• 한국진공학회지
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• 제9권3호
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• pp.227-232
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• 2000

광소자와 마이크로파 유전체 소자 및 절연 산화막으로의 응용을 위한 $MgTiO_3$ 박막을 펄스레이저 증착법을 이용하여 다양한 기판 위에서 증착하였다. 사파이어 기판에(c-plane Sapphire) 성장된 $MgTiO_3$ 박막은 에피텍셜 성장(epitaxial growth)이 되었으며, $SiO_2$/Si 및 Pt/Ti/$SiO_2$/Si(plantinzed silicon)기판 위에 성장된 $MgTiO_3$ 박막의 경우, 기판과 관계없이 c축 방향으로 배향(oriented)되었다. 사파이어 기판 위에 증착된 $MgTiO_3$ 박막은 가시영역에서 투명하였으며, 약 290 nm 파장을 갖는 영역에서 급격한 흡수단을 보였다. 사파이어 기판 위에 성장된 박막의 AM(Atomic Force Microscopy)분석결과 약 0.87 nm rms roughness 값을 갖는 매우 평탄한 표면상태를 갖고 있음을 확인하였다. MIM(Pt/$MgTiO_3$/Pt) 구조의 캐패시터를 형성시켜 $MgTiO_3$박막의 유전특성 (dielectric properties)을 관찰하였는데, 펄스레이저 증착법으로 성장된 $MgTiO_3$ 박막의 유전율(relative dielectric constant)은 약 24.5였으며, 1 MHz에서 약 1.5%의 유전손실(dielectric loss) 값을 보였다. 또한 이때 $MgTiO_3$박막은 낮은 유전분산을 보였다.

• 한국재료학회지
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• 제14권2호
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• pp.133-140
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• 2004

We carried out anodic aluminum oxide (AAO) on a Si and a sapphire substrate. For anodic oxidation of Al two types of specimens prepared were Al(0.5 $\mu\textrm{m}$)!Si and Al(0.5 $\mu\textrm{m}$)/Ti(0.1 $\mu\textrm{m}$)$SiO_2$(0.1 $\mu\textrm{m}$)/GaN(2 $\mu\textrm{m}$)/Sapphire. Surface morphology of Al film was analyzed depending on the deposition methods such as sputtering, thermal evaporation, and electron beam evaporation. Without conventional electron lithography, we obtained ordered nano-pattern of porous alumina by in- situ process. Electropolishing of Al layer was carried out to improve the surface morphology and evaluated. Two step anodizing was adopted for ordered regular array of AAO formation. The applied electric voltage was 40 V and oxalic acid was used as an electrolyte. The reference electrode was graphite. Through the optimization of process parameters such as electrolyte concentration, temperature, and process time, a regular array of AAO was formed on Si and sapphire substrate. In case of Si substrate the diameter of pore and distance between pores was 50 and 100 nm, respectively. In case of sapphire substrate, the diameter of pore and distance between pores was 40 and 80 nm, respectively

• 한국레이저가공학회:학술대회논문집
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• 한국레이저가공학회 2003년도 춘계학술발표대회 논문개요집
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• pp.14-17
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• 2003

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 2001년도 하계학술발표회
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• pp.268-269
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• 2001

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 1999년도 제16회 광학 및 양자전자 학술발표회Proceedings of 16th Optics and Quantum Electronics Conference, 1999
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• pp.72-73
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• 1999

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.300.2-300.2
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• 2014

테라헤르쯔(terahertz : THz)파는 0.1~10 THz 의 범위로 적외선과 방송파 사이에 광대역 주파수 스펙트럼을 차지하고 있으며 직진성, 투과성, 그리고 낮은 에너지(meV)를 가지고 있어 비 파괴적이고 무해한 장점을 지니고 있다. Ti:sapphire laser와 같은 femto-pulse source 등이 많은 발전이 되어 현재 많은 연구와 발전이 이루어지고 있다. femto-pulse source를 이용한 THz 응용에서는 높은 저항, 큰 전자이동도, 그리고 아주 짧은 전하수명의 기판을 요구하는데 저온에서 성장한(low-temperature grown : LT) InGaAs는 격자 내에 Gallium 자리에 Arsenic이 치환 하면서 AsGa antisite가 발생하여 전하수명을 짧아지는 것을 응용하여 가장 많이 이용되고 있다. 본 연구에서는 보다 높은 저항을 얻기 위하여 molecular beam epitaxy를 이용하여 semi-insulating InP:Fe 기판위에 격자 정합된 LT-InGaAs:Be/InAlAs multi quantum well (MQW)를 well과 barrier를 가각 $10{\mu}m$ 씩 100주기 성장을 하였고 Ti와 Au를 각각 30, $200{\mu}m$로 dipole antenna를 제작 하였다. 이 때 Ti:sapphire femto-pulse laser (30 fs/90 MHz)를 excitation source로 사용하였을 때 9000 pA로 LT-InGaAs epilayer (180 pA)보다 50배 이상 큰 전류 신호를 얻을 수 있었다. THz 발생과 검출을 초소형, 초경량, 고효율로 하기 위해서는 fiber-optic를 이용해야 하는데 이때 분산과 산란 손실이 가장 적은 1550 nm 대역에서 많은 연구가 이루어 졌다. 780, 1560 nm의 mode-locking laser (90 fs/100 MHz)를 사용하여 현재 많이 이용되고 있는 Ti:sapphire femto-pulse laser와 비교하여 THz 특성 변화를 확인하는 연구를 진행 하고 있다.

• 한국표면공학회지
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• 제44권4호
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• pp.165-171
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• 2011

In this work, handling of sapphire substrate for LED by using an electrostatic chuck was studied. The electrostatic chuck consisted of alumina dielectric, which was doped with 1.2 wt% $TiO_2$. As the volume resistivity of alumina dielectric was decreased, the electrostatic force was increased by Johnsen-Rahbek effect. The narrower width and gap size of electrode led to the stronger electrostatic force. When alumina dielectric with $3.20{\times}10^{11}{\Omega}{\cdot}cm$ resistivity and 3 mm width/1.5 mm gap sized electrode was used, the strongest electrostatic force in this work was obtained, which value reached to ~14.46 gf/$cm^2$ at 2.5 kV for 4-inch sapphire substrate. This results show that alumina electrostatic chuck with low resistivity and fine electrode pattern is suitable for handling of sapphire substrate for LED.

• Journal of the Optical Society of Korea
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• 제2권2호
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• pp.50-53
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• 1998

We report on the spectroscopic investigation of optical-field ionized plasmas in the soft X-ray spectral region. The experiment was carried out by focusing pulses of the high-power Ti:Sapphire laser with an energy of ~ 40 mJ and time duration of ~30 fs into a gas jet of krypton, xenon, and argon from a pulsed nozzle. Strong soft X-ray emission on lines from ionic stages of $Kr^{7+} , Kr^{8+} , Xe^{7+} , Ar^{7+} , and Ar^{8+}$ is reported. The experimental result was found to be in good agreement with theoretical prediction.

• Journal of the Optical Society of Korea
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• 제7권3호
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• pp.139-144
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• 2003

We have characterized the optical parametric chirped-pulse amplification of femtosecond Ti:sapphire laser pulses by using a BBO crystal. It is numerically verified that a high gain and a broad gain bandwidth can be obtained with a 532-nm pump laser. The dependence of the gain profile of OPA on phase matching angles, pump intensity, and crystal length is numerically investigated. Experimental results shows that the temporal fluctuation of a pump laser causes the modulation of an amplified spectrum in OPCPA.

• Journal of the Optical Society of Korea
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• 제14권2호
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• pp.146-151
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• 2010

A comprehensive real-time spectral phase interferometry for direct electric field reconstruction (SPIDER) apparatus for characterizing femtosecond laser pulses is demonstrated. The SPIDER provides the temporal profiles of femtosecond laser pulses, reconstructed at the speed of 3.5 Hz, with parameters of the spectral phase such as group delay dispersion and third-order dispersion. The apparatus is applied successfully to optimize the spectral dispersion of a kHz femtosecond Ti:Sapphire laser by adjusting a grating compressor in real time.