• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제18권11호
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• pp.1028-1032
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• 2005

Liquid crystal (LC) alignment using a photoalignment method by irradiation of polarized ultraviolet (UV) on an alignment layer has been investigated. Photoalignment method exhibits weaker anchoring energy than rubbing method so that we have studied electro-optic characteristics of fringe-field switching (FFS) mode with alignment layers using the photo and rubbing alignment methods. The cell using photo alignment layer shows lower threshold and operation voltage than those using rubbed alignment layer. Also, the former method shows higher transmittance than that of the latter.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2007년도 7th International Meeting on Information Display 제7권1호
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• pp.822-824
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• 2007

This paper investigated a gate driver circuit with amorphous silicon for mobile TFT-LCD. In the conventional circuit, the fluctuation of the off-state voltage causes the fluctuation of gate line voltages in the panel and then image quality becomes worse. Newly designed gate driver circuit with dynamic switching inverter and carry out signal reduce the fluctuation of the off-state voltage because dynamic switching inverter is holding the off-state voltage and the delay of carry signal is reduced. The simulation results show that the proposed a-Si:H gate driver has low noise and high stability compared with the conventional one.

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제49권9호
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• pp.546-551
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• 2000

A micromechanical switch that can be used as a logic gate is described in this paper. This switch consists of fixed input electrodes an output electrode Vcc/GND electrodes and movable plates suspended by crab-leg flexures. for mechanical switching of an electrical signal a parallel plate actuator which comes in contact with output electrode was used. Provided that movable plates are connected to Vcc and a low input voltage(ground signal) is applied to the fixed input electrodes the movable plates are pulled by an electrostatic force between the fixed input electrodes and the movable plates. the proposed micromechanical switch was fabricated by surface micromachining technology with$2\mum$ -thick poly-Si and the measured threshold voltage for ON/OFF switching was 23.5V.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2005년도 춘계학술대회 논문집 디스플레이 광소자 분야
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• pp.118-122
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• 2005

Liquid crystal (LC) alignment using a photoalignment method by irradiation of polarized ultraviolet (UV) on an alignment layer has been investigated. Photoalignment method exhibits weaker anchoring energy than rubbing method so that we have studied electro-optic characteristics of fringe-field switching (FFS) mode with alignment layers using the photo and rubbing alignment methods. The cell using photo alignment layer shows lower threshold and operation voltage than those using rubbed alignment layer. Also. the former method shows higher transmittance than that of the latter.

• 한국광학회지
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• 제12권2호
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• pp.98-102
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• 2001

포화흡수체$Cr^{4+}:YAG$와 유기염료 박막을 사용한 $1.06{\mu}m$ Nd:YAG 공진기에서 수동 큐스위칭 동작시 나타나는 포화흡수체의 포화특성을 분석하였다. 정상모드와 수동 큐스위칭 레이저의 문턱에너지 차이로 광손실을 측정하여 큐스위칭 동작에서 나타나는 포화흡수체의 포화투과도와 불포화 기저상태 밀도수를 분석하였다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제14권2호
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• pp.163-168
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• 2014

Bottom gate thin-film transistors were fabricated using solution processed IGZO channel layers with various gallium composition ratios that were annealed on a hot plate. Increasing the gallium ratio from 0.1 to 0.6 induced a threshold voltage shift in the electrical characteristics, whereas the molar ratio of In:Zn was fixed to 1:1. Among the devices, the IGZO-TFTs with gallium ratios of 0.4 and 0.5 exhibited suitable switching characteristics with low off-current and low SS values. The IGZO-TFTs prepared from IGZO films with a gallium ratio of 0.4 showed a mobility, on/off current ratio, threshold voltage, and subthreshold swing value of $0.1135cm^2/V{\cdot}s$, ${\sim}10^6$, 0.8 V, and 0.69 V/dec, respectively. IGZO-TFTs annealed at $300^{\circ}C$, $350^{\circ}C$, and $400^{\circ}C$ were also fabricated. Annealing at lower temperatures induced a positive shift in the threshold voltage and produced inferior electrical properties.

• 한국광학회지
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• 제10권6호
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• pp.487-493
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• 1999

본 논문에서는 굽은 비선형 도파로를 이용한 솔리톤 결합기의 동작 특성에 대해 알아 보았다. 이 굽은형 솔리톤 결합기는 기존의 솔리톤 결합기와 마찬가지로, 비선형 도파로에서의 솔리톤 방출의 문턱값 효과로 인해 매우 날카로운 스위칭 특성을 갖는다. 또한 이 결랍기의 굽은 구조는 솔리톤 방출을 위해 요구되는 최소 입력 파워의 문턱값을 낮추어 준다. 굽은형 솔리톤 결합기를 통한 파의 전송을 보다 정확하고 실제적으로 수치 해석하기 위해 비선형성의 포화 효과와 매질에서의 손실을 고려하였다. 시뮬레이션 결과는 포화 효과와 손실을 고려하는 것이 비선형 도파로 소자의 해석과 설계에 있어서 매우 중요하다는 것을 보여주고 있다. 이러한 굽은 구조의 적용은 포화 효과와 손실을 고려했을 때, 낮은 문턱값 파워를 가지고 공간 솔리톤을 방출시키는데 유용하다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제46권8호
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• pp.1-5
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• 2009

본 논문에서는 저전압에서 다결정 실리콘(Polycrysta1line Silicon: Poly-Si) 박막 트랜지스터 (Thin Film Transistors: TFTs) 의 문턱전압(threshold voltage)의 불균일성을 보상한 새로운 AMOLEDs(Active Matrix Organic Light Diodes) 구동 회로를 제안한다, 제안한 회로는 6개의 스위칭, 1개의 드라이빙 TFT와 1개의 저장 콘덴서로 구성되어 있으며, SPICE 시뮬레이션을 통해 구동회로의 동작을 검증하였다. 시뮬레이션 결과 5V정도의 낮은 구동 전압($V_{DD}$)에서 제안한 화소 구동회로의 OLED 출력 전류는 0.8%정도의 오차를 갖는 반면 기본적인 구동회로의 경우 약20%정도의 오차를 갖는 것을 확인할 수 있었다. 본 논문에서 제안한 화소 구동회로는 OLED의 전류를 결정하는 driving TFT의 threshold voltage 변화에 따른 전류의 변화를 성공적으로 보상하였고, 안정화된 전류를 OLED를 흘려주어 기본적인 화소 회로가 가지고 있던 불균일화의 문제를 해결함을 알 수 있다.

• 한국전자통신학회논문지
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• 제8권2호
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• pp.207-212
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• 2013

본 논문에서는 n-채널 저온 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 문턱전압 변동을 보상할 수 있는 전압 기입 AMOLED 화소회로를 제안하였다. 제안한 6T1C 화소회로는 5개의 스위칭 박막 트랜지스터, 1개의 OLED 구동 박막 트랜지스터 및 1개의 정전용량으로 구성되어 있다. SmartSpice 시뮬레이션 결과, 구동 트랜지스터의 문턱전압이 ${\pm}0.33$ V 변동시 최대 OLED 전류의 오차율은 7.05 %이고 Vdata = 5.75 V에서 OLED 양극 전압 오차율은 0.07 %로 제안한 6T1C 화소회로가 구동 트랜지스터의 문턱전압 변동에도 균일한 OLED 전류를 공급함을 확인하였다.

• 한국전자통신학회논문지
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• 제11권2호
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• pp.159-164
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• 2016

무선통신시스템은 한정된 에너지를 갖는 배터리를 사용하기 때문에 저전력 회로로 구현되어야 하며, 이를 위하여 주파수와 상관없이 일정한 전력을 나타내는 전류모드 회로가 연구되어왔다. 본 논문에서는 초저전력 동작이 가능하도록 Dynamic Voltage Scaling 전원을 유도하며, 전류모드 신호처리 중 메모리 동작에서 저장된 에너지가 누설되는 Clock-Feedthrough 문제를 최소화하는 전류메모리 회로를 제안한다. $0.35{\mu}m$ 공정의 BSIM3 모델로 Near-threshold 영역의 전원 전압을 사용한 시뮬레이션을 진행한 결과, 1MHz의 스위칭 동작에서 $2{\mu}m$의 메모리 MOS Width, $0.3{\mu}m$의 스위치 MOS Width, $13{\mu}m$의 Dummy MOS Width로 설계할 때, Clock-Feedthrough의 영향을 최소화시킬 수 있었으며 1.2V의 Near-threshold 전원전압에서 소비전력은 $3.7{\mu}W$가 계산되었다.