고속가공을 효과적으로 수행하기 위해서는 코팅막 재료가 가공 중 발생하는 고온에서도 견디는 우수한 내산화성을 지니면서 내마모, 내충격 특성등의 기계적 성질이 우수한 코팅을 필요로 하며 이러한 분야에 TiAlN을 적용하기 위한 많은 연구가 진행되고 있다. 본 연구에서는 아크(Cathodic Arc) 코팅을 시스템을 이용하여 N2 유량변화에 따라 TiAlN 박막을 제조하고 그 특성을 평가하였다. 아크 소스에 장착된 타겟은 120 $mm{\Phi}$, Ti : Al=50 : 50 at% 의 TiAl 타겟을 사용 하였고, 시편과 타겟 간의 거리는 약 30 cm이며, 시편은 SUS를 사용하였다. 시편을 진공용기에 장착하고 ~10-6 Torr까지 진공배기를 실시하고, Ar 가스를 진공용기 내로 공급하여 ~10-4 Torr에서 시편에 bias (Pulse : 400V)를 인가한 후 아크를 발생시켜 약 5분간 청정을 실시하였다. 플라즈마 청정이 끝나면 시편에 인가된 bias를 차단하고 N2 유량을 변화시키며 코팅을 실시하였다. 질소 유량이 증가함에 따라 색상은 회색에서 어두운 보라색으로 변화하였고 SEM 사진을 통해 Micro paticle 이 감소하는 것을 확인 할 수 있었으며 이는 질소유량이 증가 할수록 표면조도 또한 감소하는 분석결과와도 일치하였다. XRD 분석을 통해 질소 유량이 160 sccm 이상에서 TiAlN이 합성되는 것을 볼 수 있었고 질소 유량이 240 sccm일 때 가장 높은 경도를 보였다. 따라서 본 연구에서 얻어진 결과를 바탕으로 더욱 다양한 조건에서 TiAlN 코팅에 응용한다면 다양한 색상 구현과 내마모성 등에서 많은 장점을 얻을 수 있을 것으로 예상된다.

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