Kim, Jong-Yeon;Han, Jin-Woo;Kim, Jong-Hwan;Kang, Hee-Jin;Han, Jung-Min;Kang, Dong-Hun;Oh, Yong-Cheul;Seo, Dae-Shik
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2006.11a
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pp.318-319
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2006
기존에 사용되고 있는 ITO(Indium-Tin-Oxide)의 저항보다 낮은 저항을 가지는 AZO(ZnO-Ag-ZnO) 전극을 Top emission 방식의 OLED(organic light emitting diode)에 적용하여 발광 소자를 제작하였다. AZO박막은 기존의 ITO박막이 수십 ${\Omega}$을 나타내던 것과 비교하여 $8{\Omega}$으로 매우 낮은 저항을 나타내었다. 투과율은 84%로 기존의 ITO박막과 유사한 성능을 나타내었다.
A bilayer is used as an anode electrode for organic electroluminescent devices. The bilayer consist of an ultrathjn ZnO layer adjacent to an hole-transporting layer and an Indium tin oxide(ITO) outerlayer. We tried to bring low the barrier between the devices as deposited ZnO films on ITO substrates. We fabricated the organic EL structure consisted of Al as cathode, $Al_{2}O_{3}$ as electro transport layer, Alq3 as luminously layer, triphenyl diamine(TPD) as hole transport layer and ZnO(l nm )/ITO(l50 nm) as anode. The result of this experiment was not good compared with the case of using ITO, Nevertheless, at this structure we obtained the lowest turn-on voltage as the value of 19 V and the good brightness (6200 $cd/m^{2}$) of the emission light from the devices. Then the quantum efficiency was to be 1.0%.
Silver nanowire random networks are promising candidates for replacing indium tin oxide (ITO) as transparent and conductive electrodes. They can also be used as transparent heating films with self-cleaning and defogging properties. By virtue of the Joule heating effect, silver nanowire random networks can be heated when voltage bias is applied; however, they are unsuitable for long-term use. In this work, we study the Joule heating of silver nanowire random networks embedded in polymers. Silver nanowire random networks embedded in polymers exhibit breakdown under the application of electric current. Their surface morphological changes indicate that nanoparticle formation may be the main cause of this electrical breakdown. Numerical analyses are used to investigate the temperatures of the silver nanowire and substrate.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.26
no.5
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pp.351-354
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2013
Thin-film transistors(TFTs) with silicon-zinc-tin-oxide(SiZnSnO, SZTO) channel layer are fabricated by rf sputtering method. Electrical properties were changed by different annealing treatment of dry annealing and wet annealing. This procedure improves electrical property especially, stability of oxide TFT. Improved electrical properties are ascribed to desorption of the negatively charged oxygen species from the surfaces by annealing treatment. The threshold voltage ($V_{th}$) shifted toward positive as increasing Si contents in SZTO system. Because the Si has a lower standard electrode potential (SEP) than that that of Sn, Zn, resulting in the degeneration of the oxygen vacancy ($V_O$). As a result, the Si acts as carrier suppressor and oxygen binder in the SZTO as well as a $V_{th}$ controller, resulting in the enhancement of stability of TFTs.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2014.02a
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pp.467.2-467.2
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2014
유기태양전지는 친환경 에너지 소스로써 저가 대량 생산이 가능하고 특히 유연한 기판에 적용이 가능하여 많은 관심을 받고 있다. 그럼에도 불구하고 기존에 사용되는 indium tin oxide (ITO)의 사용으로 인한 유연성 부족으로 대체되는 투명전극의 개발이 요구되어지고 있다. 이로 인해 carbon nanotubes, graphene, thin metals, metal grids, and conducting polymers 등이 연구되고 있으며, 이중 Silver nanowires (Ag NWs)를 이용한 방식도 많은 관심과 함께 전기광학적 특성에 대한 연구가 진행되고 있다. 하지만 유기전자소자에 사용되기에는 몇 가지 문제점이 발생하는데 이를 해결하기 위한 노력이 다양하게 이루어지고 있다. 특히 다양한 물질의 혼합을 통해 개선하고자 하는 노력이 증가하고 있는데 적층구조의 전도성필름 형성을 통해 ITO-free OPVs에서 Ag nanowire를 transparent conductive electrodes로 활용하였다. Ag NWs층과 PEDOT:PSS layer의 복합화를 통해 저가의 ITO-free OPVs용 transparent anodes가 가능해졌다.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2014.02a
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pp.215-215
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2014
Red color light emitting diodes (LEDs) were fabricated using CdSe/CdZnS quantum dots (QDs). During the device fabrication process, oxygen plasma treatment on the ITO surface was performed to improve the interfacial contact between ITO anode and the hole injection layer. CdSe/CdZnS quantum dots were cross-linked to remove their surrounded organic surfactants. The device shows red emission at 622 nm, which is consistent with the dimension of the QDs (band gap=1.99 eV). The luminance shows 6026% improvement compared with that of LEDs fabricated without oxygen plasma treatment and quantum dots cross-linking process. This approach would be useful for the fabrication of high-performance QLEDs with ITO electrode and PEDOT:PSS hole injection layers.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2001.11b
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pp.137-140
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2001
To improve structural properties and induce higher conductivity, we have annealed emitting layer. The temperature condition was investigated by various experiment. To observe the surface morphology of emitting layer, measured the AFM and the X -ray diffraction pattern of P3HT film is shown. It is move to slightly low angles and diffraction peaks also become much sharper. After annealing of emitting layer, EL intensity and Voltage-current-luminance curve is better as compared with untreated. But PL intensity was decreased. It is known that by emission principal. After annealing of emitting layer, EL devices enhances the interface adhesion between the emissive polymer and Indium-tin-oxide electrode, which takes a critical role to improve the emitting properties of EL devices.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.02a
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pp.203-203
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2012
The SWCNTs network are formed on various plastic substrates such as poly(ethylene terephthalate) (PET), polyimide (PI) and soda lime glass using roll-to-roll printing and spray process. Selective patterning of carbon nanotubes film on transparent substrates was performed using a femtosecond laser. This process has many advantages because it is performed without chemicals and is easily applied to large-area patterning. It could also control the transparency and conductivity of CNT film by selective removal of CNTs. Furthermore, selective cutting of carbon nanotube using a femtosecond laser does not cause any phase change in the CNTs, as usually shown in focused ion beam irradiation of the CNTs. The patterned SWCNT films on transparent substrate can be used electrode layer for touch panels of flexible or flat panel display instead indium tin oxide (ITO) film.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2011.08a
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pp.275-275
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2011
전극에 응용할 수 있는 소재 중 탄소나노소재는 구리와 비슷한 전기 전도성을 가지며 박막 코팅 시 투명성이 보장되고 코팅력이 매우 우수하다. 하지만 현재 다양한 분야에 응용되고 있는 투명전극 소재인 Indium tin oxide (ITO)를 대체하기에는 아직 이른 실정이다. 또 다른 투명전극 응용 소재인 silver nanowire는 전기 전도성이 우수한 반면 투명 전극으로서 두께가 두꺼워질수록 Haze 발생과 기판과의 부착력, 박막형성 뒤의 내구성 문제가 있다. 본 연구에서는 상기 두 재료를 결합하여 복합 전극을 만들어 두 재료의 복합 비율에 따른 투명성과 전기 전도성을 비교하였다.
Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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2014.11a
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pp.219-220
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2014
Organic Light Emitting Diodes (OLED) 나 Organic Photovoltaics (OPV)와 같은 유기소자에 투명전극으로 쓰이고 있는 Indium Tin Oxide (ITO)는 유연한 소자에 적용하기에는 유연성이 떨어진다는 문제가 있다. 이를 해결하기 위해서 CNT, Graphene, AgNW, 전도성 고분자 등의 투명전극에 관한 연구가 활발히 진행되고 있으나, 여전히 전기적 특성이 좋지 못하다는 문제가 있다. 이러한 문제를 해결하기 위해서 본 연구에서는 금속배선을 보조전극으로 형성하여 배선을 폴리머 기판에 함몰시킴으로써 유연성과 표면 평탄도, 전기적 특성이 우수한 배선함몰 투명전극을 형성하였다. 그 결과, $1{\Omega}/{\Box}$의 면저항과 90%의 투과도를 가지는 투명전극을 구현하였다. 이렇게 제작된 배선함몰 전극위에 유기태양전지와 유기발광 다이오드를 제작하여 상용화된 ITO 유리기판과 유사한 효율을 얻을 수 있었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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