When dealing with a Lie group or, in general, with an analytic loop or quasigroup, its symmetry is broken by the election of the distinguished identity element.
Kim, Tae Jeong;Jeong, Bo Ock;Koh, Jeong Yoon;Kim, Seok;Jung, Yongju
Bulletin of the Korean Chemical Society
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v.35
no.5
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pp.1299-1304
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2014
The electrochemical performance of Li-S cells was investigated in various ternary electrolyte solutions composed of 1,2-dimethoxyethane (DME), tetra(ethylene glycol) dimethyl ether (TGM), and 1,3-dioxolane (DOX). The discharge capacity values and cycle data obtained at each composition were statistically treated with the Minitab program to obtain mixture contour plots, from which the optimal composition of the ternary solvent systems was predicted. The discharge capacities and capacity retention were quite dependent on the electrolyte composition. It was estimated from the contour plots of the capacity at 1.0 C that the discharge capacity sharply increased with a decrease in the TGM content. High capacities greater than 900 mAh/g at 1.0 C were expected for the electrolyte composition with a volume ratio of DME/TGM/DOX = 1/0/1. In contrast, it was predicted from the mixture contour plot of the capacity retention that the cycle performance would significantly increase with an increase in the DME content.
Nakaima, Kazuno;Ujihara, Toru;Miyashita, Satoru;Sazaki, Gen
Proceedings of the Korea Association of Crystal Growth Conference
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1999.06a
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pp.81-114
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1999
The strain, surface and inerfacial energies of III-V ternary systems were calculated for three kinds of structure modes: the Frank-van der Merwe (FM) mode, the Stranski-Krastanov (SK) mode an the Volmer-Wever (VW) mode. The free energy for each mode was estimated as functions of the thickness and composition or lattice misfit. Through comparison of the free energy of each mode, it was found that the thickness-composition phase diagrams of III-V ternary systems can be determined only by considering the balance of the free energy and three kinds of structure modes appear in the phase diagrams. The SK mode appears only when the lattice misfit is large and/or the lattice layer is thick. The most stable structure of the SK mode is a cluster with four lattice layers or minimum thickness on a wetting layer of increasing lattice layers. The VW mode appears when the lattice misfit is large and the lattice layer is thin and only in the InPSb/InP and GaPSb/GaP systems which have the largest lattice misfit of III-V ternary systems. The stable region of the SK mode in the GaPSb/GaP and InPSb/InP phase diagrams is largest of all because the composition dependence of the strain energy of these systems is stronger than that of the other systems. The critical number of lattice layers below which tow-dimensional (2D) layers precede the three-dimensional (3D) nucleation in the SK mode at x=1.0 depnds on the lattice misfit.
Al-Cr-Si ternary quench ribbons are fabricated using a single roll method and investigated for their structural and thermal properties. In particular, the sinterability is examined by pulse current sintering to obtain the following results. The Al74Cr20Si6 composition becomes a quasicrystalline single phase; by reducing the amount of Cr, it becomes a two-phase mixed structure of Al phase and quasicrystalline phase. As a result of sintering of Al74Cr20Si6, Al77Cr13Si10 and Al90Cr6Si4 compositions, the sintering density is increased with the large amount of Al phase; the sintering density is the highest in Al90Cr6Si4 composition. In addition, as a result of investigating the effects of sintering temperature and pressurization on the sintered density of Al90Cr6Si4, a sintered compact of 99% or more at 513 K and 500 MPa is produced. In particular, since the Al-Cr-Si ternary crystal is more thermally stable than the Al-Cr binary quaternary crystal, it is possible to increase the sintering temperature by about 100 K. Therefore, using an alloy of Al90Cr6Si4 composition, a sintered compact having a sintered density of 99 % or more at 613 K and 250 MPa can be manufactured. It is possible to increase the sintering temperature by using the alloy system as a ternary system. As a result, it is possible to produce a sintered body with higher density than that possible using the binary system, and at half the pressure compared with the conventional Al-Cr binary system.
PtRu based and PtSn based ternary catalysts were prepared by a conventional impregnation method using NaBH4 as reducing agent. The alloy formation, crystalline size and chemical composition of the in-house catalysts were determined by XRD, TEM and EDX, respectively. The chemical compositions of in-house catalysts were quite similar to the nominal value and good alloy formations were also observed. Further, crystalline sizes of ternary catalysts were comparatively smaller than binary catalysts and were approximately 3.5 ~ 5.5 nm. The electrochemical measurements were carried out in the solution 1 M $H_2SO_4$ with 1 M $C_2H_5OH$ at room temperature. LSV results obtained that ternary catalysts were higher current densities and specific activities. Especially, in case of tungsten addition system, Pt5Sn4W/C have the highest specific activities values and was approximately 21.2 and 3.1 times higher than that of PtRu/C and PtSn/C electrocatalyst.
Kim, Young-Jun;Yang, Hyeon-Hun;Park, Joung-Yun;Jeong, Woon-Jo;Park, Gye-Choon
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2005.11a
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pp.258-259
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2005
[ $CuInSe_2$ ] thin films were fabricated at various fabrication conditions (substrate temperature, sputtering pressure, BC/RF power, vapor deposition, heat treatment). And structural and electrical properties were measured in order to certify optimum conditions for growth of the ternary compound semiconductor $CuInSe_2$ thin films with stoichiometric composition. $CuInSe_2$ thin film was well made at the heat treatment of 500[$^{\circ}C$] of SLG/Cu/In/Se stacked elemental layer which was prepared by sputter and thermal evaporator, and chemical composition of the thin film was analyzed nearly as the proportion of 1 : 1 : 2. At the same time, carrier concentration, hall mobility and resistivity of the thin films was $1.27\sim9.88\times10^{17}[cm^{-3}]$, $49.95\sim185[cm^2/V{\cdot}s]$ and $10^{-1}\sim10^{-2}[\Omega{\cdot}cm]$, respectively
Ceramide III was prepared by the cultivation of Saccharomyces cerevisiae. Ceramide III was partitioned from the cell extracts by solvent extraction and analyzed by Normal Phase High Performance Liquid Chromatography (NP-HPLC) using Evaporative Light Scattering Detector (ELSD). We experimentally determined the mobile phase composition to separate ceramide III with NP-HPLC. Three binary mobile phases of n-hexane/ethanol, n-hexane/lsoprophyl Alcohol(IPA) and n-hexane/n-butanol and one ternary mobile phase of n-hexane/IPA/methanol were demonstrated. For the binary mobile phase of n-hexane/ethanol, the first mobile phase composition, 95/5(v/v), was step-increased to 72/23(v/v) at 3 min. In the binary mobile phase, the retention time of ceramide III was 7.87min, while it was 4.11 min respectively in the ternary system, where the mobile phase composition of n-hexane/IPA/methanol, 85/7/8(v/v/v), was step-increased to 75/10/15(v/v/v) at 3 min. However, in the ternary mobile phase, the more peak area of ceramide III was observed.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2013.02a
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pp.93-93
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2013
In recent years, multifunctional ternary nitride thin films have received extenstive attention due to its versatility in many applications. In particular, noble metal based ternary nitride thin films showed a promising properties in the application of Multifunctional heating resistor films because its good electrical properties and excellent resistance against oxidation and corrosion. In this study, we prepared multifunctional noble metal based ternary nitride thin films by atomic layer deposition (ALD) and plasma-enhanced ALD (PEALD) method. ALD and PEALD techniques were used due to their inherent merits such as a precise composition control and large area uniformity, which is very attractive for preparing multicomponent thin films on large area substrate. Here, we will demonstrate the design concept of multifunctional noble metal based ternary thin films. And, the relationship between microstructural evolution and electrical resistivity in noble metal based ternary thin films will be systemically presented. The useful properties of noble metal based ternary thin films including anti-corrosion and anti-oxidation will be discussed in terms of hybrid functionality.
Journal of the Korea institute for structural maintenance and inspection
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v.24
no.2
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pp.41-49
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2020
To improve the problem of strength reduction of unary and binary blended non-cement concrete that occur at room temperature, comparative analysis was conducted based on the slump and compressive strength properties of ternary blended non-cement concrete in which cement was replaced with silica fume, fly ash, and blast furnace slag, and the following conclusions were drawn. The ternary blended non-cement concrete showed higher compressive strength than binary binder concrete, and the slump reduction was less when 10% silica fume was mixed. In addition, the appropriate composition ratio range of each by-product was suggested according to slump and compressive strength level based on ternary diagram.
Nakajima, Kazuo;Ujihara, Toru;Miyashita, Satoru;Sazaki, Gen
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.9
no.4
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pp.387-395
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1999
The strain, surface and interfacial energies of III-V ternary systems were calculated for three kinds of structure modes: the Frank-van der Merwe(FM) mode, the Stanski-Krastanov(SK) mode and the Volmer-Weber(VW) mode. The free energy for each mode was estimated as functions of thickness and composition or lattice misfit. Through comparison of the free energy of each mode, it was found that the thickness-composition phase diagrams of III-V ternary systems can be determined only by considering the balance of the free energy and three kinds of structure modes appear in the phase diagrams. The SK mode appears only when the lattice misfit is large and/or the lattice layer is thick. The most stable structure of the SK mode is a cluster with four lattice layers or minimum thickness on a wetting layer of increasing lattice layers. The VW mode appears when the lattice misfit is large and the lattice layer is thin and only in the INPSb/InP and GaPSb/GaP system which have the largest lattice misfit of III-V ternary systems. The stable region of the SK mode in the GaPSb/GaP and InPSb/InP phase diagrams is largest of all because the composition dependence of the strain energy of these systems is stronger than that of the other systems. The critical number of lattice layers below which two-dimensional(2D) layers precede the three-dimensional(3D) nucleation in the SK mode at x=1.0 depends on the lattice misfit.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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