• ETRI Journal
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• 제23권4호
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• pp.151-157
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• 2001

Spectroscopic and thermal analysis indicates that tellurite glasses doped with $B_2O_3$ and $GeO_2$ are promising candidate host materials for wide-band erbium doped fiber amplifier (EDFA) with a high 980 nm pump efficiency. In this study, we measured the thermal stabilities and the emission cross-sections for $Er^{3+}:^{4}I_{13/2}\;{\to}\;^{4}I_{15/2}$ transition in this tellurite glass system. We also determined the Judd-Ofelt parameters and calculated the radiative transition rates and the multiphonon relaxation rates in this glass system. The 15 mol% substitution of $B_2O_3$ for $TeO_2$ in the $Er^{3+}-doped\;75TeO_2-20ZnO-5K_2O$ glass raised the multiphonon relaxation rate for $^4I_{11/2}\;{\to}\;^4I_{13/2}$ transition from 4960 $s^{-1}$ to 24700 $s^{-1}$, but shortened the lifetime of the $^4I_{13/2}$ level by 14 % and reduced the emission cross-section for the $^4I_{13/2}\;{\to}\;^4I_{15/2}$ transition by 11%. The 15 mol% $GeO_2$ substitution in the same glass system also reduced the emission cross-section but increased the lifetime by 7%. However, the multiphonon relaxation rate for $^4I_{11/2}{\to}^4I_{13/2}$ transition was raised merely by 1000 $s^{-1}$. Therefore, a mixed substitution of $B_2O_3$ and $GeO_2$ for $TeO_2$ was concluded to be suitable for the 980 nm pump efficiency and the fluorescence efficiency of $^4I_{13/2}{\to}^4I_{15/2}$ transition in $Er^{3+}-doped$ tellurite glasses.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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• pp.181-182
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• 2011

Phase-change materials can be cycled by exposure to laser beam, and as a function of the pulse intensity and duration, the laser beam triggers the switching from crystalline to amorphous phase and back. In other to progress better crystallization transition and amorphization long phase-transformation data of phase-change memory (PRAM), we investigated about the effect of Sb doping and Ag ions percolating into Ge-Se-Te phase-change material. Doped Sb concentrations was determined each of 10, 20 and 30 wt%. As the Sb-doping concentration was increased, the resistivity decreased and the crystallization temperature increased. Ionization of Ag was progressed by DPSS laser (532 nm) for 1 hour. The resistivity was more decreased and the crystallization temperature was more increased in case of adding Ag layer under Sb-(Ge-Se-Te) thin film. At the every condition of thin films included Ag layer more stable states were indicated compare with just Sb-doped Ge-Se-Te thin films.

• Journal of Magnetics
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• 제10권4호
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• pp.149-151
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• 2005

The electric properties of a single crystal bismuth telluride doped with a small concentration of Erbium, $Bi_{z-x}Er_xTe_3$ with x = 0.002, are investigated as a function of temperature. The resistivity was obtained by using the van der Pauw method. The measured electrical resistivity is 78 ${\mu}{\Omega}cm$ at 4.2 K. The charge density of $Bi_{z-x}Er_xTe_3$ is found to be $2{\times}10^{19}/cm^3$ at 4.2 K. It turns out that $Bi_{z-x}Er_xTe_3$ is a p-type semiconductor. It is discussed that the high mobility and less density support that $Bi_{z-x}Er_xTe_3$ is a potential sensor with high energy resolution. Comparison with an established material (i.e. Au:Er alloy) is also discussed.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 1996년도 재료학회 추계학술발표회
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• pp.21-21
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• 1996

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2009년도 제40회 하계학술대회
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• pp.1260_1261
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• 2009

A detailed investigation and structure of tested samples are clearly presented. As a reference, $Ge_1Se_1Te_2$/Sb only sample was also investigated. We used compound of Ge-Se-Te material for phase-change cell. Actually, the performance properties have been improved surprisingly then conventional Ge-Sb-Te. However, crystallization time was as long as ever for amorphization time. We conducted this esperiment in order to solve that problem by doping-Sb.

• 한국진공학회지
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• 제3권2호
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• pp.198-202
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• 1994

Zn0.5Mg0.5Te 및 Zn0.5Mg0.5Te:Co 단결정을 온도진동법을 응용한 화학수송법으로 성장시켰고, 광 학적 energy gap의 온도의존성은 Varshni의형식에 잘 적용되었다. 광학적 energy gap의 온도의존성으 로부터 열역학 기본함수인 entropy, enthalpy, heat capacity를 구했다.

• 한국재료학회지
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• 제8권3호
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• pp.245-251
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• 1998

Bi를 첨가한 n형 PbTe 가압소결체를 기계적 합금화 공정으로 제조하여, 소결 특성과 열전특성을 분석하고 이를 용해/분쇄법으로 제조한 PbTe가압소결체와 비교하였다. 기계적 합금화 공정으로 제조한 PbTe가압소결체에는 용해/분쇄법으로 제조한 시편에 비해 Seebeck계수가 음의 값으로 증가하였으며, 전기비저항이 증가하고 열전도도가 감소하였다. 또한 기계적 합금화 공정으로 제조한 PbTe에서 최대성능지수가 증가하였으며, \ulcorner대성능지수를 나타내는 온도가 저온으로 이동하였다. 0.3wt% Bi를 첨가한 PbTe를 $650^{\circ}C$에서 가압소결시 기계적 합금화 공정으로 제조한 시편은 $200^{\circ}C$에서 $1.33\times10^{-3}/K$의 최대성능지수를 나타내었으며, 용해/분쇄법으로 제조한 시편은 $400^{\circ}C$에서 $1.07\times10^{-3}/K$의 최대성능지수를 나타내었다.

• 한국세라믹학회지
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• 제41권1호
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• pp.24-29
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• 2004

Te(Tellurium) 미립자를 $SiO_2$ 박막에 분산시켜 비선형 광학재료, 선택흡수막 및 투과막 등 새로운 기능성 재료로 활용하기 위하여 Te/$SiO_2$ 나노 목합체 박막을 제조하였다. 가수분해 조건을 변화시켰을 때 박막표면에 분산시킨 입자의 크기와 형상이 재료의 물성에 미치는 영향을 열처리 후의 시차중량분석과 엑스선 회절분석, 분광분석, 원자력간 현미경 그리고 전자현미경 관찰 등을 통하여 조사하였다. 제조된 박막의 광흡수 스펙트럼에스 Te 미립자의 플라즈마 공명에 의한 550nm 부근의 흡수피크가 관찰되어 비선형 광학성을 확인할 수 있었다. 박막의 표면 거칠기는 약 2.5nm 내외였고, Te 미립자의 크기는 약 5~10nm였다.

• 한국재료학회지
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• 제10권4호
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• pp.257-263
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• 2000

0.05wt% $SbI_3$를 첨가한 n형 $ Bi_2(Te(_{0.95}Se_{0.05})_3$ 합금분말을 용해/분쇄법으로 제조하여 가압소결 후, 36시간까지의 열처리 시간에 따른 열전특성의 변화 거동을 분석하였다. 열처리 시간이 증가함에 따라 0.05wt% $SbI_3$를 첨가한 n형 $ Bi_2(Te(_{0.95}Se_{0.05})_3$ 가압소결체의 전자 농도가 감소하였다. 0.05wt% $SbI_3$를 첨가한 $Bi_2(Te(_{0.95}Se_{0.05})_3$ 가압소결체는 $2.1{\times}10^{-3}/K$의 성능지수를 나타내었으며 $500^{\circ}C$에서 3시간 열처리 시 $2.35{\times}10^{-3}/K$로 성능지수가 향상되었으나, 12시간 이상 열처리 시에는 전기비저항의 증가에 기인하여 성능지수의 현저한 감소가 발생하였다.

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 2004년도 제15회 정기총회 및 동계학술발표회
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• pp.360-361
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• 2004

An atomization doping process is proposed to manufacture nonlinear optical fiber containing higher concentration of PbTe nano-particles in the core of the fiber than that by the conventional solution doping process. The absorption peaks appeared near 725nm, 880nm, and 1050nm are attributed to the PbTe quantum dots in the fiber core.