• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2001년도 하계종합학술대회 논문집(2)
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• pp.213-216
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• 2001

The use of a thin film of indium between the ITO and the $n^{+}$-InP contact layers for InP/InGaAs HPTs was studied without degrading its excellent optical transmittance properties. ITO/$n^{+}$-InP ohmic contact was successfully achieved by the deposition of Indium and thermal annealing. The specific contact resistance of about 6.6$\times$$10^{-4}$$\Omega\textrm{cm}^2$ was measured by use of the transmission line method (TLM). However, as the thermal annealing was just performed to ITO/$n^{+}$-InP contact without the deposition of Indium between ITO and $n^{+}$-InP, it exhibited schottky characteristics. In the applications, the DC characteristics of InP/InGaAs HPTs with ITO emitter contacts was compared with that of InP/InGaAs HBTs with the opaque emitter contacts.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2004년도 춘계학술대회 논문집 반도체 재료 센서 박막재료 전자세라믹스
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• pp.133-136
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• 2004

In this study, the characteristics of 3C-SiC ohmic contact were investigated. Titanium-tungsten(TiW) films were used for contact metalization. The ohmic contact resistivity between 3C-SiC and TiW was measured by HP4155 and then calculated with the circular transmission line method(C-TLM). And also the physical properties of TiW and the interface between TiW and 3C-SiC were analyzed using XRD and AES. TiW films make a good role of a diffusion barrier and their contact properties with 3C-SiC are stable at high temperature.

• Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
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• 제40권4호
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• pp.353-361
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• 2016

본 연구에서는 소형화된 투명 플렉시블 무선통신소자 구현을 위해, 주기적 접지구조를 가지는 fishbone 형태의 전송선로를 PES (polyether sulfone) 박막상에 제작하였으며, 이에 관한 RF 특성을 고찰하였다. PES 상의 주기적 접지구조를 가지는 fishbone 형태의 전송선로는 종래의 전송선로에 비해 축소된 파장특성을 보여주었으며, 50 GHz의 주파수에서 선로파장은 1.91 mm으로, 종래의 코프레너 선로의 48.5%이다. 삽입손실 측정결과에 의하면 주기적 접지구조를 가지는 fishbone 형태의 전송선로는 40 GHz 까지의 주파수 범위에서 1.75 dB보다 낮은 저손실특성을 보여주었다. 대역폭 추출결과에 의하면, 주기적 접지구조를 가지는 fishbone 형태의 전송선로는 통과대역이 250 GHz인 광대역 특성을 보였다. 제안된 구조의 전송선로에 대한 특성임피던스 추출결과에 의하면, 제안된 구조의 전송선로는 종래의 주기적 선로구조에 비해 양호한 주파수 특성을 보여주었으며, 이로 인해 광대역의 전송선로 및 광대역 분포형 수동소자에 이용될 수 있음을 알 수 있었다. 그리고, 주기적 접지구조를 가지는 fishbone 형태의 전송선로는 종래의 전송선로에 비해 낮은 임피던스 특성을 보였으며, 이로 인해 좁은 선로폭으로 낮은 특성임피던스를 가지는 선로를 구현할 수 있었으며, 이는 RF 회로상의 점유면적을 줄이는데 크게 기여하였다.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제16권9호
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• pp.6221-6226
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• 2015

광통신시스템에서 효율적인 광전송을 위해서는 광섬유와 필름 도파로사이에 효율적인 결합이 필요하다. 광섬유와 필름 도파로를 직접연결하면 광섬유와 필름 도파로간의 크기 및 모양의 차이로 인한 필드 프로필의 불일치로 인하여 연결부위에서 많은 광손실이 발생하기 때문에 광효율이 저하된다는 문제점이 존재한다. 이에 본 논문에서는 광섬유와 광도파로의 직접 연결 시 발생하는 효율의 저하를 막기 위해 광섬유와 광도파로를 연결하는 Y-branch를 설계하고 제작하였다. Y-branch의 해석방법으로는 많은 광도파로의 해석법 중 가장 간단하고 적용이 쉬운 섭동궤환방법을 사용하였다. 해석된 결과를 이용하여 $LiNbO_3$ 에 Ti를 확산시키는 방법을 통하여 Y-branch를 제작하여 측정을 실시하였다. 측정은 $1550{\mu}m$ LD레이저 광원을 이용하여 커플러를 통하여 광이 입사하도록 구성한 후 출련단에서 광신호의 near field mode를 측정하였다. 이를 통하여 Y-branch를 통해 입사하는 광의 입사조건을 변화시켜도 고차모드들은 모두 제거되고 기본 모드만 유지되고 있는 특성을 확인하였다.

• 한국정보통신설비학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신설비학회 2003년도 하계학술대회
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• pp.286-288
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• 2003

In this paper, in order to obtain a large differential phase shift with a little change in applied voltage, a ferroelectric reflective load circuit has been designed on top of barium strontium titanate $(Ba,Sr)TiO_3$ [BST] thin film. The design of the ferroelectric reflection-type phase shifter is based on a reflection theory of terminating circuit, which has a reflection-type analogue phase shifter with two ports terminated in symmetric phase-controllable reflective networks. To achieve large amounts of phase shift in low bias-voltage range, the effects of change of capacitance and transmission line connected with two coupled ports of a 3-dB $90^{\circ}$ branch-line hybrid coupler have been investigated. A large phase shift with a small capacitance change in the parallel terminating circuit has been demonstrated in the paper.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2007년도 제38회 하계학술대회
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• pp.1313-1314
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• 2007

This paper presents organic thin-film transistors (OTFTs) with poly(3-hexylthiophene)(P3HT) semiconductor and several polymeric dielectric materials of poly(vinyl phenol)(PVP), poly(vinyl alcohol)(PVA), and polyimide(PI) by using soluble process. The fabricated OTFT's have inverted staggered structure using transmission line method(TLM) pattern. In order to evaluate the electrical characteristics of the OTFT, capacitance-voltage(C-V) and current-voltage(I-V) were measured. C-V graphs were measured at several frequencies of 100 Hz, 1 kHz, and 1 MHz and ID-VDS graphs according to $V_{GS}$. The current on/off ratio and threshold voltage with each of PVP, PVA, and PI based OTFTs were measured to $10^3$, and -0.36, -0.41, and -0.62 V. Also, the calculated mobility with each of PVP, PVA, and PI was 0.097, 0.095, and 0.028 $cm^{2}V^{-1}s^{-1}$, respectively. In the cases of PVP and PVA, the hole mobility of P3HT was in excellent agreement with the published value of 0.1 $cm^{2}V^{-1}s^{-1}$.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제41회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.260-260
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• 2011

투명 비정질 산화물반도체는 디스플레이의 구동소자인 박막 트랜지스터에 채널층으로 사용된다. 또한 투명하면서 유연성이 있는 소자를 저비용으로 제작할 수 있는 장점을 가진다. 투명 산화물반도체 재료 중 IGZO는 Si 또는 GaAs와 같은 공유결합성 반도체와는 다른 전자 배치로 전도대가 금속이온의 ns 궤도에서 형성되며, 가전도대가 산소 음이온의 2p 궤도에서 형성된다. 특히 큰 반경의 금속 양이온은 인접한 양이온과 궤도 겹침이 크게 발생하게 되며 캐리어의 효과적인 이동 경로를 제공해줌으로써 다른 비정질 반도체와는 다르게 높은 전하이동도(~10 $cm^2$/Vs)를 가진다. 따라서 저온공정에서 우수한 성능의 TFT소자를 제작할 수 있는 장점이 있다. 본 연구에서는 TFT 채널층으로 사용하기 위한 a-IGZO박막의 산소분압에 따른 특성변화를 분석 하였다. a-IGZO박막은 Pulsed Laser Deposition (PLD)를 이용하여 산소분압(20~200 mTorr) 변화에 따라 Glass기판에 증착하였다. 증착된 a-IGZO 박막의 구조적 특성으로는 X-ray diffraction (XRD), Field emission scanning electron microscopy (FE-SEM), 광학적 특성은 UV-vis spectroscopy 분석을 통해서 알아보았다. TFT 채널층의 조건으로는 낮은 off-current, 높은 on-off ratio를 위해 고저항 ($10^3\;{\Omega}cm$)의 진성반도체 성질과 source/drain금속과의 낮은 접촉저항(ohmic contact) 등의 전기적 성질이 필요하다. 따라서 이러한 전기적 특성확인을 위해 transmission line method (TLM)을 사용하여 접촉저항과 비저항을 측정하였고, 채널층으로 적합한 분압조건을 확인해볼 수 있었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 하계학술대회 논문집 Vol.4 No.2
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• pp.834-837
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• 2003

In this study, Ohmic contacts make on 3C-SiC using TiN. Ohmic contact resistivity of TiN/3C-SiC was evaluated. Specific contact resistance was calculated by Circular-TLM(transmission line model) method and physics properties were measured using XRD, SEM, respectively. TiN contact is stable at high temperatures and a good diffusion barrier material. The TiN/3C-SiC contacts are thermally stable to annealing temperatures up to $1000^{\circ}C$. The TiN thin-film depostied on 3C-SiC substraes have good electrical properties. Therefore, the TiN/3C-SiC contact can be usefully applied for high-temperature MEMS applications over $500^{\circ}C$.

• Current Photovoltaic Research
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• 제8권3호
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• pp.102-106
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• 2020

In this paper, the effect of MoSe₂ on the contact resistance (R_C) of the transparent conducting oxide (TCO) and Mo junction in the scribed P2 region of the Cu(In,Ga)Se₂ (CIGS) solar module was analyzed. The CIGS/Mo junction becomes ohmic-contact by MoSe₂, so the formation of the MoSe₂ layer is essential. However, the CIGS solar module has a TCO/MoSe₂/Mo junction in the P2 region due to structural differences from the cell. The contact resistance (R_C) of the P2 region was calculated using the transmission line method, and MoSe₂ was confirmed to increase R_C of the TCO/Mo junction. B doped ZnO (BZO) was used as TCO, and when BZO/MoSe₂ junction was formed, conduction band offset (CBO) of 0.6 eV was generated due to the difference in their electron affinities. It is expected that this CBO acts as a carrier transport barrier that disturbs the flow of current, resulting in increased R_C. In order to reduce the R_C caused by CBO, MoSe₂ must be made thin in a CIGS solar module.

• 대한전자공학회논문지TE
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• 제37권1호
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• pp.70-78
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• 2000

초전도체를 초고주파 소자에 응용하려고 할 경우, 초전도 전자기학의 불확실함이나 초전도 기판의 돈도 의존성은 산업 응용을 위한 안테나를 제작하는데 있어 어려움을 준다. 따라서 실제 응용을 위해서는 일반 안테나와 비교하여 정확하고 자세한 특성이 알려져야만 한다. 본 논문에서는 금 안테나와 초전도 안테나의 비교 연구를 수행하였으며 반사 손실, 특성임피던스, 효율 및 다른 다양한 특성들을 보고하였다. 본 연구에 사용된 고온초전도 박막은 $YBa_2Cu_3O_{7-x}$ (YBCO)/MgO 이며 초전도 안테나는 마이크로스트립 급전선을 방사 패치의 50 ${\Omega}$ 영역에 결합시키는 형태로 만들어졌다. 금 안테나와 초전도 안테나의 측정 결과는 이러한 구조를 이용하여 유용한 안테나가 제작될 수 있음을 보여주었다.