(La,Sr)CoO3/Pb(Zr,Ti)O3/(La,Sr)CoO3 (LSCO) heterostructures have been grown on LaAlO3 substrates by pulsed laser deposition (PLD) to investigate asymmetric polarization of Pb(Zr,Ti)O3 (PZT) thin flims with different electrode configuration. P-V hysteresis loop of LSCO/PZT/LSCO was symmetric. However, LaCoO3 (LCO_/PZT/LSCO showed a largely asymmetric P-V hystersis loop and large relaxation of the remanent polarization at the negatively poled state, which means that the negatively poled state was unstable. On the other hand, LSCO/PZT/LCO exhibited large relaxation of the positively poled state. The asymmetric behavior of the polarized states implies the presence of an interal electric firld inside the PZT layer. It is suggested that internal electric field is caused by built-in voltages at LCO/PZT and LSCO/PZT interfaces. The built-in voltages at LCO/PZT and CSCO/PZT interfaces were 0.6 V and -0.12 V, respectively.
Deformation in the hysteresis loop of $Pb(Zr,Ti)O_3$ (PZT) thin films with various Zr/Ti ratios has been studied by varying the top electrode preparation method and the annealing temperature. Pt/PZT/Pt capacitors was found to be positively poled due to dc plasma potential generated during reactive ion etch (RIE) of Rt. Internal field is formed by space charges trapped at domain boundaries. Aging phenomenon such as constriction in the middle of the hysteresis loop was observed in the PZT film with top electrode deposited by sputtering. Top electrode annealing restores the hysteresis loop by removing the space charges. As Zr/Ti ratio decrease, voltage shift increases and an-nealing temperature at which internal field disappears also increases.
Seo, Jae-Sub;Kim, Joo-Yong;Jin, Hyoung-Joon;Kang, Min-Sung
한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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2007.06a
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pp.323-325
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2007
$TiO_{2}$ electrode electrospun directly onto the substrate was developed for energy conversion device. To enhance energy conversion efficiency of dye-sensitized solar cell, electrodes should have higher surface area to absorb more dyes and higher conductivity to reduce recombination of generated electrons. $TiO_{2}$ nanofibers with higher surface areas were fabricated by annealing electrospun $TiO_{2}/PVP$ nanofibers at $500^{\circ}C$ for 3 hrs in air. it was revealed that $TiO_{2}$ nanofiber electrodes is hybrid with MWNT showed higher conductivity than $TiO_{2}$ semiconductor electrode possibly due to band gap change.
강유전체 재료의 하부전극으로 사용되고 있는 Pt/Ti 박막의 접착력에 대한 열처리 분위기의 영향을 연구하였다. 시편의 접착력은 90$^{\circ}$ 필 테스트 방법을 사용하여 정량적으로 측정하였다. 열처리 후 사용된 분이기에 관계없이 모두 접착력이 감소하였는데 특히 산소분위기에서 열처리 한 시편의 접착력이 매우 크게 감소하였다. AES depth profile과 단면 TEM을 이용하여 계면반응을 관찰한 결과 산소열처리시에는 Ti가 외부에서 확산해 온 산소와 반응하여 rutile TiO2상이 형성됨을 알 수 있었다. 그러므로 산소열처리 후에 일어나는 접착력의 급격한 감소 원인은 열처리시 취약한 TiO2상이 형성되며 이로 인해 Ti 접착층이 고갈되기 때문임을 알 수 있었다.
Journal of Korean Society of Environmental Engineers
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v.34
no.11
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pp.715-719
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2012
We investigated the effects of electrochemical characteristics and generation of chlorine by the different amount of Ru coating which was prepared for $RuO_2$/Ti electrode coated with 1.5 mg, 2.5 mg, 5.5 mg, 8.5 mg Ru per unit area ($cm^2$). As a Result of the cycle voltammetry experiments, chlorine overvoltage of Ru-coated electrodes showed to be the nearly sustained value of approximately 1.15V (vs. Ag/AgCl). By contrary, According to the results of the AC impedance spectroscopy and potentiodynamic polarization tests, the amount of Ru per unit area ($cm^2$) included 2.5 mg, 3.5 mg as $RuO_2$/Ti offered the highest levels of durability which was electrode resistance and corrosion rate appeared to be $0.4582{\Omega}$, $0.5267{\Omega}$ and 0.082 mm/yr, 0.058 mm/yr, respectively. It was also observed that generation of chlorine coated with 3.5 mg per unit area ($cm^2$) was the highest value of 15.2 mg/L.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2000.02a
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pp.123-123
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2000
선폭이 초미세화됨에 따라 게이트 전극에서의 공핍 현상 및 불순물 확산의 물제를 갖는 poly-Si 게이트를 대체할 전극 물질로 텅스텐(W)이 많이 연구되어 왔다. 반도체 소자의 배선물질로 일찍부터 사용되어온 텅스텐은 내화성 금속의 일종으로 용융점이 높고, 저항이 낮다. 그러나, 일반적으로 사용되고 있는 CVD에 의한 텅스텐의 증착은 반응가스(WF6)로부터 오는 불소(F)의 게이트 산화막내로의 확산으로 인해 MOS 소자가 크게 열화될수 있다. 본 연구에서는 W/TiN 이중 게이트 전극 구조를 갖는 MOS 캐패시터를 제작하여 전기적 특성을 살펴보았다. P-Type (100) Si위에 RTP를 이용, 85$0^{\circ}C$에서 110 의 열산화막을 성장 및 POA를 수행한 후, 반응성 스퍼터링법에 의해 상온, 6mTorr, N2/Ar=1/6 sccm, 100W 조건에서 TiN 박막을 150, 300, 500 의 3그룹으로 증착하였다. 그 위에 LPCVD 방법으로 35$0^{\circ}C$, 0.7Torr, WF6/SiH4/H2=5/5~10/500sccm 조건에서 2000~3000 의 텅스텐을 증착하였다. Photolithography 공정 및 습식 에칭을 통해 200$\mu\textrm{m}$$\times$200$\mu\textrm{m}$ 크기의 W/TiN 복층 게이트 MOSC를 제작하였다. W/TiN 복측 게이트 소자와 비교분석하기 위해 같은 조건의 산화막을 이용한 알루미늄(Al) 게이트, 텅스텐 게이트 MOSC를 제작하였다. 35$0^{\circ}C$에서 증착된 텅스텐 박막은 10~11$\Omega$/ 의 면저항을 가졌고 미소한 W(110) peak값을 나타내는 것으로 보아 비정질 상태에 가까웠다. TiN 박막의 경우 120~130$\Omega$/ 의 면저항을 가졌고 TiN (200)의 peak 값이 크게 나타난 반면, TiN(111) peak가 미소하게 나타났다. TiN 박막의 두께와 WF/SiH4의 가스비를 변화시켜가며 제작된 MOS 캐패시터를 HF 및 QS C-V, I-V 그리고 FNT를 통한 전자주입 방법을 이용하여 TiN 박막의 불소에 대한 확산 방지막 역할을 살펴 보았다. W/TiN 게이트 MOS 소자는 모두 순수 텅스텐 게이트보다 우수하였고, Al 게이트와 유사한 전기적 특성을 보여주었다. W/TiN 게이트 MOS 소자는 모두 순수 텅스텐 게이트보다 우수하였고, Al 게이트와 유사한 전기적 특성을 보여주었다. TiN 박막이 300 , 500 이고 WF6/SiH4의 가스비가 5:10인 경우 소자 특성이 우수하였으나, 5:5의 경우에는 FNT 전자주입 특성이 열화되기 시작하였다. 그리고, TiN박막의 두께가 150 으로 얇아질 경우에는 WF6/SiH4의 가스비가 5:10인 경우에서도 소자 특성이 열화되기 시작하였다. W/TiN 복층 게이트 MOS 캐패시터를 제작하여 전기적인 특성 분석결과, 순수 텅스텐 게이트 소자의 큰 저전계 누설 전류 특성을 해결할 수 있었으며, 불소확산에 영향을 주는 조건이 WF6/SiH4의 가스비에 크게 의존됨을 알 수 있었다. TiN 박막의 증착 공정이 최적화 될 경우, 0.1$\mu\textrm{m}$이하의 초미세소자용 게이트 전극으로서 텅스텐의 사용이 가능할 것으로 보여진다.
This study examined the nitrate removal efficiency which uses an electrowinning, and also analyzed the nitrate removal efficiency under a variety of operating conditions such as nitrate concentrations, pH, current densities, electrodes, reducing agents in order to determine optimal conditions. In addition, the multi-step electro-chemical process test has been also analyzed. During the electrowinning, the identical Zn-Zn and Pt-Ti electrodes in the insoluble oxidation electrode(Pt) has shown the highest nitrate removal efficiency in the 100 mg $NO_3^{-}$ -N/L concentration. In the concentration of 150 mg $NO_3^{-}$ -N/L, the efficiency of the Zn-Zn electrode were 70~85%, and that of Pt-Ti electrode were 40~50% without any change of pH. In the high concentration of 500 and 1,000 mg $NO_3^{-}$ -N/L, the higher the concentration, the more decrease of its nitrate removal efficiency decreased. However, the energy consumed for nitrogen removal increased when the nitrate concentration was high. As a result of the multi-step electro-chemical process test, We chose the Test 4. Because the first, most of the zinc consumed from 1 step was recovered from over the 2 step. The second, amount of consumption anode decreased with insoluble anode Pt from over the 2 step. And the third, Zn cathode increased the possibility of reusing Zn deposited. In view of the results so far achieved, the multi-step electro-chemical process would be applied to treat nitrogen involved in metal finishing wastewater.
In this paper, the surface of electrodes used in solar cells was roughened using wet etching method among surface texturing method, and after surface treatment, dye sensitive solar cell using TiO2 oxide semiconductor was produced. The surface spectroscopic properties of surface treated electrodes were analyzed according to etching time, and by evaluating the electrical properties of TiO2 dye-sensitized solar cells produced according to etching time, the study on improving the efficiency of solar cells according to surface treatment was conducted. As a result, solar cells that etched the electrode surface for 10 minutes could see an improvement of about 27.46[%] over their existing efficiency.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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