The common-source low noise amplifier(LNA) with inductive degeneration using a genetic algorithm is designed and tested for a down converter in an industrial, scientific and medical (ISM) band application and a wireless broadband internet service (WiBro). The genetic algorithm optimizes the reflection coefficients to be well matched the input and output ports between multistage transistor amplifiers, and it generates low voltage standing wave ratio as well as gain flatness of the amplifier. The stability and the gain flatness of the LNA have been improved by combining the matching circuits and the series feedback microstrip lines with inductive degeneration at common-source port. In the frequency range of ISM band and WiBro application operating at $2.3GHz{\sim}2.5GHz$, the measured power gain and maximum voltage standing wave ratio (VSWR) of the LNA are $41{\pm}0.5dB$ and 1.3, and the noise figure of the LNA is lower than 0.85dB. The above results are agreed well with the theoretical values of the amplifiers.
Journal of The Institute of Information and Telecommunication Facilities Engineering
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v.8
no.4
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pp.182-194
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2009
The optical fiber subscriber receive communication system is multimedia home network core technology because it is providing the high-level data quality and service. Therefore, it is required to analyze and research this communication system. This paper presents the theoretical background of the optical fiber subscriber receive system for the purpose of understanding the optical communication system principle, and then explain the flow of signal process of each block divided for ASIC implementation.
Journal of information and communication convergence engineering
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v.2
no.4
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pp.205-208
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2004
In this paper, we analyzed the performance of SDR-based dual-band CDMA system in wideband multipath channel employing RAKE receiver with MRC diversity. For the simulation of SDR-based dual-band CDMA system, we used digital IF techniques, polyphase analysis filter bank as channelizer. Also, Remez exchange algorithm is employed in the realization of the digital filter in the polyphase analysis filter bank. For performance analysis of dual-band CDMA system, we consider power loss of IF signal after passing through channel and the filter. Also, the performance for different sampling rates is analyzed.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2004.07b
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pp.574-577
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2004
A coupler is a microwave passive component used for power coupling or dividing. Regarding the trend of current telecommunication systems it is highly desirable for monolithic integration of passive components as such LTCC(Low temperature cofired ceramics) technology offers potential advantage in size, cost and performance. Utilizing LTCC technology a 2012 size type dual band coupler for DCS and EGSM band was fabricated. Its characteristics such as coupling, insertion loss, isolation and directivity was measured and compared with simulation results
The Transactions of The Korean Institute of Electrical Engineers
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v.62
no.12
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pp.1719-1724
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2013
In this paper, a size-reduction technique is presented for the RFID reader antenna working at two UHF bands. To tackle the problem of size increase in multi-band applications, two resonance paths are made to occur in one geometry with a single feed. While one resonance path is combined with the other, the entire geometry is determined to guarantee the resonance at the target frequencies through the dual-band input impedance matching. The antenna performance is predicted by the full-wave simulation, and the design method is verified by observing the good agreement between the simulated and measured results. At the two frequencies, the satisfactory return loss as well as the antenna efficiency and peak gain of the far-field pattern is obtained.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea TC
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v.48
no.9
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pp.54-58
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2011
In this paper a dual-band Class-E power amplifier using Composite Right-/Left-Handed transmission lines and PIN diode is proposed. Dual-band operation is achieved by the frequency offset and nonlinear phase slope of CRLH TL for the matching network of power amplifiers. The proposed power amplifier has been realized by using in the input and the output matching network for high power added efficiency. PIN diode has been used to obtain the dual-band of power amplifier. The measured results show that output powers of 42.17 dBm and 41.43 dBm were obtained at 800 MHz and 1900 MHz, respectively. At this frequency, we have obtained the power-added efficiency(PAE) of 67.84 % and 65.31 % in two operation frequencies, respectively.
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.18
no.12
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pp.1402-1407
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2007
This paper presents a new design method of the Ultra-Wide-Band BandPass Filter using the CRLH-TL(Composite Right- and Left-Handed Transmission-line) having the Metamaterials' properties. Instead of the periodic type or many cells of the CRLH-TL, only the unit cell is used to miniaturize the target component, which can not be realized by the conventional quarter guided-wavelength resonator-based filters. Particularly, the strong coupling essential to the Ultra Wide Band is enabled by the interdigital coupled lines between the grounded stubs. The proposed design scheme is validated by the electromagnetic simulation and measurement of the fabricated filter which shows the total size of 'the guided-wavelength/9.4', the 100 % fractional bandwidth for the UWB, the insertion loss of less than 1 dB and the flat group-delay.
This paper proposes a noise suppression method through SNR (Singal-to Noise Ratio) estimation in the two microphone array environment of close spacing. The conventional method uses a noise suppression method for a gain function obtained through the SNR estimation based on coherence function from full band. However, this method cause performance decreased by the noise damage that affects all the feature vector component. So, we propose a noise suppression method that allocates a frequency domain signal into N constant multi frequency band and each frequency band gets a gain function through SNR estimation based on coherence function. Performance evaluation of the proposed method is shown by comparison with PESQ (Perceptual Evaluation of Speech Quality) value which is an objective quality evaluation method provided by the ITU-T (International Telecommunications Union Telecommunication).
Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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v.12
no.6
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pp.984-989
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2008
In this paper, we will design a 800MHz broadband antenna after a problem of the narrow bandwidth is improved. This multiple band antenna unifies the CDMA(Code Division Multiple Access), GSM(Global System for Mobile Telecommunication) and TRS(Trunked Radio System) band in the UHF band, and then it is possible at the shore base station or repeater as the commercial use. It used the duplex resonance effect it had the L-shared feeding structure which adds the U-slot. And it improved profit using stack structure. It was measured that the frequency bandwidth of the designed antenna which is planed $792{\sim}1040MHz$ with 248MHz(33%). And the antenna gain is 9.4dBi, 3dB beam width $60^{\circ}$ in radiation pattern.
As the 5G service market is expected to grow rapidly, the development of high-power, high-efficiency power amplifiers for the 5G communication infrastructure is indispensable. Gallium nitride (GaN) is attracting great interest as a key device in power devices and integrated circuits due to its wide bandgap, high carrier concentration, high electron mobility, and high-power saturation characteristics. In this study, we investigate the technology trends of Ka-band GaN radio frequency (RF) power devices and integrated circuits for operation in the millimeter-wave band of recent 5G mobile communication services. We review the characteristics of GaN RF high electron mobility transistor (HEMT) devices to implement power amplifiers operating at frequencies around 28 GHz and compare the technology of foreign companies with the device characteristics currently developed by the Electronics and Telecommunication Research Institute (ETRI). In addition, the characteristics of Ka-band GaN monolithic microwave integrated circuit (MMIC) power amplifiers manufactured using various GaN HEMT device technologies are reviewed by comparing characteristics such as frequency band, output power, and output power density of integrated circuits. In addition, by comparing the performance of the power amplifier developed by ETRI, the current status and future direction of domestic GaN power devices and integrated circuit technology will be discussed.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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