The In2S3 thin films of tetragonal structure and In2O3 films of cubic structure were synthesized by a spin coating method from the organometallic compound precursor triethylammonium indium thioacetate ($[(Et)_3NH]^+[In(SCOCH_3)_4]^-$; TEA-InTAA). In order to determine the electron mobility of the spin-coated TEA-InTAA films, thin film transistors (TFTs) with an inverted structure using a gate dielectric of thermal oxide ($SiO_2$) was fabricated. These devices exhibited n-channel TFT characteristics with a field-effect electron mobility of $10.1cm^2V^{-1}s^{-1}$ at a curing temperature of $500^{\circ}C$, indicating that the semiconducting thin film material is applicable for use in low-cost, solution-processed printable electronics.
Two classes of morpholino-substitued thioacetate have been successfully synthesized and their electrochemical properties of self-assembled monolayers (SAMs) on Au electrode are measured by cyclic voltammetry (CV) and electrochemical impedance spectroscopy (EIS). The barrier property of the SAMs-modified surfaces is evaluated by using potassium ferro/ferri cyanide. The results suggest that the arenethioacetate forms higher-quality close-packed blocking monolayers in comparison with alkanethioacetate. Furthermore, it has shown that the barrier properties of these monolayers can be significantly improved by mixed SAMs formation with decanethiol. From our experimental results we find that the electron transfer reaction of $[Fe(CN)_6]^{3/4-}$ redox couple occurs predominantly through the pinholes and defects present in the SAM and both SAMs show a good and fast capacity in recognition for $Ag^+$. The morphological and elementary composition have also been examined by scanning electron microscope (SEM) and energy dispersive spectrometer (EDS).
Zinc oxysulfide nanocrystals (ZnOS NCs) were synthesized by forming ZnS phase on a ZnO matrix. ZnO nanocrystals (NCs) with a diameter of 10 nm were synthesized by forced hydrolysis in an organic solvent. As-synthesized ZnO NCs aggregated with each other due to the high surface energy. As acetic acid (AA) was added into the milky suspension of the aggregated ZnO NCs, transparent solution of well dispersed ZnO NCs formed. Finally ZnOS NCs were formed by adding thioacetic acid (TAA) to the transparent solution. The effect of recrystallization on the structural, optical and electrical properties of the ZnOS NCs were studied. The results of UV-vis absorption confirmed the band gap tunability caused by increasing the curing temperature of ZnOS thin films. This may have originated from the larger effective size due to the recrystallization of zinc sulfide (ZnS). From XRD result we identified that ZnOS thin films have a zinc blende crystal structure of ZnS without wurtzite ZnO structure. This is probably due to the small amount of ZnO phases. These assertions were verified through EDS of FE-SEM, XPS and EDS mapping of HR-TEM results; we clearly proved that ZnOS were comprised of ZnS and ZnO phases.
Furoxanthiols PFT and BPFT possessing thiomethyl or thiobenzyl groups in the furoxan ring were designed and synthesized as potential light-sensitive alkyne precursors on a gold surface. The synthesis of thiofuroxans PFT and BPFT was performed from the corresponding halofuroxans 1b and 2c, respectively, by the substitution with potassium thioacetate in ethyl acetate/ethanol or DMF, followed by basic hydrolysis as the key reactions. Electron-beammediated fragmentation of furoxans 1c and 2d in a mass spectrometer afforded the corresponding aryl alkyne fragments, with the evolution of NO in high preference. In the cases of thiofuroxans PFT and BPFT, carbon-sulfur bond cleavage was observed as a representative fragmentation, producing M-SH and M-SAc peaks, which competed with the release of NO. In the fragmentation of mono-aryl furoxan 1c, the release of molecule of NO was predominately observed to produce an M-NO fragment as a base peak by the formation of trimembered thiiranium or azirine intermediate.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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